公开了各种方法和装置。在方法的一些实施例中，经由第一转换速率调节器向推挽式电路的第一晶体管的输入提供输入信号；以及经由第二转换速率调节器向推挽式电路的第二晶体管的输入提供输入信号。当输入信号的幅度增加时，输入信号被第一转换速率调节器和第二转换速率调节器影响以在第二晶体管关断之后将第一晶体管导通。当输入信号的幅度减少时，输入信号被第一转换速率调节器和第二转换速率调节器影响以在第一晶体管关断之后将第二晶体管导通。在一些实施例中，装置包括：推挽式电路，推挽式电路包括第一晶体管和第二晶体管；用于接收输入信号的输入；被适配成向第一晶体管的输入提供输入信号的第一转换速率调节器；以及被适配成向第二晶体管的输入提供输入信号的第二转换速率调节器。第一转换速率调节器的时间常数取决于输入信号的改变的方向，并且第二转换速率调节器的时间常数取决于输入信号的改变的方向。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在包括以推挽式配置布置的第一晶体管和第二晶体管的装置中的方法以及包括以推挽式配置布置的第一晶体管和第二晶体管的装置。
技术介绍
本部分旨在为在权利要求中列举的本专利技术提供背景或上下文。本文中的描述可以包括能够被追求的概念，但是不一定是之前已经被构想或追求的那些概念。因此，除非在本文中另有指示，在该部分中描述的内容不是在本申请中的描述和权利要求的现有技，并且不因包括在该部分中而被承认是现有技术。在一些能够通过发射器发射信号的装置中，可以利用在信号被馈送到天线之前将待发射的信号放大的放大器。这种放大器可以利用所谓的推挽式配置(电路)，其中两个晶体管以某种方式连接在一起。晶体管是可以具有例如一个输入和两个输出的半导体元件。对于双极型晶体管，输入可以被称为基极并且输出端口可以被称为发射极和集电极。对于诸如MOSFET(硅上金属氧化物场效应晶体管)的场效应晶体管(FET)，输入可以被成为栅极并且输出可以被成为源极和漏极。在推挽式电路中，晶体管中的一个是pnp类型的(或P型)并且另一个晶体管是npn类型的(或η型)。理想地，当输入超过某个电压电平时，晶体管中的一个向负载推电流以及当输入低于该电压电平时，另一个晶体管从负载拉电流。然而，在实际实施中，可能发生:当输入接近该电压电平时，两个晶体管可能都是激活的，即一个晶体管向源推电流并且另一个晶体管同时从负载拉电流。这在推挽式电路的输出处导致电流尖刺，这可能扰乱放大的信号并且增加功率损耗。该电流也可以被称为泄漏电流，因为它不去向负载而是从一个晶体管到另一个晶体管泄漏。推挽式电路也被用在放大器之外的许多其他电路中。例如，它可以被用在例如数字集成电路中，例如作为输出端口或者被用在内部逻辑电路中或者作为半导体开关。
技术实现思路
各种实施例提供了用于在推挽式电路中降低泄漏电流的方法和装置。在一些实施例中，经由第一转换速率调节器向推挽式电路的第一晶体管的输入提供输入信号，并且经由第二转换速率调节器向该推挽式电路的第二晶体管的输入提供输入信号。第一转换速率调节器和第二转换速率调节器的时间常数取决于输入信号的改变的方向。换句话说，当输入信号增加(即输入信号的幅度变得更正)时，在晶体管的输入处的电压根据输入信号的改变的方向以不同的速度改变。在详细的描述中提供本专利技术的示例的各个方面。根据第一方面，提供了一种方法，包括:经由第一转换速率调节器向推挽式电路的第一晶体管的输入提供输入信号；经由第二转换速率调节器向该推挽式电路的第二晶体管的输入提供输入信号；当输入信号的幅度增加时，通过第一转换速率调节器和第二转换速率调节器影响输入信号以在第二晶体管关断之后将第一晶体管导通;以及当输入信号的幅度减少时，通过第一转换速率调节器和第二转换速率调节器影响输入信号以在第一晶体管关断之后将第二晶体管导通。根据第二方面，提供了一种装置，包括:推挽式电路，包括第一晶体管和第二晶体管；输入，用于接收输入信号；第一转换速率调节器，被适配成向第一晶体管的输入提供输入信号；第二转换速率调节器，被适配成向第二晶体管的输入提供输入信号；其中第一转换速率调节器的时间常数取决于输入信号的改变的方向，并且第二转换速率调节器的时间常数取决于输入信号的改变的方向。