本发明专利技术的陶瓷布线基板(1)具备陶瓷基板(10)和内部导体(20)。内部导体(20)配置于陶瓷基板(10)内。陶瓷基板(10)包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料。第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数。第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及陶瓷布线基板、陶瓷布线基板用陶瓷生坯片及陶瓷布线基板用玻璃陶瓷粉末。
技术介绍
以往，在检查半导体晶片时，在半导体晶片上配置探针卡，经由探针卡将半导体晶片电连接于测试器。探针卡通常具有：与半导体晶片接触的测试头、与测试器连接的印刷陶瓷布线基板、和将印刷陶瓷布线基板与测试头连接的被称作插入基板的陶瓷布线基板。例如在专利文献1中记载了由包含玻璃的低温烧成陶瓷形成的陶瓷布线基板作为能够低温烧成的陶瓷布线基板。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-074823号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题印刷陶瓷布线基板的电极垫间距离比测试头的电极垫间距离大。在插入基板的一侧的主面设有与印刷陶瓷布线基板的电极垫相对应的电极垫，在另一侧的主面上设有与测试头的电极垫相对应的电极垫。它们中的一个主面侧的电极垫与另一主面侧的电极垫被内部导体连接。因此，在插入基板中重要的是两主面的电极垫的位置精度高。另外，使用探针卡的检查在例如-40℃～+125℃的宽泛温度范围进行。因此，优选的是：在检查温度发生变化时，以使插入基板的电极垫间距离与测试头、印刷陶瓷布线基板等的电极垫间距离之间不出现差异的方式，使插入基板的热膨胀系数近似于测试头、刷陶瓷布线基板的热膨胀系数。因此，插入基板优选由能够根据使用环境调解热膨胀系数的材料形成。另外，通常，测试头的热膨胀系数与半导体晶片的热膨胀系数近似。因此，还迫切期望将插入基板的热膨胀系数减小至半导体晶片的热膨胀系数程度。然而，在专利文献1记载的陶瓷布线基板中，存在难以实现像半导体晶片的热膨胀系数那样低的热膨胀系数的问题。进而，还迫切期望要确保插入基板的机械强度。本专利技术的主要目的在于提供能够低温烧成、能够将热膨胀系数调低且机械强度高的陶瓷布线基板。用于解决技术问题的手段本专利技术的陶瓷布线基板具备陶瓷基板和内部导体。内部导体配置在陶瓷基板内。陶瓷基板包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料。第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数。第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。在本专利技术的陶瓷布线基板中，优选的是：第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数为-8～+5ppm/℃，第二陶瓷填料的3点弯曲强度为400～800MPa。在本专利技术的陶瓷布线基板中，优选的是：陶瓷基板包含3种以上的陶瓷填料，在3种以上的陶瓷填料中，第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数最低，在3种以上的陶瓷填料中，各个陶瓷填料的3点弯曲强度最高。在本专利技术的陶瓷布线基板中，优选的是：陶瓷基板由玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料构成。在本专利技术的陶瓷布线基板中，优选的是：第一陶瓷填料为硅锌矿填料，第二陶瓷填料为氧化铝填料。在本专利技术的陶瓷布线基板中，优选的是：玻璃与氧化铝填料及硅锌矿填料的质量比(玻璃：氧化铝填料及硅锌矿填料)为30：70～65：35的范围内，氧化铝填料与硅锌矿填料的质量比(氧化铝填料：硅锌矿填料)为20：80～60：40的范围内。硅锌矿填料的平均粒径优选小于氧化铝填料的平均粒径。玻璃优选为硼硅酸玻璃。玻璃优选以质量％计包含SiO260～80％、B2O310～30％、Li2O+Na2O+K2O1～5％及MgO+CaO+SrO+BaO0～20％作为玻璃组成。陶瓷基板在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数优选为4ppm/℃以下。本专利技术的陶瓷布线基板用陶瓷生坯片包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料，第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数，第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。本专利技术的陶瓷布线基板用玻璃陶瓷粉末包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料，第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数，第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。