互补型薄膜晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种互补型薄膜晶体管及其制造方法，所述互补型薄膜晶体管包含包含一基板、一N型半导体层、一P型半导体层及一刻蚀阻挡层；所述基板定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区，所述N型半导体层设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，所述N型半导体层包含一金属氧化物材料，所述P型半导体层设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，所述P型半导体层包含一有机半导体材料，所述刻蚀阻挡层形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法，特别是有关于一种互补型薄膜晶体管及其制造方法。
技术介绍
互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,CMOS)是一种集成电路的设计制程，可以在硅质晶圆模板上制出N型沟道金属氧化物半导体(n-typeMOSFET,NMOS)和P型沟道金属氧化物半导体(p-typeMOSFET,PMOS)的基本组件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS。CMOS在一般的制程上，可用来制作静态随机存储器、微控制器、微处理器、以及互补式互补式金属氧化物半导体图像传感装置与其他数位逻辑电路系统。也就是说，CMOS由P型沟道金属氧化物半导体和N型沟道金属氧化物半导体共同构成，而CMOS电路是作为集成电路中的基本电路构造。目前显示面板中的基板大部分为玻璃基板或塑料基板(PEN)等，如图1所示，为一种互补型薄膜晶体管(ContinuousTimeFourierTransfo本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：一基板，定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区；一N型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，其中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；一P型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，其中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；及一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上。

【技术特征摘要】
1.一种互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶体管包含：
一基板，定义有相邻的一N型晶体管区及一P型晶体管区；
一N型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述N型晶体管区中，其
中所述N型半导体层包含一金属氧化物材料；
一P型半导体层，设置在所述基板上方且位于所述P型晶体管区中，其
中所述P型半导体层包含一有机半导体材料；及
一刻蚀阻挡层，形成在所述N型半导体层上并位于所述N型晶体管区及
所述P型晶体管区中，且所述P型半导体层形成在所述刻蚀阻挡层上。
2.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶
体管还包含一第一栅极层及一绝缘层，其中所述第一栅极层形成在所述基
板上且位于所述N型晶体管区，所述绝缘层形成在所述第一栅极层及所
述基板上且位于所述N型晶体管区及所述P型晶体管区中，其中所述N
型半导体层及所述刻蚀阻挡层形成在所述绝缘层上。
3.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄膜晶
体管还包含一缓冲层，形成在整个所述刻蚀阻挡层上并位于所述N型晶
体管区及所述P型晶体管区中。
4.如权利要求2或3所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄
膜晶体管还包含一电极金属层，形成在位于所述N型晶体管区及所述P
型晶体管区中，其中所述电极金属层形成在所述N型半导体层上，所述P
型半导体层形成在所述电极金属层上。
5.如权利要求2或3所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述互补型薄
膜晶体管还包含：一钝化层，形成在所述电极金属层上且位于所述N型
晶体管区及所述P型晶体管区中；及一第二栅极层，形成在所述钝化层
上且位于所述P型晶体管区中。
6.如权利要求1所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于：所述N型半导体
层的金属氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾勉，萧祥志，张盛东，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44