一种甘薯盆景的制作方法技术

本发明专利技术提供一种甘薯盆景的制作方法，包括以下步骤：(1)甘薯前处理；(2)催芽；(3)盆景栽培基质制备；(4)装盆；(5)造型；(6)盆景管理和维护；步骤(2)和步骤(3)之间无时间顺序限定。本发明专利技术所述方法的培养周期6-7个月，成品率55-65％，观赏时间可以达5-7个月。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种盆景的制作方法，尤其涉及。
技术介绍
人们生活水平的提高，带动了思想观念的转变，追求生活多元化、新鲜化和高品味成为潮流。追求环境美，渴望回归自然成为生活时尚，这为盆景走进千家万户奠定了基础，使人们足不出口就能领略到田园风光，饱尝大自然给人们带来的欢乐。盆景，是汉族优秀传统艺术之一，是以植物和山石为基本材料在盆内表现自然景观的艺术品。盆景的制作是以植物、山石、土、水等为材料，经过艺术创作和园艺栽培，在盆中典型、集中地塑造大自然的优美景色，达到缩龙成寸、小中见大的艺术效果，同时以景抒怀，表现深远的意境，犹如立体的美丽的缩小版的山水风景区。盆景种类繁多，有树粧盆景、山水盆景、草花盆景等，近两年南方出现了甘薯盆景，甘薯盆景是以甘薯为材料来制作盆景。形状各异，情趣别致，但是目前市场上的甘薯盆景做得都不够精致，也不系统。市售盆景的制作过程:将甘薯放到阴凉处，天天喷水，15天左右发芽，待芽长长后，依据甘薯具体性状造型，再把它放到好看的容器里，加上适量的清水，水需要经常更换，或者移栽到土壤当中，半个月左右浇一次水。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种系统的培养周期短、成品率、观赏时间长的甘薯盆景的制作方法。本专利技术提供了，包括以下步骤:(I)甘薯前处理:用70-80 %甲基托布津400-600倍稀释液浸泡甘薯0.5-2h; (2)催芽:将步骤(I)处理好的甘薯置于25-35°C进行暗培养，用生根粉给甘薯喷雾，每天3-4次，处理10-15天至甘薯生根，出芽；(3)盆景栽培基质制备:盆景栽培基质由普通土壤、有机肥和沙土组成；(4)装盆:将混好的栽培基质在盆底部平铺l-3cm厚，将处理好的甘薯放到盆内，四周填上栽培基质之后，浇水至全部栽培基质湿透，放于20-30°C条件下，光照培养；(5)造型:甘薯栽培后45-55天，依据茎叶长势和状态进行修剪造型；(6)盆景管理和维护:每隔15-20天浇一次水，每隔7-10天采用烟碱喷甘薯叶片。优选的，步骤(3)中所述的栽培基质，每盆栽培基质中添加20_40g多效唑与栽培基质混匀;步骤(3)中所述的栽培基质中有机肥的优选添加比例为3-10%，沙土的优选添加比例为5-15%，余量为普通土壤。步骤(I)所述的甘薯品种优选为兼抗甘薯茎线虫病、甘薯根腐病、甘薯黑斑病的品种。本专利技术还提供制作盆景用的甘薯的栽培管理方法，包括以下步骤:(I)深耕土壤:冬前土壤封冻前或开春土壤解冻后，深耕25?30cm，晾垡；(2)机械起垄:垄距70?80cm，垄高25?30cm，土壤容重1.1?1.3N/m3，垄为平顶，深沟大垄；(3)栽秧:晚霜以后，4月下旬开始到5月中旬进行栽秧，栽秧密度为2500?3000株/亩；(5)病虫害防控:用500倍70-80%甲基托布津浸泡基部10-20分钟防治黑斑病。用7.5-12.5%噻唑膦颗粒剂亩用量1.5-21^点穴防治茎线虫，吡虫啉亩用量50-15(^防治地下害虫;(6)栽植:刨大坑，每穴点水0.3-0.6L，趁水抹秧，水渗后呈湿土状，再用干土封垄面，利于保墒活苗；(7)田间管理①栽秧后杂草未出土前用30-35% 二甲戊乐灵乳油150-250ml，兑水35-45kg均匀喷雾封闭地面防除杂草；②栽后25-30天内进行中耕，深度为3?5cm，保持垄形并结合除草；③甘薯栽后55-60天封垄期有旺长势头时进行化学调控:喷8%缩节胺75?100g，或多效唑50g?80g，药液用量50kg，24小时内遇雨需重新喷药；(8)及时收获长到合适大小薯块，留下10-15cm的薯拐子;用铁锹将整株甘薯收获，保持薯块与薯拐子的原状，将周围土用水冲洗干净，装箱入窖保存。所述的甘薯品种的栽培管理方法，步骤(8)中所述甘薯的收获方法，优选为每个甘薯需单独收获，单独收获后对拐子进行造型处理。本专利技术的有益技术效果:本专利技术的技术方案采用系统培育的方式，可以造出造型更加奇特的盆景;本专利技术采用了病虫害及徒长防控技术，使得盆景的管理更简便，缩短了培养周期，所制得的甘薯盆景可观赏时间更长，成品率更高，本专利技术所述方法制备甘薯盆景的培养周期为6-7个月，成品率55-65%，观赏时间可以达5-7个月。