专利技术效果根据本专利技术，可以提供能够低温烧成、能够将热膨胀系数调低且机械强度高的陶瓷布线基板。附图说明图1为本专利技术的一个实施方式的陶瓷布线基板的示意性剖视图。图2为表示陶瓷基板的玻璃与填料的质量比(玻璃的质量百分率)、与陶瓷布线基板的相对密度及机械强度的关系的图表。具体实施方式以下，对实施本专利技术的优选实施方式的一例进行说明。但是，下述的实施方式仅为例示。本专利技术并不受下述的实施方式的任何限定。图1为本实施方式的陶瓷布线基板的示意性剖视图。图1所示的陶瓷布线基板1通常可以使用要求热膨胀系数小且机械强度高的陶瓷布线基板。陶瓷布线基板1可以作为例如探针卡的插入基板来使用。陶瓷布线基板1具有陶瓷基板10。陶瓷基板10具有第一主面10a及第二主面10b。陶瓷基板10由多个陶瓷层11的层叠体构成。在陶瓷基板10的内部配置有多个内部导体20。各个内部导体20具有：位于相邻的陶瓷层11之间的层间电极21、贯穿陶瓷层11且将隔着陶瓷层11而在陶瓷层11的层叠方向对置的层间电极21彼此连接的通孔电极22。多个内部导体20跨设于陶瓷基板10的第一主面10a与第二主面10b。内部导体20的第一主面10a侧的端部与设置于第一主面10a上的电极垫31连接。内部导体20的第二主面10b侧的端部与设置于第二主面10b上的电极垫32连接。相邻的电极垫32间的距离比相邻的电极垫31间的距离长。因此，在使用陶瓷布线基板1作为插入基板的情况下，测试头连接于第二主面10b侧，印刷陶瓷布线基板连接于第一主面10a侧。予以说明，内部导体20及电极垫31、32可以由适当的导电材料构成。内部导体20及电极垫31、32可以分别由例如Pt、Au、Ag、Cu、Ni、Pd等金属中的至少一种构成。陶瓷基板10由包含玻璃的低温烧成陶瓷构成。具体而言，陶瓷基板10包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料。而且，第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数。第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于第一陶瓷填料的3点弯曲强度。玻璃本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种陶瓷布线基板，其具备陶瓷基板和配置于所述陶瓷基板内的内部导体，所述陶瓷基板包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料，所述第一陶瓷填料在‑40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于所述第二陶瓷填料在‑40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数，所述第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于所述第一陶瓷填料的3点弯曲强度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.09.30 JP 2013-204765;2014.08.29 JP 2014-175341.一种陶瓷布线基板，其具备陶瓷基板和配置于所述陶瓷基板内的内
部导体，
所述陶瓷基板包含玻璃、第一陶瓷填料及第二陶瓷填料，
所述第一陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数低于
所述第二陶瓷填料在-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数，
所述第二陶瓷填料的3点弯曲强度高于所述第一陶瓷填料的3点弯曲
强度。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中，所述第一陶瓷填料在
-40℃～+125℃的温度范围下的热膨胀系数为-8～+5ppm/℃，
所述第二陶瓷填料的3点弯曲强度为400～800MPa。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基板，其中，所述陶瓷基板包含3
种以上的陶瓷填料，
在所述3种以上的陶瓷填料中，所述第一陶瓷填料在-40℃～+125℃
的温度范围下的热膨胀系数最低，
在所述3种以上的陶瓷填料中，各个陶瓷填料的3点弯曲强度最高。
4.根据权利要求1或2所述的陶瓷基板，其中，所述陶瓷基板由玻璃、
第一陶瓷填料及第二陶瓷填料构成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的陶瓷布线基板，其中，所述第
一陶瓷填料为硅锌矿填料，所述第二陶瓷填料为氧化铝填料。
6.根据权利要求5所述的陶瓷布线基板，其中，所述玻璃与所述氧化
铝填料及所述硅锌矿填料的质量比即所述玻璃：所述氧化铝...
【专利技术属性】
技术研发人员：马屋原芳夫，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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