电子器件密封用片和电子器件封装件的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供为低粘度、且能高填充无机填充剂的电子器件密封用片。本发明专利技术的解决手段是一种电子器件密封用片，其使用具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶联剂，在69～86体积％的范围内含有无机填充剂，最低粘度在10～1000000Pa·s的范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
在电子器件封装件的制作中，代表性地采用：用密封树脂将利用凸块等固定于基 板等的1个或多个电子器件密封，根据需要以成为电子器件单元的封装件的方式将密封体 切割的顺序。作为这样的密封树脂，有时使用片状的密封树脂（例如，参照专利文献1)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2006-19714号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 作为上述封装件的制造方法，可举出下述方法：以覆盖在被粘物上配置的1个或 多个电子器件的方式将密封用片层叠，之后，使密封用片热固化。在这样制造的封装件中， 存在起因于密封用片的树脂与电子器件的热膨胀系数之差而在热固化时等封装件翘曲的 问题。 作为抑制封装件的翘曲的方法，例如，考虑增加密封用片中的无机填充剂的含量 的方法。由此，可以使密封用片的热膨胀系数接近电子器件。 然而，越增加密封用片中的无机填充剂的含量，密封用片的粘度变得越大，因此存 在不能含有一定量以上的问题。 本专利技术鉴于上述课题而实施，其目的在于提供为低粘度、且能高填充无机填充剂 的电子器件密封用片。 解决课题的方法 本申请专利技术人等发现通过采用下述的构成，可以解决上述的课题，从而完成了本 专利技术。 即，本专利技术所涉及的电子器件密封用片的特征在于， 使用具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶联剂， 在69~86体积％的范围内含有无机填充剂， 最低粘度在10~lOOOOOOPa · s的范围内。 根据上述构成，使用与热固性树脂不反应的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的 化合物作为硅烷偶联剂。因此，可以抑制由与热固性树脂的反应引起的粘度的上升。另外， 可以抑制由与热固性树脂的反应引起的粘度的上升，因此可以增加无机填充剂的含量。 另外，在69~86体积％的范围内含有无机填充剂，因此可以使热膨胀系数接近电 子器件。其结果是，可以抑制封装件的翘曲。进一步，在69~86体积％的范围内含有无机 填充剂，因此可以降低吸水率。另外，最低粘度为10~lOOOOOOPa · s的范围内，粘度上升 得到抑制。其结果是，可以使使用该电子器件密封用片制造的电子器件封装件的可靠性提 尚。 上述构成中，将50°C的拉伸储存弹性模量设为X、将最低粘度设为Y时，优选比X/ Y为15~100的范围。 本专利技术人等基于实验结果等进行了深入研究，结果发现，若将上述比X/Y设为15 以上，则可以兼具作为片的操作性和成型时的对部件的追随性，可以成品率良好地进行成 型。另一方面，发现若将上述比X/Y设为100以下，则片不会过硬，因此可以防止成型时的 片破裂、缺损。 上述构成中，优选上述无机填充剂用上述硅烷偶联剂预先进行了表面处理。 用硅烷偶联剂处理无机填充剂的表面时，产生释气（例如，甲醇）。因此，若在制成 该电子器件密封用片的前一阶段预先对无机填充剂用硅烷偶联剂进行表面处理，则可以排 除该阶段的程度的释气。其结果是，可以抑制在电子器件密封用片的制成时封入片内的释 气的量，可以减少空隙的产生。 上述构成中，优选上述无机填充剂用相对于上述无机填充剂100重量份为0. 5~ 2重量份的上述硅烷偶联剂预先进行了表面处理。 若利用硅烷偶联剂进行无机填充剂的表面处理，则可以使电子器件密封用片的粘 度降低，但若硅烷偶联剂的量多则释气产生量也增加。因此，即使对无机填充剂预先进行了 表面处理，在电子器件密封用片的制成时产生的释气也会引起电子器件密封用片的性能降 低。另一方面，若硅烷偶联剂的量少，则不能适宜地使粘度降低。因此，若利用相对于上述 无机填充剂100重量份为〇. 5~2重量份的硅烷偶联剂对无机填充剂预先进行表面处理， 贝IJ可以适宜地使粘度降低的同时，可以抑制由释气引起的性能降低。 