一种微纳组合结构器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种微米／纳米组合结构器件的制作方法，包括：对一基体掺杂以形成一用作基体电极的掺杂层；成形一绝缘层并露出基体电极；淀积一牺牲层并露出基体电极；淀积一多晶硅层，并对多晶硅层进行掺杂；溅射一金属层；用多晶硅层和金属层成形出质量块、电极以及基座；其中，基座与质量块之间通过连接梁连接，质量块整体位于牺牲层之上；将质量块下方的牺牲层腐蚀去除，使得质量块悬空；将一维纳米材料固定在电极和质量块上；将基座与质量块之间的连接梁刻蚀去除。本发明专利技术集成成熟的ＭＥＭＳ工艺以及纳米材料组装技术来制作微米／纳米组合结构器件，其中组合结构中的ＭＥＭＳ微结构在工艺上易于实现，能够与ＩＣ工艺集成，实现批量生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微米／纳米组合结构器件的制作方法，包括提供一单晶硅片作为基体，然后沿同一方向在所述基体上顺序进行如下工艺步骤：１）对所述基体的上表面进行掺杂以形成一用作基体电极的掺杂层；２）成形一绝缘层，该绝缘层同时作为牺牲层刻蚀的停止层；将所述绝缘层中的一部分去除，以便露出所述基体电极；３）淀积一牺牲层，然后将该牺牲层中的一部分刻蚀去除，露出所述基体电极；４）淀积一多晶硅层，并对所述多晶硅层进行掺杂，使得所述多晶硅层可导电；５）溅射一金属层；６）光刻并刻蚀所述多晶硅层和所述金属层，使得所述多晶硅层和所述金属层成形出质量块、电极以及基座；其中，所述基座与质量块之间通过连接梁连接，所述质量块整体位于所述牺牲层之上；７）将所述质量块下方的牺牲层腐蚀去除，使得所述质量块悬空；８）将一维纳米材料固定在所述电极和质量块上，其中，所述一维纳米材料的两端固定在电极上，其中间部分固定在所述质量块上；９）将所述基座与质量块之间的连接梁刻蚀去除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周兆英，朱荣，王鼎渠，叶雄英，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]