有机发光二极管显示装置制造方法及图纸

公开了一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：基底；扫描线，被构造为传递扫描信号；数据线和驱动电压线，被构造为分别传递数据电压和驱动电压；开关晶体管，包括被构造为输出数据电压的开关漏电极；驱动晶体管，包括与开关漏电极连接的驱动栅电极；存储电容器，包括与驱动栅电极连接的第一存储电极和与驱动电压线连接的第二存储电极；有机发光二极管，与驱动晶体管的驱动漏电极连接。存储电容器包括：连接器，其中，第二存储电极的边缘沿朝向第二存储电极的中心的方向从第一存储电极的边缘偏离；存储补偿器，面对连接器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光二极管显示装置。
技术介绍
有机发光二极管包括两个电极和位于它们之间的有机发射层。当从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在有机发射层中彼此结合以形成激子并且激子释放能量时，有机发光二极管发光。有机发光二极管显示装置包括多个像素，所述多个像素包括作为自发射元件的有机发光二极管，在每个像素中，形成用于驱动有机发光二极管的多个晶体管和一个或更多个电容器。所述多个晶体管基本上包括开关晶体管和驱动晶体管。有机发光二极管显示装置的布线图案可以通过使用光刻工艺形成。曝光工艺(光刻工艺的一部分)中使用的曝光扫描仪的多个透镜会在其端部彼此叠置，曝光量在透镜的叠置部分会是不均匀的。在这种情况下，布线图案会从待形成布线图案的位置(例如，预定的位置)移位(例如，移动预定的距离)，并且会发生与形成在其下或其上的布线的叠置距离变化的覆盖改变(overlay change) 0根据覆盖改变，存储电容可能改变，结果，在像素中流动的电流是不均匀的并且会产生斑点。在这个
技术介绍
部分中公开的以上信息仅为了增强对本专利技术的背景的理解，因此它可能包含不形成本领域普通技术人员在本国已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的多个方面提供了可以减少(或防止)由于覆盖改变造成的斑点的有机发光二极管显示装置。本公开的示例性实施例提供了一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括:基底；扫描线，位于基底上并被构造为传递扫描信号；数据线和驱动电压线，与扫描线交叉并被构造为分别传递数据电压和驱动电压；开关晶体管，与扫描线和数据线连接并且包括被构造为输出数据电压的开关漏电极；驱动晶体管，包括与开关漏电极连接的驱动栅电极；存储电容器，包括与驱动栅电极连接的第一存储电极和与驱动电压线连接的第二存储电极；有机发光二极管，与驱动晶体管的驱动漏电极电连接。存储电容器包括:连接器，其中，第二存储电极的边缘沿朝向第二存储电极的中心的方向从第一存储电极的边缘偏离；存储补偿器，面对连接器。存储电容器还可以包括主部分，其中，第二存储电极的边缘与第一存储电极的边缘隔开主余量宽度，以沿远离第二存储电极的中心的方向从第一存储电极的边缘偏离，在存储补偿器中，第二存储电极的边缘可以与第一存储电极的边缘隔开补偿余量宽度，以沿朝向第二存储电极的中心的方向从第一存储电极的边缘偏离。主余量宽度可以是第一存储电极的边缘的工艺余量和第二存储电极的边缘的工艺余量的总和。补偿余量宽度可以具有从小于主余量宽度的1%的宽度至与主余量宽度相同的宽度的范围。存储补偿器可以包括第一存储电极的第一切角部分和第二存储电极的第二切角部分。第二切角部分可以与第一切角部分隔开补偿余量宽度，以沿朝向第二存储电极的中心的方向从第一切角部分偏离。存储补偿器可以在对角线上面对连接器。存储补偿器可以包括第一存储电极的第一角和第二存储电极的第二角。第二角可以与第一角隔开补偿余量宽度，以沿朝向第二存储电极的中心的方向从第一角偏离。存储补偿器可以包括第一存储电极的第一侧和第二存储电极的第二侧。第二侧可以与第一侧隔开补偿余量宽度，以沿朝向第二存储电极的中心的方向从第一侧偏离。连接器可以包括第一存储电极的第三角和第二存储电极的第三切角部分。有机发光二极管显示装置还可以包括:半导体，位于基底上，并包括彼此隔开的开关晶体管的开关沟道和驱动晶体管的驱动沟道，驱动沟道可以与驱动栅电极叠置。第一存储电极可以与驱动栅电极对应，第二存储电极可以与数据线和驱动电压线位于同一层上。 驱动沟道可以具有至少一个弯曲的部分。