用于制造半导体构件的方法以及半导体构件技术

本发明专利技术涉及一种制造一个具有一个半导体载体（１）的半导体构件的方法，其中为形成无支护的用于一个构件的结构（３）而制造了一个平面的多孔的薄膜层（３）和一个在该多孔薄膜层（３）之下的凹槽（２）。本发明专利技术的任务是避免在制造时或者在有规则地出现的使用情况下发生薄膜损坏。所述任务可以通过不同的方式措施来解决。在第一种解决方案中半导体载体（１）在薄膜部位中与凹槽相比获得不同的掺杂，因而可以制成不同的孔隙尺寸和／或孔隙率，这在产生凹槽时可以用来改善腐蚀气体的运输。然而该任务也可以在薄膜部位中产生中孔隙，而在以后的凹槽部位中产生纳米孔隙来作为辅助结构。此外还建议了一个基于一种或多种所述方法的半导体构件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
制造一种半导体构件、尤其是具有一个半导体载体的一种薄膜传感器的方法，其中为了形成用于该构件的无支护结构而制造了一个多孔的薄膜层和在该多孔薄膜层下面的一个凹槽，其特征在于，半导体载体（１）在多孔薄膜层（３）的部位中获得一种与以后的凹槽部位不同的掺杂；对于薄膜层的半导体材料进行多孔化；而且在多孔化的半导体材料下面的半导体材料为了制成凹槽（２）而被去除掉或局部去除掉并进行换位。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H本泽尔，H韦伯，H阿特曼恩，T帕内克，F沙弗，
申请(专利权)人：罗伯特博希股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]