半导体基板的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法技术

一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种冲洗液、显影液、剥离液等半导体基板的处理液、其处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。
技术介绍
在半导体元件(半导体装置)的制造工序中包含光刻工序、蚀刻工序、离子注入工序等各种工序。因此，在各工序的结束后、或移至下一个工序之前，一般包含对有机物进行处理的工序。例如，实施将基板表面所残存的抗蚀剂剥离·去除的处理(剥离处理)。或者，有时在该去除或剥离之后，进一步实施净化表面的处理(冲洗处理)。而且，在显影工序中要求仅在所期望的位置正确地去除抗蚀剂(显影处理)。作为现有的有机残渣剥离处理方法，利用使用浓硫酸与过氧化氢的混合溶液(SPM：SulfuricAcidHydrogenPeroxideMixture)或氨与过氧化氢的混合溶液(APM：Ammonia-peroxidemixture)的工艺(参考专利文献1～专利文献3)。由此可有效地剥离基板加工后的抗蚀剂。另一方面，该方法中虽然抗蚀剂的剥离性优异，但处理液的氧化力过强，因此有时对构成基板的材料造成损伤。若考虑半导体装置的小型化及高度集成化不断发展的最近的实际情况，则期望这种损伤即使微小也可避免。而且，在使用SPM或APM的方法中，有时产生化学品本身的操作性、或急剧的温度上升等，因此自可靠性的观点考虑，未必是可令人满意的方法。因此，要求对栅极绝缘膜或基板等的影响少、可靠性更优异的清洗技术，作为其中之一，例如提出了利用二氧化碳气体发泡的新的处理方法(参考专利文献4、专利文献5)。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005-268308号公报专利文献2：日本特开2005-189660号公报专利文献3：日本特开2012-049391号公报专利文献4：日本特开2012-094703号公报专利文献5：日本特开2012-094702号公报专利文献6：日本特开2001-119026号公报专利文献7：日本特开2008-166809号公报专利技术的概要专利技术要解决的技术课题作为半导体基板材料，以往广泛使用硅(Si)。另一方面，受到半导体元件中所使用的要求性能日益提高的影响，使用锗(Ge)的技术(专利文献6、专利文献7)受到关注，尝试其实用化。另一方面，与硅相比而言，锗对化学药品的耐受性低，担心在其制造工序中的各处理中受到损伤。因此，本专利技术的目的在于提供：应用于具有含有锗的层的半导体基板，抑制或防止该锗的损伤，且可适宜地进行其上侧的有机物的去除或基板表面的清洗的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。更具体而言，其目的在于提供适合于作为所述处理的冲洗处理、显影处理、剥离处理的处理液、处理方法、使用这些的半导体基板产品的制造方法。用于解决技术课题的手段所述问题可通过以下方式而解决。[1]一种半导体基板的处理液，其是自具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将所述半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。[2]如[1]所述的处理液，其中，所述防蚀成分的浓度为0.01质量％～20质量％。[3]如[1]或[2]所述的处理液，其中，所述防蚀成分是选自下述式(1)～式(6)、式(10)、式(11)中任意一个所表示的化合物及具有下述式(7)～式(9)中任意一个所表示的重复单元的化合物的至少1种：[化学式1]R11～R14、R21、R22、R31～R34、R41～R45、R51～R56、R61、R62、R71、R81～R83、R91、R92、RA1、RB1、及RB2分别独立地表示包含氢原子、碳原子、氧原子、硫原子、或氮原子的基团；La表示连结基；M1-、M2-、及M3-表示抗衡阴离子；式(5)中的虚线表示单键及双键中任意一个；在虚线为双键时，并无R52、R54；式(6)中的虚线表示R61也可为氧原子或硫原子，与其所键合的碳原子一同构成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)；LR表示单键或连结基。[4]如[3]所述的处理液，其中，所述式(1)中，R11～R14分别独立地表示碳原子数为1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，其至少1个的碳原子数为2以上；所述式(2)中，R21及R22分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、碳原子数为1～12的酰基、碳原子数为1～12的烷氧基、氨基羰基、肼基、肼基羰基、C(NRN)NRN2(RN是氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基)；所述式(3)中，R31～R34分别独立地与R21及R22同义；所述式(4)中，R41～R45分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；所述式(5)中，R51～R56分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；所述式(6)中，R61及R62分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、或形成羰基的氧原子；所述式(7)中，R71表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；所述式(8)中，R81及R82表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，LR表示单键、碳原子数为1～12的亚烷基、碳原子数为2～12的亚烯基、碳原子数为6～14的亚芳基、或碳原子数为7～15的亚芳烷基，R83表示氢原子或甲基；所述式(9)中，R91及R92表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；所述式(10)中，RA1表示碳原子数为1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；或者，所述式(11)中，碳原子数RB1及RB2分别独立地为碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基、或氨基。[5]如[3]或[4]所述的处理液，其中，关于防蚀成分，使用选自所述式(1)或式(10)所表示的化合物及具有式(7)～式(9)所表示的重复单元的化合物的防蚀成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基板的处理液，其是从具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导体基板将该半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，其中，包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防蚀的防蚀成分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.18 JP 2013-2383441.一种半导体基板的处理液，其是从具有含有锗(Ge)的含Ge层的半导
体基板将该半导体基板上侧的有机物去除、或者对其表面进行清洗的处理液，
其中，
包含使处理液成为pH5～16的范围的药液成分、及用于对含Ge层进行防
蚀的防蚀成分。
2.根据权利要求1所述的处理液，其中，
所述防蚀成分的浓度为0.01质量％～20质量％。
3.根据权利要求1或2所述的处理液，其中，
所述防蚀成分是选自下述式(1)～式(6)、式(10)、式(11)中任意
一个所表示的化合物及具有下述式(7)～式(9)中任意一个所表示的重复单
元的化合物中的至少1种：
[化学式1]
R11～R14、R21、R22、R31～R34、R41～R45、R51～R56、R61、R62、R71、R81～
R83、R91、R92、RA1、RB1、及RB2分别独立地表示包含氢原子、碳原子、氧原
子、硫原子、或氮原子的基团；La表示连结基；M1-、M2-、及M3-表示抗衡阴
离子；式(5)中的虚线表示单键及双键中任意一个；在虚线为双键时，并无
R52、R54；式(6)中的虚线表示R61任选为氧原子或硫原子，与其所键合的碳
原子一同构成羰基(C＝O)或硫羰基(C＝S)；LR表示单键或连结基。
4.根据权利要求3所述的处理液，其中，
所述式(1)中，R11～R14分别独立地表示碳原子数为1～24的烷基、碳原