所述有机发光二极管显示装置还可以包括:补偿晶体管，包括作为扫描线的一部分的补偿栅电极以及半导体中的补偿源电极和补偿漏电极；第一数据连接器，与数据线位于同一层上并且连接第一存储电极和补偿漏电极。第一数据连接器可以与第一存储电极的第三角连接。驱动电压线可以包括与数据线平行的第一驱动电压线和与数据线交叉的第二驱动电压线，第一驱动电压线可以与数据线位于同一层上，第二驱动电压线可以与扫描线位于同一层上。根据本公开的示例性实施例，通过形成位于存储电容器中以面对连接单元的存储补偿单元，当形成第一存储电极或第二存储电极时，即使由于曝光量的不均匀而发生覆盖改变，存储电容也可以基本上保持与之前相同。另外，第二存储电极以与驱动电压线和数据线的材料相同的材料形成并与数据线形成在同一层上，结果，可以减少至少一个掩模来制造有机发光二极管显示装置。【附图说明】图1是根据本专利技术的示例实施例的有机发光二极管显示装置的一个像素的等效电路图。图2是施加到根据本专利技术的示例实施例的有机发光二极管显示装置中的一个像素的信号的时序图。图3是示意性地示出根据本专利技术的示例实施例的有机发光二极管显示装置中的多个晶体管和电容器的示图。图4是图3的详细布局图。图5是示出图4的存储电容器的放大布局图。图6是示出当根据本专利技术的示例实施例的有机发光二极管显示装置中发生第二存储电极的覆盖改变时的存储电容器的放大布局图。图7是沿线VI1-VII截取的图4的有机发光二极管显示装置的剖视图。图8是沿线VII1-VIII截取的图4的有机发光二极管显示装置的剖视图。图9是沿线IX-1X截取的图4的有机发光二极管显示装置的剖视图。图10是根据本专利技术的另一示例实施例的有机发光二极管显示装置的布局图。图11是示出图10的存储电容器的放大布局图。图12是示出当图11中发生第二存储电极的覆盖改变时的存储电容器的放大布局图。图13是根据本专利技术的又一示例实施例的有机发光二极管显示装置的布局图。图14是示出当图13中发生第二存储电极的覆盖改变时的存储电容器的放大布局图。【具体实施方式】在下文中，将参照附图对示例实施例进行更详细的描述，在附图中，同样的附图标记始终指示同样的元件。然而，本专利技术可以以各种不同的形式实施，并且不应该被解释为仅限于在此示出的实施例。相反地，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达本专利技术的方面和特征。因此，可以不描述对于完全理解本专利技术的方面和特征的对本领域普通技术人员来说不必要的工艺、元件和技术。除非另有注释，否则同样的附图标记在附图和书面描述中始终表示同样的元件，因此，将不重复对其的描述。在附图中，为了清晰起见，可以夸大元件、层、膜、面板和区域的相对尺寸和厚度。因此，附图和描述在本质上被认为是说明性的而非限制性的。将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件、组件、区域、层或部分可被称作第二元件、组件、区域、层或部分。这里可以使用空间相对术语(诸如“在……之下”、“在……下面”、“下面的”、“在……下方”、“在……上面”、“上面的”等)来易于解释描述附图中示出的一个元件或特征与另一个或多个元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包含除了在附图中描述的方位之外的在使用或操作中的装置的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括：基底；扫描线，位于所述基底上并被构造为传递扫描信号；数据线和驱动电压线，与所述扫描线交叉并被构造为分别传递数据电压和驱动电压；开关晶体管，与所述扫描线和所述数据线连接并且包括被构造为输出所述数据电压的开关漏电极；驱动晶体管，包括与所述开关漏电极连接的驱动栅电极；存储电容器，包括与所述驱动栅电极连接的第一存储电极和与所述驱动电压线连接的第二存储电极；以及有机发光二极管，与所述驱动晶体管的驱动漏电极电连接，其中，所述存储电容器包括：连接器，其中，所述第二存储电极的边缘沿朝向所述第二存储电极的中心的方向从所述第一存储电极的边缘偏离；存储补偿器，面对所述连接器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卞昌洙，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR