本发明专利技术提供一种基于半模基片集成波导结构的双通带差分带通滤波器，包括介质基板、上表面金属层和下表面金属层，介质基板上有贯穿于介质基板的金属化通孔阵列，所述金属化通孔阵列、上表面金属层与下表面金属层围成两个半模谐振腔。与传统基片集成波导滤波器的实现相比，在保持原有性能的前提下，尺寸减小了一半。通过添加电磁带隙结构，产生一个传输零点，同时在虚拟带通中产生了一个阻带，便形成了双通带结构。而且传输零点的频率大小可以通过改变电磁带隙结构的尺寸大小来调节。本发明专利技术有效地减少了滤波器的尺寸，便于系统集成化。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及双通带差分滤波器，特别涉及一种半模基片集成波导双通带差分带通滤波器
技术介绍
滤波器是电路系统重要的基本单元电路之一，广泛应用于微波通信、雷达导航、电子对抗、卫星通信、弹道制导、测试仪表等系统中，是微波和毫米波系统中不可缺少的重要器件。它性能的优劣往往直接影响整个通信系统的性能指标。在实际工程应用中，从滤波器技术指标的给定到加工成品所要求的时间将越来越短，快速准确的设计出高性能的微波滤波器将是工程设计和市场竞争的必然趋势，设计性能高、体积小、成本低和缩短滤波器研制周期，是市场竞争的必然要求。电磁带隙(EBG)结构是一种新型的人工电磁材料，已经在微波领域得到广泛的研究与应用，用以实现高性能的微波器件。基于基片集成波导的半模基片集成波导(HMSIW)技术在基片集成波导(SIW)技术的基础上进一步减小了滤波器的尺寸，半模基片集成波导的滤波器体积更小，同时保持了尚性能、1? Q值、低损耗、低成本、易于集成的优点。基于以上背景，本文提出了基于半模基片集成波导结构的双通带差分带通滤波器，具有更好的共模抑制水平。
技术实现思路
所专利技术的目的在于设计一款尺寸小且具有双通带的差分带通滤波器。本专利技术的上述目的通过独立权利要求的技术特征实现，从属权利要求以另选或有利的方式发展独立权利要求的技术特征。为达成上述目的，本专利技术所采用的技术方案如下:一种基于半模基片集成波导结构的双通带的差分带通滤波器，其包括介质基板，以及设置在介质基板表面的上表面金属层和下表面金属层，介质基板具有一水平轴线和垂直轴线，垂直轴线与信号的传输方向相同，其中:所述介质基板、上表面金属层和下表面金属层上形成有多个贯穿的金属化通孔，金属化通孔在上表面金属层和下表面金属层表面组成通孔阵列，所述通孔阵列、上表面金属层与下表面金属层围成两个半模谐振腔，分别为第一半模谐振腔和第二半模谐振腔，第一半模谐振腔和第二半模谐振腔关于水平轴线对称，且第一半模谐振腔与第二半模谐振腔邻接的位置形成有第一耦合窗口和第二耦合窗口；所述上表面金属层的边缘上关于所述第一耦合窗口的水平对称位置形成有第一电磁带隙、第二电磁带隙，且关于所述第二耦合窗口的水平对称位置形成有第三电磁带隙和第四电磁带隙；所述第一半模谐振腔和第二半模谐振腔两侧的开口位置设置四根馈线，分别为第一馈线、第二馈线、第三馈线和第四馈线，用于信号传输。根据本专利技术的另一方面还提出一种上述基于半模基片集成波导结构的双通带的差分带通滤波器的实现方法，其制作过程包括以下步骤:在一介质基板的两个表面上分别安装上表面金属层和下表面金属层，前述介质基板的垂直轴线与信号的传输方向相同；在所述介质基板、上表面金属层和下表面金属层表面形成多个贯穿的金属化通孔，通过金属化通孔在上表面金属层和下表面金属层表面组成通孔阵列，通过所述通孔阵列、上表面金属层与下表面金属层围包形成两个半模谐振腔，分别为第一半模谐振腔和第二半模谐振腔，其中，第一半模谐振腔和第二半模谐振腔被设置成关于水平轴线对称，且在第一半模谐振腔与第二半模谐振腔邻接的位置形成有第一耦合窗口和第二耦合窗口 ；在所述上表面金属层的边缘上关于所述第一耦合窗口的水平对称位置形成第一电磁带隙、第二电磁带隙，且在关于第二耦合窗口的水平对称位置形成第三电磁带隙和第四电磁带隙；在所述第一半模谐振腔和第二半模谐振腔两侧的开口位置设置四根馈线，分别为第一馈线、第二馈线、第三馈线和第四馈线，用于信号传输。【附图说明】图1为本专利技术一实施方式基于半模基片集成波导结构的双通带的差分带通滤波器的结构示意图。图2为图1实施例的基于半模基片集成波导结构的双通带的差分带通滤波器的侧视图。图3为根据图1实施方式实现的基片集成波导结构的双通带的差分带通滤波器的一个带尺寸标示的示例。图4为传输零点随12变化趋势图。图5为双通带差分带通滤波器差模相应图。图6为双通带差分带通滤波器共模相应图【具体实施方式】为了更了解本专利技术的
技术实现思路
