本实用新型专利技术涉及雷达信号处理领域，具体是涉及一种高精度的K波段波导分支定向耦合器。该高精度的K波段波导分支定向耦合器包括壳体、第一耦合矩形柱、盖板，所述壳体上设有构成波导腔的槽体，所述槽体底部设有用于压装固定所述第一耦合矩形柱的插孔，所述插孔为阶梯孔；所述第一耦合矩形柱与插孔之间构成过盈配合。本实用新型专利技术结构摈弃传统耦合器中耦合矩形柱与壳体为一体式结构，创新性的提出将所述第一耦合矩形柱进行单独加工，壳体上开相应的插孔，然后将所述第一耦合矩形柱与壳体整体压装固定为一体。本结构易于加工，结构简单、紧凑，调试方便。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及雷达信号处理领域，具体是涉及一种高精度的K波段波导分支定向耦合器。
技术介绍
波导分支耦合器是雷达信号处理领域中非常重要的设备，广泛应用于雷达及卫星领域，目前的主流趋势趋向于小型化结构，精度很高。毫米波耦合器由于高频的特性，使得耦合部分的尺寸很小，特别是K波段耦合器，传统的结构是耦合矩形柱和壳体连为一体，耦合矩形柱之间的间隙需保证达到一毫米以下，一来没有如此小直径的刀具来进行加工，二来该结构使得线切割丝无法加工，为此必须从工艺和结构方面考虑实现加工性。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种高精度的K波段波导分支定向耦合器，该结构易于加工、精度高。为实现上述目的，本技术采用了以下技术方案：一种高精度的K波段波导分支定向耦合器，其特征在于：包括壳体、第一耦合矩形柱、盖板，所述壳体上设有构成波导腔的槽体，所述槽体底部设有用于压装固定所述第一耦合矩形柱的插孔，所述插孔为阶梯孔。进一步的技术方案，所述第一耦合矩形柱包括台阶状底座，以及位于底座上的矩形柱，所述底座与矩形柱为一体式结构，所述底座与所述插孔构成过盈配合。进一步的技术方案，所述壳体底面处第一耦合矩形柱与插孔之间的间隙通过铟锡焊接加固。进一步的技术方案，所述盖板与槽体构成所述波导腔，所述盖板与壳体之间通过定位销定位并由螺钉固定连接，所述定位销与壳体上的定位孔过盈配合、与所述盖板上的定位孔间隙配合。进一步的技术方案，所述槽体底部设有与壳体为一体结构的第二耦合矩形柱，所述第一耦合矩形柱有两个且沿所述槽体宽度方向并列布置于所述第二耦合矩形柱的两侧，所述两个第一耦合矩形柱、第二耦合矩形柱构成4条耦合缝隙，所述耦合缝隙沿一侧槽壁到另一侧槽壁的方向依次为0.35±0.03mm、0.55mm±0.03mm、0.55mm±0.03mm、0.35±0.03mm；所述波导腔的截面尺寸为8.64mm×4.32mm，波导腔的截面尺寸精度为±0.01mm。进一步的技术方案，所述壳体、盖板除定位孔以外的整体表面均设有镀银层。本技术的有益效果主要体现在以下几个方面：(1)本技术结构摈弃传统耦合器中耦合矩形柱与壳体为一体式结构，创新性的提出将所述第一耦合矩形柱进行单独加工，壳体上开相应的插孔，然后将所述第一耦合矩形柱与壳体整体压装固定为一体。本结构易于加工，结构简单、紧凑，调试方便。(2)本技术将所示第一耦合矩形柱的底座加工成尺寸稍稍大于所述插孔，可以保证第一耦合矩形柱插入插孔中以后可以构成过盈配合的状态，保证整体结构压装后的可靠性。(3)本技术中第一耦合矩形柱插入插孔中以后，若压装不够紧固，可以对壳体底面处第一耦合矩形柱与插孔之间的间隙实施铟锡焊接，以保证第一耦合矩形柱在插孔中的稳固性。(4)所述的耦合缝隙、波导腔尺寸是保证耦合器性能的重要参数，本技术针对K波耦合器特别进行设置，使得本技术所述耦合器性能相比于传统耦合器更好。(5)本技术中壳体、盖板进行镀银处理，可以增加电磁波的导磁性。附图说明图1为本技术结构主视图。图2为本技术结构俯视图。图3为本技术结构右视图。图4为本技术结构左视图。图5为本技术结构去除盖板后的主视图。图6为本技术结构去除盖板后的轴测图。图7为图5的A-A剖示图。图8为图7的局部放大图。图9为本技术耦合矩形柱示意图。图10为本技术后视图。附图中标记的含义如下：10-壳体11-槽体12-插孔13-定位销14-螺钉15-间隙16-第二耦合矩形柱20-第一耦合矩形柱21-底座22-矩形柱30-盖板具体实施方式现结合附图1-10详细说明本技术的结构特点：本技术包括壳体10、第一耦合矩形柱20、盖板30，所述壳体10上设有构成波导腔的槽体11，所述槽体11底部设有用于压装固定所述第一耦合矩形柱20的插孔，所述插孔为阶梯孔。