另外，本专利技术所涉及的电子器件封装件的制造方法包括： 准备上述的电子器件密封用片的工序、 以覆盖在被粘物上配置的1个或多个电子器件的方式层叠上述电子器件密封用 片的层叠工序、和 使上述电子器件密封用片固化而形成密封体的密封体形成工序。 根据上述构成，由于使用了上述电子器件密封用片，因此通过本电子器件封装件 的制造方法制造的电子器件封装件可以抑制翘曲。其结果是，可以使所制造的电子器件封 装件的可靠性提高。【附图说明】 图1是示意地显示本专利技术的一实施方式所涉及的电子器件密封用片的剖面图。 图2A是示意地显示本专利技术的一实施方式所涉及的中空封装件的制造方法的一个 工序的图。 图2B是示意地显示本专利技术的一实施方式所涉及的中空封装件的制造方法的一个 工序的图。 图2C是示意地显示本专利技术的一实施方式所涉及的中空封装件的制造方法的一个 工序的图。【具体实施方式】 以下举出实施方式，详细地说明本专利技术，但本专利技术不仅限于这些实施方式。 图1是示意地显示本专利技术的一实施方式所涉及的电子器件密封用片11(以下，也 仅称为"密封用片11"。）的剖面图。代表性地以层叠于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET)膜等 支承体Ila上的状态提供密封用片11。此外，为了容易地进行密封用片11的剥离，可以对 支承体Ila实施脱模处理。 密封用片11使用具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶联剂。 由于使用与热固性树脂不反应的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶 联剂，因此可以抑制由与热固性树脂的反应引起的粘度的上升。 本说明书中，"使用具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶联剂" 包括： (1)含有用作为硅烷偶联剂的具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物预先进 行表面处理后的无机填充剂的情况、和 (2)在密封用片11中含有具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷 偶联剂的情况。 作为上述硅烷偶联剂，只要具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基、能进行无机填充 剂的表面处理就没有特别限定。作为上述硅烷偶联剂的具体例，可举出3-甲基丙烯酰氧基 丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲 基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基辛基三甲氧基硅 烷、甲基丙烯酰氧基辛基三乙氧基硅烷。其中，从反应性和成本的观点考虑，优选3-甲基丙 烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。 密封用片11含有无机填充剂。 上述无机填充剂没有特别限制，可以使用以往公知的各种填充剂，例如可举出石 英玻璃、滑石、二氧化硅（熔融二氧化硅、结晶性二氧化硅等）、氧化铝、氮化铝、氮化硅、氮 化硼的粉末。它们可以单独使用，也可以并用2种以上。其中，从可以良好地减小线性膨胀 系数的理由考虑，优选二氧化硅、氧化铝，更优选二氧化硅。 作为二氧化硅，优选二氧化硅粉末，更优选熔融二氧化硅粉末。作为熔融二氧化硅 粉末，可举出球状熔融二氧化硅粉末、破碎熔融二氧化硅粉末，但从流动性的观点考虑，优 选球状熔融二氧化硅粉末。 密封用片11优选在69~86体积％的范围内含有无机填充剂。上述含量优选75 体积％以上，更优选78体积％以上。由于在69~86体积％的范围内含有无机填充剂，因 此可以使热膨胀系数接近SAW芯片13。其结果是，可以抑制封装件的翘曲。进一步，由于在 69~86体积％的范围内含有无机填充剂，因此可以降低吸水率。 上述无机填充剂为二氧化硅时，上述无机填充剂的含量本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件密封用片，其特征在于，使用具有甲基丙烯酰氧基或丙烯酰氧基的化合物作为硅烷偶联剂，在69～86体积％的范围内含有无机填充剂，最低粘度在10～1000000Pa·s的范围内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丰田英志，土生刚志，市川智昭，砂原肇，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP