柔性微机电系统换能器及其制造方法和无线扩音器技术方案

一种柔性微机电系统（ＭＥＭＳ）换能器，包括：　　　　由柔性材料组成的衬底；　　　　沉积在该衬底上的薄膜层，该薄膜层具有预定长度的凸起部分；　　　　通过在该薄膜层上沉积导电材料形成的下电极层；　　　　通过在该下电极层上沉积压电聚合物形成的有源层；　　　　通过在该有源层上沉积导电材料形成的上电极层；　　　　电连接到该下电极层的第一连接焊盘；以及　　　　电连接到该上电极层的第二连接焊盘。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微机电系统(MEMS)结构及其制造方法。更具体地，本专利技术涉及在柔性衬底上形成的柔性MEMS换能器及其制造方法、以及组合有柔性MEMS换能器的柔性MEMS无线扩音器。
技术介绍
根据非常小的器件的需要，利用微加工技术的半导体工艺技术被用于集成微器件。微机电系统(MEMS)属于制造并检测具有微米(μm)级的尺寸的微型传感器或激励器以及利用在半导体工艺特别是在集成电路技术中应用的微加工技术的机电结构的领域。在MEMS中使用的微加工技术大致划分为两类。第一类微加工是通过硅体刻蚀的体微加工。第二类微加工是通过在硅上沉积多晶硅、氮化硅和氧化硅的薄膜并根据预定图形来刻蚀所沉积的薄膜以形成一种结构的表面微加工。例如，使用通过体微加工技术形成的膜片式换能器可以获得利用MEMS工艺制造形成的超小型扩音器。图1显示了传统MEMS换能器的剖面图。如图所示，传统换能器包括位于硅(Si)晶片上的氮化硅的膜片层、通过化学气相沉积(CVD)工艺涂敷的SiO2层、氧化锌(ZnO)压电薄膜以及上电极和下电极。用于在硅晶片上形成氮化硅薄膜和氧化硅层的CVD工艺是工艺温度需要在大约780～850℃的高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：南润宇，李锡汉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：