微机电系统元件及微机电系统元件的制造方法技术方案

本发明专利技术的课题是，提供一种在结构体松脱工序中对布线不造成损伤、耐湿性良好且可靠性得到提高的ＭＥＭＳ元件和ＭＥＭＳ元件的制造方法。作为解决手段，在半导体衬底（１０）上形成由可动电极（１５）和固定电极（１６ａ、１６ｂ）构成的结构体（１８），且在结构体（１８）的周边部经层间绝缘膜（２０、２２）层叠布线（２１）的ＭＥＭＳ元件（１）中，在与结构体（１８）对置的层间绝缘膜（２０）、壁（２４、２５）和层间绝缘膜（２２）的表面上形成氮化硅膜（３０）。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＭＥＭＳ元件，其中，在半导体衬底上经层间绝缘膜层叠布线，所述层间绝缘膜的一部分被开口至所述半导体衬底上方，在该开口部内配置结构体，其特征在于：在与所述结构体对置的露出于所述开口部的所述层间绝缘膜的侧壁和所述层间绝缘膜的最上层表面形成氮化硅膜。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：稻叶正吾，佐藤彰，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]