光电子器件以及用于制造光电子器件的方法技术

光电子器件（10、20、30、40）包括光电子半导体芯片（200），所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体（100）中，使得所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）至少部分地没有被成形体（100）覆盖。在成形体（100）的上侧（101）上布置有第一金属化部（510）。第一金属化部（510）相对所述光电子半导体芯片（200）被电绝缘。在第一金属化部（510）上布置有第一材料（610、615）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及根据专利权利要求1的光电子器件以及根据专利权利要求6的用于制造光电子器件的方法。
技术介绍
本专利申请要求德国专利申请102013212247.0的优先权，该德国专利申请的公开内容特此通过引用被接纳。从DE102009036621A1中已知用于制造光电子器件的方法，在所述方法中光电子半导体芯片被布置在载体的上侧上。光电子半导体芯片利用成形体被环绕成形，所述成形体覆盖光电子半导体芯片的所有侧面。光电子半导体芯片的上侧和下侧优选地保持空闲。在移除载体后，光电子器件可以被分离。在每个半导体芯片的上和/或下侧上可以设置接触部位。所述成形体例如可以由基于环氧树脂的模制材料构成。
技术实现思路
本专利技术的任务在于提供一种光电子器件。该任务通过具有权利要求1的特征的光电子器件来解决。本专利技术的另一任务在于说明一种用于制造光电子器件的方法。该任务通过具有权利要求6的特征的方法来解决。在从属权利要求中说明不同的改进方案。光电子器件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体中，使得光电子半导体芯片的上侧至少部分地没有被成形体覆盖。在此，在成型体的上侧上布置有第一金属化部。第一金属化部相对光电子半导体芯片被电绝缘。在第一金属化部上布置有第一材料。第一材料例如可以通过电泳沉积被布置在第一金属化部上。因为第一金属化部相对光电子半导体芯片被电绝缘，所以第一材料在此不沉积在光电子半导体芯片的上侧上。有利地，成形体、第一金属化部和光电子器件的布置在第一金属化部上的第一材料分别具有小的厚度。由此，光电子器件有利地总共仅具有非常小的结构高度。光电子器件的总厚度在此可以仅仅略微大于光电子半导体芯片的厚度。在横向方向上光电子器件也可以有利地具有非常紧凑的尺寸。光电子器件的另一优点在于可以高密度地构造布置在第一金属化部上的材料。在所述光电子器件的一种实施方式中，第一材料具有TiO2、Al2O3、ZrO2、SiO2或HfO2。由此，第一材料可以有利地具有高的光学反射率。由此，在成形体的上侧上的第一金属化部上布置的第一材料可以用作光电子器件的光学反射器。由光电子器件的光电子半导体芯片发射的、在光电子器件的环境中被散射回到光电子器件的成形体的电磁辐射于是可以通过由第一材料形成的反射器被反射，由此阻止在光电子器件的成形体的上侧上对电磁辐射的吸收。由此可以有利地提高由光电子器件的光电子半导体芯片发射的电磁辐射的可用份额。因为在成形体的上侧上的第一金属化部上布置的第一材料可以形成高密度层，所以可以放弃第一金属化部的高反射率。这使得能够由低成本的以及腐蚀稳定的材料、例如铝来构造第一金属化部。替代地，光电子器件的第一材料具有有色颜料。由此，第一材料可以产生光电子器件的所期望的色彩印象。第一材料为此例如可以具有无机颜料或过渡金属的氧化物或硫化物。在所述光电子器件的一种实施方式中，在光电子半导体芯片的上侧之上布置具有发光物质的元件，所述发光物质被构造用于转换电磁辐射的波长。有利地，所述元件由此可以转换由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的波长。为此，所述元件可以吸收具有第一波长的电磁辐射并且为此发射具有典型地更大的第二波长的电磁辐射。发光物质在此例如可以是有机的或无机的发光物质。该发光物质也可以包括量子点。在所述光电子器件的一种实施方式中，将导电贯通接触部嵌入到成形体中。有利地，嵌入到成形体中的贯通接触部可以用于将布置在光电子半导体芯片的上侧上的电接触部与布置在光电子器件的后侧上的电接触部导电地连接。这有利地使得能够在光电子器件的后侧上电接触光电子器件的光电子半导体芯片。光电子器件例如可以被构造为SMD器件，所述SMD器件被设置用于表面安装。在所述光电子器件的一种实施方式中，保护二极管被嵌入到成形体中。有利地，保护二极管可以用于保护光电子器件的光电子半导体芯片免于由静电放电引起的损害。用于制造光电子器件的方法包括用于提供光电子半导体芯片的步骤，所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体中，使得光电子半导体芯片的上侧至少部分地没有被成形体覆盖，包括用于将第一金属化部施加在成形体的上侧上的步骤，以及包括用于借助于电泳沉积将第一材料沉积在第一金属化部上的步骤。有利地，在通过该方法可得到的光电子器件的第一金属化部上布置的第一材料可以用作光学反射器，通过该光学反射器提高光电子器件的反射率。光学反射器可以重新反射由通过所述方法可得到的光电子器件的光电子半导体芯片发射的、在光电子器件的环境中被散射回到光电子器件的电磁辐射，并且由此提高由光电子半导体芯片发射的电磁辐射的可用份额。有利地，所述方法允许将第一材料的高密度层沉积在第一金属化部上。由此，第一金属化部可以由低成本的以及耐腐蚀的材料来构造，所述材料的反射率仅具有次要意义。所述方法的特别的优点在于使得能够制造具有小的总厚度的光电子器件。