，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。如图1结合图2所示，根据本专利技术的较优实施例，一种基于半模基片集成波导结构的差分带通滤波器，其包括介质基板6，以及设置在介质基板6表面的上表面金属层1和下表面金属层7，介质基板6具有一水平轴线L1和垂直轴线L2，垂直轴线L2与信号的传输方向相同。所述介质基板6、上表面金属层1和下表面金属层7上形成有多个贯穿的金属化通孔2，金属化通孔2在上表面金属层1和下表面金属层7表面组成通孔阵列，所述通孔阵列、上表面金属层1与下表面金属层7围成两个半模谐振腔，分别为第一半模谐振腔31和第二半模谐振腔32，第一半模谐振腔31和第二半模谐振腔32关于水平轴线L1对称，且第一半模谐振腔31与第二半模谐振腔32邻接的位置形成有第一耦合窗口 C1和第二耦合窗P C2o作为优选，所述金属通孔2的直径是0.8mm,两相邻通孔间距离是1.2mm。作为优选，所述介质基板6采用R05880型号，介电常数为2.2，厚度为0.508mm。所述上表面金属层1的边缘上关于所述第一耦合窗口 C1的水平对称位置形成有第一电磁带隙41、第二电磁带隙42，且关于所述第二耦合窗口 C2的水平对称位置形成有第三电磁带隙43和第四电磁带隙44。所述第一半模谐振腔31和第二半模谐振腔32两侧的开口位置设置四根馈线，分别为第一馈线51、第二馈线52、第三馈线53和第四馈线54，用于信号传输。优选地，参考图1所不，本实施例中，所述第一親合窗口 C1与第二親合窗口 C2的长度相同。优选地，所述第一親合窗口 C1和第二親合窗口 C2被设置成关于垂直轴线L2对称。优选地，所述第一电磁带隙41、第二电磁带隙42、第三电磁带隙43和第四电磁带隙44的结构相同。本公开还涉及一种前述半模基片集成波导结构的差分带通滤波器的制造方法，其实现包括以下步骤:在一介质基板6的两个表面上分别安装上表面金属层1和下表面金属层7，前述介质基板6的垂直轴线L2与信号的传输方向相同；在所述介质基板6、上表面金属层1和下表面金属层7表面形成多个贯穿的金属化通孔2，通过金属化通孔2在上表面金属层1和下表面金属层7表面组成通孔阵列，通过所述通孔阵列、上表面金属层1与下表面金属层7围包形成两个半模谐振腔，分别为第一半模谐振腔31和第二半模谐振腔32，其中，第一半模谐振腔31和第二半模谐振腔32被设置成关于水平轴线L1对称，且在第一半模谐振腔31与第二半模谐振腔32邻接的位置形成有第一親合窗口 C1和第二親合窗口 C2 ；在所述上表面金属层1的边缘上关于所述第一耦合窗口 C1的水平对称位置形成第一电磁带隙41、第二电磁带隙42，且在关于第二耦合窗口 C2的水平对称位置形成第三电磁带隙43和第四电磁带隙44 ;在所述第一半模谐振腔31和第二半模谐振腔32两侧的开口位置设置四根馈线，分别为第一馈线51、第二馈线52、第三馈线53和第四馈线54，用于信号传输。如前所述，在本制当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种基于半模基片集成波导结构的双通带差分带通滤波器，其特征在于，包括介质基板(6)，以及设置在介质基板(6)表面的上表面金属层(1)和下表面金属层(7)，介质基板(6)具有一水平轴线(L1)和垂直轴线(L2)，垂直轴线(L2)与信号的传输方向相同，其中：所述介质基板(6)、上表面金属层(1)和下表面金属层(7)上形成有多个贯穿的金属化通孔(2)，金属化通孔(2)在上表面金属层(1)和下表面金属层(7)表面组成通孔阵列，所述通孔阵列、上表面金属层(1)与下表面金属层(7)围成两个半模谐振腔，分别为第一半模谐振腔(31)和第二半模谐振腔(32)，第一半模谐振腔(31)和第二半模谐振腔(32)关于水平轴线(L1)对称，且第一半模谐振腔(31)与第二半模谐振腔(32)邻接的位置形成有第一耦合窗口(C1)和第二耦合窗口(C2)；所述上表面金属层(1)的边缘上关于所述第一耦合窗口(C1)的水平对称位置形成有第一电磁带隙(41)、第二电磁带隙(42)，且关于所述第二耦合窗口(C2)的水平对称位置形成有第三电磁带隙(43)和第四电磁带隙(44)；所述第一半模谐振腔(31)和第二半模谐振腔(32)两侧的开口位置设置四根馈线，分别为第一馈线(51)、第二馈线(52)、第三馈线(53)和第四馈线(54)，用于信号传输。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈义进，周恺，黄姗姗，李骏，康炜，吴文，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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