本技术将所述第一耦合矩形柱20进行单独加工，壳体10上开相应的插孔12，然后将所述第一耦合矩形柱20与壳体10压装固定为一体。本结构相比于传统结构的耦合器更易于加工，且结构简单、紧凑，调试方便。上述第一耦合矩形柱20与插孔12之间可以通过以下两种方式实现压装固定：1)所述第一耦合矩形柱20包括底座21以及位于底座上的矩形柱22，所述底座21为台阶状，所述插孔12为与所述底座21构成过盈配合的阶梯孔。即直接将所示第一耦合矩形柱的底座21加工成尺寸稍稍大于所述插孔12的尺寸，安装时，由壳体10底面一侧将所述第一耦合矩形柱20的矩形柱22先穿插入插孔12，进一步穿插使得第一耦合矩形柱20的底座21插入插孔12中并与插孔12之间可以构成过盈配合的状态，保证整体结构压装后的可靠性。2)因为第一耦合矩形柱20插入插孔12中一旦存在间隙15则会导致整体压装不够紧固，那么对壳体10底面处第一耦合矩形柱20与插孔12之间的间隙15实施铟锡焊接，可以保证第一耦合矩形柱20在插孔12中的稳固性。本技术耦合器中，所述槽体11上设有与壳体10贴合的盖板30，所述盖板30与槽体11构成所述波导腔，所述盖板30与壳体10之间通过定位销13定位并由螺钉14固定连接，所述定位销13与壳体10上的定位孔过盈配合、与所述盖板30上的定位孔间隙配合。即壳体10与盖板30固定后相应各部分的法兰面共面，保证信号在所述波导腔内可以正常传输，确保信号可以通过耦合矩形柱之间的间隙实现高精度耦合。本技术所述槽体11底部设有与壳体10为一体结构的第二耦合矩形柱16，所述第一耦合矩形柱20有两个且沿所述槽体宽度方向并列布置于所述第二耦合矩形柱16的两侧，所述两个第一耦合矩形柱20、第二耦合矩形柱16构成4条耦合缝隙，所述耦合缝隙沿一侧槽壁到另一侧槽壁的方向依次为0.35±0.03mm、0.55mm±0.03mm、0.55mm±0.03mm、0.35±0.03mm；所述波导腔的截面尺寸为8.64mm×4.32mm，波导腔的截面尺寸精度为±0.01mm。该技术方案所述的耦合缝隙的间距、波导腔尺寸是保证耦合器性能的重要参数，本实用新型针对K波耦合器特别进行设置，使得本技术所述耦合器性能相比于传统耦合器更好，精度更高。所述壳体10、盖板30除定位孔以外的整体表面均设有镀银层。所述附图中相应尺寸是为镀银后的尺寸，需要在机加工过程中预先进行考虑。另外本技术基本采用H62黄铜材质加工而成，便于切削加工本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高精度的K波段波导分支定向耦合器，其特征在于：包括壳体(10)、第一耦合矩形柱(20)、盖板(30)，所述壳体(10)上设有构成波导腔的槽体(11)，所述槽体(11)底部设有用于压装固定所述第一耦合矩形柱(20)的插孔(12)，所述插孔(12)为阶梯孔。
【技术特征摘要】
1.一种高精度的K波段波导分支定向耦合器，其特征在于：包括壳体(10)、第一耦合矩
形柱(20)、盖板(30)，所述壳体(10)上设有构成波导腔的槽体(11)，所述槽体(11)底部设有
用于压装固定所述第一耦合矩形柱(20)的插孔(12)，所述插孔(12)为阶梯孔。
2.如权利要求1所述的高精度的K波段波导分支定向耦合器，其特征在于：所述第一耦
合矩形柱(20)包括台阶状底座(21)，以及位于底座(21)上的矩形柱(22)，所述底座(21)与
矩形柱(22)为一体式结构，所述底座(21)与所述插孔(12)构成过盈配合。
3.如权利要求1所述的高精度的K波段波导分支定向耦合器，其特征在于：所述壳体
(10)底面处第一耦合矩形柱(20)与插孔(12)之间的间隙(15)通过铟锡焊接加固。
4.如权利要求1所述的高精度的K波段波导分支定向耦合器，其特征在于：所述盖板
(30)与槽体(11)构成所述波导腔，所述盖板(30)与壳体(10)之间通过定...
【专利技术属性】
技术研发人员：王家明，丁飞，禹清晨，刘鲁军，
申请(专利权)人：安徽四创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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