成形体可以以基本上与光电子半导体芯片的厚度相对应的厚度被构造。第一金属化部和第一材料同样可以以非常小的厚度被施加。在横向方向上，通过所述方法可得到的光电子器件也可以以非常紧凑的尺寸来制造。在所述方法的一种实施方式中，施加第一金属化部，使得第一金属化部相对光电子半导体芯片被电绝缘。有利地，第一材料由此在第一材料沉积在第一金属化部上的情况下不沉积在光电子半导体芯片的上侧上。由此，光电子半导体芯片的上侧保持为辐射透射的。在所述方法的一种实施方式中，第一材料以颗粒的形式被沉积，所述颗粒具有200nm和10μm之间的平均大小，优选地400nm和800nm之间的大小。有利地，以该大小的颗粒形式沉积第一材料使得能够产生第一材料的高密度层。在所述方法的一种实施方式中，提供嵌入到成形体中的光电子半导体芯片，使得光电子半导体芯片的下侧至少部分地没有被成形体覆盖。有利地，成形体由此具有非常小的厚度，所述厚度基本上与光电子半导体芯片的厚度相对应。由于光电子半导体芯片的下侧至少部分地没有被成形体覆盖，所以通过所述方法可得到的光电子器件的光电子半导体芯片可以在其下侧上被电接触。由此，通过所述方法可得到的光电子器件可以被特别简单地以及紧凑地构造。在所述方法的一种实施方式中，提供嵌入到成形体中的光电子半导体芯片包括借助于模制过程来将光电子半导体芯片嵌入到成形体中。将光电子半导体芯片嵌入到成形体中在此例如可以通过成形压制（compressionmolding（压缩模制））或通过注塑（transfermolding（传递模制））、特别是通过薄膜辅助注塑（filmassistedtransfermolding（薄膜辅助传递模制））来进行。有利地，所述方法由此能够简单地以及低成本地被执行并且适用于大量生产。在所述方法的一种实施方式中，该方法包括用于将相对第一金属化部被电绝缘的第二金属化部施加在成形体的上侧上的另一步骤。有利地，第二金属化部可以用于电接触通过所述方法可得到的光电子器件的光电子半导体芯片。因为第二金属化部相对第一金属化部被电绝缘，所以在第一材料电泳沉积的情况下第一材料不沉积在第二金属化部上。在所述方法的一种实施方式中，该方法包括用于借助于电泳沉积来沉本文档来自技高网...

【技术保护点】
光电子器件（10、20、30、40），具有光电子半导体芯片（200），所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体（100）中，使得所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）至少部分地没有被所述成形体（100）覆盖，其中在所述成形体（100）的上侧（101）上布置有第一金属化部（510），其中所述第一金属化部（510）相对所述光电子半导体芯片（200）被电绝缘，其中在第一金属化部（510）上布置有第一材料（610、615）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.26 DE 102013212247.01.光电子器件（10、20、30、40），具有光电子半导体芯片（200），所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体（100）中，使得所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）至少部分地没有被所述成形体（100）覆盖，
其中在所述成形体（100）的上侧（101）上布置有第一金属化部（510），
其中所述第一金属化部（510）相对所述光电子半导体芯片（200）被电绝缘，
其中在第一金属化部（510）上布置有第一材料（610、615）。
2.根据权利要求1所述的光电子器件（10、20、30、40），
其中所述第一材料（610、615）具有TiO2、Al2O3、ZrO2、SiO2、HfO2和/或有色颜料。
3.根据前述权利要求之一所述的光电子器件（10、20、30、40），
其中在所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）之上布置有具有发光物质的元件（620、640、650、660），所述发光物质被构造用于转换电磁辐射的波长。
4.根据前述权利要求之一所述的光电子器件（10、20、30、40），
其中导电的贯通接触部（300）被嵌入到所述成形体（100）中。
5.根据前述权利要求之一所述的光电子器件（10、20、30、40），
其中保护二极管（400）被嵌入到所述成形体（100）中。
6.用于制造光电子器件（10、20、30、40）的方法，
具有下列步骤：
-提供光电子半导体芯片（200），所述光电子半导体芯片被嵌入到成形体（100）中，使得所述光电子半导体芯片（200）的上侧（201）至少部分地没有被成形体（100）覆盖，
-将第一金属化部（510）施加在所述成形体（100）的上侧（101）上，
-借助于电泳沉积将第一材料（610、615）沉积在所述第一金属化部（510）上。
7.根据权利要求6所述的方法，
其中施加所述第一金属化部（510），使得所述第一金属化部（510）相对所述光电子半导体芯片（200）被电绝缘。
8.根据权利要求6和7之一所述的方法，
其中所述第一材料（610、615）以颗粒的形式被沉积，所述颗粒具有200nm和10μm之间的平均大小，优选地400nm和800nm之间的平均大小。
9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：J莫斯布格尔，I施托尔，T施瓦茨，M里希特，G迪尔舍尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE