一种具有高开关比的光开关的制备方法技术

技术编号:1323193 阅读:159 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种具有高开关比的光开关的制备方法,即向载有透明电极的基片上旋涂一层有机聚合物绝缘层,聚合物绝缘层的厚度为10~200nm,再在真空条件下热蒸发沉积顶端电极层,向透明电极和顶端金属电极之间施加2~30V的电压,以使纳米金属细丝在聚合物绝缘层中形成。本发明专利技术制备的光开关具有很高的开关比(>10↑[6])及很好的可逆性。本发明专利技术制备的光开关只需要很低强度的光(~10↑[-5]W/cm↑[2])来进行开关操作,制备光开关的过程简便易行,制备光开关所用的支撑层为聚合物绝缘层,使得该种光开关可以在有机电子器件领域有较广的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有高开关比的光开关的制备方法,其特征是向载有透明电极的基片上旋涂一层有机聚合物绝缘层,聚合物绝缘层的厚度为10~200nm,再把涂有聚合物绝缘层的玻璃基片置于真空腔内,覆盖以掩膜板,在真空条件下热蒸发沉积顶端电极层,向透明电极和顶端金属电极之间施加2~30V的电压,以使纳米金属细丝在聚合物绝缘层中形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李立东徐新军于贵魏大程狄重安刘云圻
申请(专利权)人:北京科技大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1