【具体实施方式】本专利技术提供了，包括以下具体实施步骤:(I)甘薯前处理:用70-80%甲基托布津400-600倍稀释液浸泡甘薯0.5_2h； (2)催芽:将步骤(I)处理好的甘薯置于25-35 °C进行暗培养，用生根粉给甘薯喷雾，每天3-4次，处理10-15天至甘薯生根，出芽；(3)盆景栽培基质制备:盆景栽培基质由普通土壤、有机肥和沙土组成；(4)装盆:将混好的栽培基质在盆底部平铺l_3cm厚，将处理好的甘薯放到盆内，四周填上栽培基质之后，浇水至全部栽培基质湿透，放于25-30 °C条件下，光照培养；(5)造型:甘薯栽培后45-55天，依据茎叶长势和状态进行修剪造型；(6)盆景管理和维护:每隔15-20天浇一次水，每隔7-10天采用烟碱喷甘薯叶片。本专利技术在进行栽培前对甘薯进行前处理:用70-80%甲基托布津400-600倍稀释液浸泡甘薯0.5-2h。在本专利技术中，所述甘薯优选为兼抗甘薯茎线虫病、甘薯根腐病和甘薯黑斑病的品种，具体的可为冀薯982、济薯26、冀紫薯2号中的一种或几种。在本专利技术中，所述甲基托布津的质量浓度优选为70-80%，更优选为75% ;所述稀释液的稀释倍数优选为500倍;所述浸泡时间优选为lh。本专利技术所述催芽步骤，将甘薯置于25-35V进行暗培，用生根粉给甘薯喷雾，每天3-4次，处理10-15天至甘薯生根，出芽。本专利技术所述暗培养的温度优选为30°C，所述的生根粉优选为300倍稀释液，优选的每天喷雾生根粉4次，处理15天。本专利技术在对甘薯进行催芽的同时或催芽后，进行盆景栽培基质制备:盆景栽培基质由普通壤土、有机肥和沙土组成;所述壤土、有机肥和沙土的比例优选为有机肥的添加比例为5-10 %，沙土的添加比例为10-15 %，余量的壤土;更优选为有机肥的添加比例为5 %，沙土的添加比例为15 %，余量的壤土;在本专利技术中，每盆栽培基质中优选添加20-40g多效唑与栽培基质混匀。本专利技术所述的装盆步骤:将混好的栽培基质在盆底部平铺l_3cm厚，将处理好的甘薯放到盆内，四周填上栽培基质之后，浇水至全部栽培基质湿透，放于25-30°C条件下，光照培养;所述的栽培基质优选的在盆地平铺2cm厚，所述的光照培养优选的温度为25°C。本专利技术在甘薯栽培后45-55天，依据茎叶长势和状态进行修剪造型;造型后对盆栽进行管理和维护:每隔15-20天浇一次水，每隔7-10天采用烟碱喷甘薯叶片。优选的每隔15天浇一次水，每隔10天采用烟碱喷甘薯叶片。在本专利技术中，所述盆栽用甘薯优选由包括以下步骤的方法制备得到:(I)深耕土壤:冬前土壤封冻前或开春土壤解冻后，深耕25?30cm，晾垡；(2)机械起垄:垄距70?80cm，垄高25?30cm，土壤容重1.1?1.3N/V，垄为平顶，深沟大垄；(3)栽秧:晚霜以后，4月下旬开始到5月中旬进行栽秧，栽秧密度为2500?3000株/亩；(5)病虫害防控:用400-600倍质量浓度70-80%甲基托布津浸泡基部10-20分钟防治黑斑病，用7.5-12.5%噻唑膦颗粒剂亩用量1.5-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种甘薯盆景的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)甘薯前处理：用70‑80％甲基托布津400‑600倍稀释液浸泡甘薯0.5‑2h；(2)催芽：将步骤(1)处理好的甘薯置于25‑35℃进行暗培养，用生根粉给甘薯喷雾，每天1次，处理10‑15天至甘薯生根，出芽；(3)盆景栽培基质制备：盆景栽培基质包括壤土、有机肥和沙土；(4)装盆：将混好的栽培基质在盆底部平铺1‑3cm厚，将处理好的甘薯放到盆内，四周填上栽培基质之后，浇水至全部栽培基质湿透，放于25‑30℃条件下，光照培养；(5)造型：甘薯栽培后45‑55天，依据茎叶长势和状态进行修剪造型；(6)盆景管理和维护：每隔15‑20天浇一次水，每隔7‑10天采用烟碱喷甘薯叶片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张松树，马志民，刘兰服，胡亚亚，焦伟静，
申请(专利权)人：河北省农林科学院粮油作物研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13