可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料制造技术

本发明专利技术公开一种可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料。通过将超材料的谐振单元移离其中心位置,并旋转一个角度，改变其对于电磁波的透过特性。使得原本的偶极子变成四偶极子，共振得到增强,使其在近红外波段中形成一个尖锐的高品质因数的法诺共振，从而增强对近红外光的吸收。本发明专利技术可应用于光电池、慢光、传感、非线性及光开关等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种近红外波吸收材料。
技术介绍
传统的近红外波吸收器通常是基于一种单一尺寸等离子体谐振结构产生的单一频段的共振吸收，以及基于两种及以上不同尺寸的复杂等离子体谐振结构产生的两个及以上分立频段的共振吸收。这类吸收器结构设计复杂、尺寸面积有限且制作成本高，使得这类吸收器难以有效推广应用。有的研究者通过组合不同共振频段的共振单元以获得多个吸收频带从而展宽吸收带宽，但却进一步增加了制作工艺的难度和降低了生产的可重复性，限制了此类吸收器的实用性。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提供一种可以在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料。为实现本专利技术目的而采用的技术方案是这样的，一种可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料，包括介质层和金属层，以及形状相同的谐振子A和谐振子B；所述介质层材料选自硅、二氧化硅或锗，厚度为20纳米至10微米；所述介质层(覆盖于金属层上方，其材料选自Al、Ag、Au、Cu<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材料，其特征在于:包括介质层(1)和金属层(2)，以及形状相同的谐振子A和谐振子B；所述介质层(1)材料选自硅、二氧化硅或锗，厚度为20纳米至10微米；所述介质层(1)覆盖于金属层(2)上方，其材料选自Al、Ag、Au、Cu或Ni，厚度为20纳米至10微米；所述谐振子A和谐振子B形成于介质层(1)的上表面，其材料选自Al、Ag、Au、Cu或Ni，高度为1纳米至1微米；所述谐振子A和谐振子B均为柱体。所述谐振子A和谐振子B在介质层(1)上表面投影图形的中心点关于介质层(1)上表面的中心点对称；所述谐振子A和谐振子B在介质层(1)上表面投影图形的中心...

【技术特征摘要】
1.一种可在近红外波段利用法诺共振增强吸收的不对称超材
料，其特征在于:包括介质层(1)和金属层(2)，以及形状相同的
谐振子A和谐振子B；
所述介质层(1)材料选自硅、二氧化硅或锗，厚度为20纳米
至10微米；
所述介质层(1)覆盖于金属层(2)上方，其材料选自Al、Ag、
Au、Cu或Ni，厚度为20纳米至10微米；
所述谐振子A和谐振子B形成于介质层(1)的上表面，其材料
选自Al、Ag、Au、Cu或Ni，高度为1纳米至1微米；
所述谐振子A和谐振子B均为柱体。所述谐振子A和谐振子B
在介质层(1)上表面投影图形的中心点关于介质层(1)上表面的
中心点对称；
所述谐振子A和谐振子B在介质层(1)上表面投影图形的中
心点的连线所在的直线记为x轴；
所述谐振子A在介质层(1)上表面投影图形的对称轴记为线
段K1；
所述谐振子B在介质层(1)上表面投影图形的对称轴记为线
段K2；
线段K1垂直于x轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻洪麟，方佳文，康治平，何安国，宋茂文，罗军，张飞，
申请(专利权)人：重庆大学，
类型：发明
国别省市：重庆;85