一种高性能BiOCl/SnO2异质结材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高性能BiOCl/SnO2异质结材料及其制备方法和应用，所述异质结材料由SnO2纳米颗粒附着在BiOCl单晶纳米片表面组成，SnO2纳米颗粒的尺寸为5～30nm，BiOCl单晶纳米片的宽度为20～500nm，厚度为10～50nm。本发明专利技术以无机锡盐、无机铋盐为原料，通过一步沉淀反应、固液分离、干燥、煅烧等步骤得到BiOCl/SnO2异质结材料。该种异质结材料不仅能够发挥单一组元的性能，而且可以通过异质结的协同作用展现出新颖的特性。该制备方法采用一步沉淀反应法，具有过程简易、生长条件易控、低能耗低成本、制备周期短、对环境友好等优点，有利于提高SnO2材料的性能，所获得的BiOCl/SnO2异质结可用于降解水中有机物，特别是水中微量有毒有害难降解有机物的处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及纳米材料及环境化工光催化水处理
，具体地说是涉及一种BiOCl/SnO2半导体纳米异质结及其制备方法。
技术介绍
半导体纳米异质结构材料，即把两种或多种不同化学成分、尺寸、形貌的纳米材料组合到一起，可以实现对于材料能带结构的大范围调控，从而进一步丰富半导体材料的能带结构和物化性能，它不但能发挥各自组分的功能特点，还因不同成分的结合而产生新的特性，因其无可比拟的优异性能而成为当前研究最活跃的内容之一，其在光电子、生物医学成像、光催化、能量转换等领域的研究工作陆续开展。在异质结构半导体纳米材料的制备方法中，采用两步生长法是目前该领域研究中所采用的主要方法。两步生长法首先通过不同的物理/化学方法制备其中一种纳米组元，而后以得到的纳米组元为反应物通过水热法、溶剂热法、电化学沉积法、溶胶凝胶法等在其表面生长另外一种组元。该方法制备过程繁琐、合成条件难以控制且很容易在制备过程中引入杂质、缺陷等，因此，迫切寻求一种简单的纳米异质结制备方法。化学沉淀法是在溶液状态下将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高性能BiOCl/SnO2异质结材料，其特征在于：该异质结是由SnO2纳米颗粒弥散分布于BiOCl单晶纳米片表面构成，所述的异质结材料中BiOCl为单晶纳米片，纳米片的厚度为10～50nm，宽度为20～500nm；SnO2为金红石相纳米颗粒，纳米颗粒直径为5～30nm。

【技术特征摘要】
1.一种高性能BiOCl/SnO2异质结材料，其特征在于：该异质结是由SnO2纳米颗粒弥散分布
于BiOCl单晶纳米片表面构成，所述的异质结材料中BiOCl为单晶纳米片，纳米片的厚度为
10～50nm，宽度为20～500nm；SnO2为金红石相纳米颗粒，纳米颗粒直径为5～30nm。
2.一种如权利要求1所述的高性能BiOCl/SnO2异质结材料的制备方法，其特征在于：将Bi
源和Sn源溶解于去离子水中，搅拌溶解后加入表面活性剂聚乙二醇，然后向该混合溶液中加
入沉淀剂，在一定的温度下搅拌至反应完全后，抽滤分离得到沉淀物，然后将沉淀物洗涤、
干燥，最后进行煅烧得到BiOCl/SnO2异质结材料。
3.根据权利要求2所述的高性能BiOCl/SnO2异质结材料的制备方法，其特征在于，所述Bi
源为硝酸铋或氯化铋，所述Sn源为四氯化锡，所述沉淀剂为氨水。
4.根据权利要求2所述的高性能BiOCl/SnO2异质结材料的制备方法，其特征在于，所述Bi：
Sn的摩尔比为0.2～5，其中，所述锡源溶液的摩尔浓度为0.01～0.5mol...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔秀清，李东升，赵君，侯东芳，吴亚盘，董文文，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42