根据第三方面，提供了一种装置，包括:用于接收输入信号的装置；用于向推挽式电路的第一晶体管的输入提供作为经低通滤波的信号的输入信号的装置；用于向推挽式电路的第二晶体管的输入提供作为经低通滤波的信号的输入信号的装置；用于向第一晶体管的输入提供输入信号的装置，包括用于根据输入信号的改变的方向而布置转换速率调节器的时间常数的装置;以及用于向第二晶体管的输入提供输入信号的装置，包括用于取决于输入信号的改变的方向而布置转换速率调节器的时间常数的装置。在一些实施例中，第一晶体管和第二晶体管是mosfet晶体管，其中晶体管的输入是mosfet晶体管的栅极。在一些实施例中，第一转换速率调节器包括第一电阻器、第一二极管和第一电容器，并且第二转换速率调节器包括第二电阻器、第二二极管和第二电容器。在一些实施例中，电阻器和二极管并联连接。在一些实施例中，二极管是肖特基二极管。在一些实施例中，电容器被连接在栅极和晶体管的输出之间。在一些实施例中，晶体管的寄生电容被用作转换速率调节器的电容器。反对称转换速率调节可以降低或者甚至消除经过推挽式电路的泄漏电流，因为两个晶体管不同时处于激活状态。【附图说明】为了更完整的理解本专利技术的示例实施例，现在参考结合着附图的以下描述，其中:图1示出了根据示例实施例的装置的框图；图2示出了根据示例实施例的装置；图3示出了包括多个装置、网络和网络元件的无线通信的布置；图4a示出了推挽式配置的原理；图4b示出了图4a的装置的操作的时序图的示例；图5a示出了根据示例实施例的装置的简化的框图；图5b示出了图5a的装置的操作的时序图的示例；图5c示出了图5a的装置的操作的时序图的另一示例；图6示出了根据另一示例实施例的装置的简化的框图；图7示出了其中装置被用作输出端口的电路的示例；图8示出了其中装置被用作耦合到天线的功率放大器的电路的示例；以及图9描绘了根据实施例的方法。【具体实施方式】以下的实施例是示例性的。尽管说明书在几个位置可以参考“一”、“一个”或“一些”实施例，这不一定意味着每个这种参考是参考相同的实施例，或者该特征仅适用于单个实施例。不同的实施例的单个的特征还可以被组合以提供其他实施例。下文更详细地描述了用于实施本专利技术的实施例的合适的装置和可能的机构。在这一点上，首先参考示出根据本专利技术的实施例的在图2中描绘的示例性装置或者电子设备50的示意框图的图1，其可以合并接收器前端。电子设备50例如可以是移动终端或无线通信系统的用户设备。然而，应当理解，可以在可能需要接收射频信号的任意的电子设备或装置内实施本专利技术的实施例。装置50可以包括用于合并和保护设备的外壳30。装置50可以进一步包括液晶显示器形式的显示器32。在本专利技术的其他实施例中，显示器可以是适于显示图像或视频的任何合适的显示技术。装置50可以进一步包括按键34。在本专利技术的其当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种方法，包括：经由第一转换速率调节器向推挽式电路的第一晶体管的输入提供输入信号；经由第二转换速率调节器向所述推挽式电路的第二晶体管的输入提供所述输入信号；当所述输入信号的幅度增加时，通过所述第一转换速率调节器和所述第二转换速率调节器影响所述输入信号以在所述第二晶体管关断之后将所述第一晶体管导通；以及当所述输入信号的幅度减少时，通过所述第一转换速率调节器和所述第二转换速率调节器影响所述输入信号以在所述第一晶体管关断之后将所述第二晶体管导通。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：李磊，
申请(专利权)人：诺基亚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：芬兰;FI
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