\t子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，其至少1个的碳原子数为
2以上；所述式(2)中，R21及R22分别独立地表示氢原子、碳原子数为1～12
的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、碳原子数为
1～12的酰基、碳原子数为1～12的烷氧基、氨基羰基、肼基、肼基羰基、C
(NRN)NRN2(RN是氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的
烯基、碳原子数为6～14的芳基)；所述式(3)中，R31～R34分别独立地与
R21及R22同义；所述式(4)中，R41～R45分别独立地表示氢原子、羟基、羧
基、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～
14的芳基；所述式(5)中，R51～R56分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、
碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的
芳基；所述式(6)中，R61及R62分别独立地表示氢原子、羟基、羧基、碳原
子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、碳原子数为6～14的芳基、
或形成羰基的氧原子；所述式(7)中，R71表示氢原子、碳原子数为1～12的
烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；
所述式(8)中，R81及R82表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数
为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基，LR表示单键、碳原子数为1～
12的亚烷基、碳原子数为2～12的亚烯基、碳原子数为6～14的亚芳基、或碳
原子数为7～15的亚芳烷基，R83表示氢原子或甲基；所述式(9)中，R91及
R92表示氢原子、碳原子数为1～12的烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳
原子数为6～14的芳基，La是亚甲基；所述式(10)中，RA1表示碳原子数为
1～24的烷基、碳原子数为2～24的烯基、或碳原子数为6～14的芳基；或
者，所述式(11)中，碳原子数RB1及RB2分别独立地为碳原子数为1～12的
烷基、碳原子数为2～12的烯基、或碳原子数为6～14的芳基、或氨基。
5.根据权利要求3或4所述的处理液，其中，
关于防蚀成分，使用选自所述式(1)或式(10)所表示的化合物及具有
式(7)～式(9)所表示的重复单元的化合物的防蚀成分作为抑制剂型的...

【专利技术属性】
技术研发人员：上村哲也，杉岛泰雄，水谷笃史，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP