量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置。量子点发光器件包括基板、阳极、空穴注入和空穴传输层、量子点发光层、电子注入和电子传输层及阴极，阳极设置在基板上，阳极与阴极设置在基板的同侧，且相对且间隔设置，空穴注入和空穴传输层、量子点发光层及电子注入和电子传输层依次夹设在阳极和阴极之间，空穴注入和空穴传输层的一面与阳极相连，阳极提供空穴，阴极提供电子，空穴注入和空穴传输层将空穴传输至量子点发光层，电子注入和电子传输层将电子传输至量子点发光层，空穴和电子在量子点发光层中复合以发光，其中，电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法及液晶显示装置。
技术介绍
量子点发光器件，比如，量子点发光二极管(QuantumdotLightEmittingDiode，QLED)因具有色域广、色纯度高、稳定性好、低功耗、低成本等优点被誉为继有机发光器件之后的新一代照明器件。量子点发光二极管包括量子点发光层、空穴传输层及电子传输层。所述电子传输层、所述量子点发光层及所述空穴传输层依次层叠设置。所述电子传输层、所述量子点发光层及所述空穴传输层通常将相应的材料溶解在有机溶剂中，再通过旋涂的方式湿法单独成膜。即，所述电子传输层、所述量子点发光层及所述空穴传输层分为三层来制备。通常，先制备出一层，再接着制备另一层。由于成膜的时候会用到有机溶剂，因此，在量子点发光二极管制备过程中，正在制作的膜层会对已经制作好的相邻的膜层造成破坏，从而造成量子点发光二极管发光效率的降低及制备成功率的降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种量子点发光器件，所述量子点发光器件包括基板、阳极、空穴注入和空穴传输层、量子点发光层、电子注入和电子传输层及阴极，所述阳极设置在所述基板上，所述阳极与所述阴极设置在所述基板的同侧，且所述阳极和所述阴极相对且间隔设置，所述空穴注入和空穴传输层、所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层夹设在所述阳极和所述阴极之间，所述空穴注入和空穴传输层的一面与所述阳极相连，所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层依次层叠设置在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的一面，且所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的一面与所述阴极相连，所述阳极用于提供空穴，所述阴极用于提供电子，所述空穴注入和空穴传输层用于将所述空穴传输至所述量子点发光层，所述电子注入和电子传输层用于将所述电子传输至所述量子点发光层，所述空穴和所述电子在所述量子点发光层中复合以发光，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物。其中，所述水醇溶性共轭聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者多种。其中，所述阳极包括氧化铟锡。其中，所述空穴注入和空穴传输层包括PEDOT：PSS或者P型金属氧化物纳米粒子，其中，所述P型金属氧化物纳米粒子包括MoO3、NiO、V2O5及WoO3的任意一种或者多种。其中，所述空穴注入和空穴传输层的厚度为10～15nm。其中，所述量子点发光层的厚度为30～40nm。其中，所述量子点发光层包括单层或者多层量子点。其中，所述阴极包括铝，所述阴极的厚度为100～150nm。本专利技术还提供了一种量子点发光器件的制备方法，所述量子点发光器件的制备方法包括：提供基板；在所述基板的表面上形成阳极；在所述阳极远离所述基板的表面涂布空穴注入和空穴传输材料以形成空穴注入和空穴传输层；在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的表面涂布量子点发光材料以形成量子点发光层；在所述量子点发光层远离所述空穴注入和空穴传输层的表面涂布电子注入和电子传输材料以形成电子注入和电子传输层，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物；在所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的表面沉积金属以形成阴极。本专利技术还提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括前述任一实施方式所述的量子点发光器件。相较于现有技术，本专利技术的量子点发光器件的电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物可以溶解在极性较大的溶剂中，比如，水、甲醛等。可以避免所述电子注入和电子传输层制备成膜时对所述量子点发光层产生破坏，因此，可以提高所述量子点发光器件的性能。进一步地，所述水醇溶性共轭聚合物是无毒的，在生产过程中对环境无污染，绿色环保。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一较佳实施方式的量子点发光器件的结构示意图。图2为本专利技术一较佳实施方式的量子点发光器件的制备方法的流程图。图3为本专利技术一较佳实施方式的液晶显示装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1，图1为本专利技术一较佳实施方式的量子点发光器件的结构示意图。所述量子点发光器件100包括基板110、阳极120、空穴注入和空穴传输层130、量子点发光层140、电子注入和电子传输层150及阴极160。所述阳极120设置在所述基板110上，所述阳极120和所述阴极160设置在所述基板110的同侧，且所述阳极120相对且间隔设置。所述空穴注入和空穴传输层130、所述量子点发光层140及所述电子注入和电子传输层150夹设在所述阳极120和所述阴极160之间，所述空穴注入和空穴传输层130的一面与所述阳极120相连，所述量子点发光层140及所述电子注入和电子传输层150依次层叠设置在所述空穴注入和空穴传输层150远离所述阳极120的一面，且所述电子注入和电子传输层150远离所述量子点发光层140的一面与所述阴极160相连。所述阳极120用于提供空穴，所述阴极160用于提供电子，所述空穴注入和空穴传输层130用于将所述空穴传输至所述量子点发光层140，所述电子注入和电子传输层150用于将所述电子传输至所述量子点发光层140，所述空穴和所述电子在所述量子点发光层140中复合以发光，其中，所述电子注入和电子传输层150包括水醇溶性共轭聚合物。所述水醇溶性共轭聚合物(WACPs)由共轭骨架和含有强极性基团(如胺基、二乙醇胺基、磷酸酯基、羧基、季铵盐、羧酸根、磺酸根、两性离子基团等)的侧链组成，在一实施方式中，所述水醇溶性共轭聚合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者多种。所述水醇溶性共轭聚合物作为所述电子注入和电子传输层的材料，可以溶解在极性较大的溶剂中，比如，水、甲醛等。可以避免所述电子注入和电子传输层150制备时对所述量子点发光层140产生破坏，因此，可以提高所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括基板、阳极、空穴注入和空穴传输层、量子点发光层、电子注入和电子传输层及阴极，所述阳极设置在所述基板上，所述阳极与所述阴极设置在所述基板的同侧，且所述阳极和所述阴极相对且间隔设置，所述空穴注入和空穴传输层、所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层夹设在所述阳极和所述阴极之间，所述空穴注入和空穴传输层的一面与所述阳极相连，所述量子点发光层及所述电子注入和电子传输层依次层叠设置在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的一面，且所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的一面与所述阴极相连，所述阳极用于提供空穴，所述阴极用于提供电子，所述空穴注入和空穴传输层用于将所述空穴传输至所述量子点发光层，所述电子注入和电子传输层用于将所述电子传输至所述量子点发光层，所述空穴和所述电子在所述量子点发光层中复合以发光，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件包括基板、阳极、
空穴注入和空穴传输层、量子点发光层、电子注入和电子传输层及阴极，所述
阳极设置在所述基板上，所述阳极与所述阴极设置在所述基板的同侧，且所述
阳极和所述阴极相对且间隔设置，所述空穴注入和空穴传输层、所述量子点发
光层及所述电子注入和电子传输层夹设在所述阳极和所述阴极之间，所述空穴
注入和空穴传输层的一面与所述阳极相连，所述量子点发光层及所述电子注入
和电子传输层依次层叠设置在所述空穴注入和空穴传输层远离所述阳极的一面，
且所述电子注入和电子传输层远离所述量子点发光层的一面与所述阴极相连，
所述阳极用于提供空穴，所述阴极用于提供电子，所述空穴注入和空穴传输层
用于将所述空穴传输至所述量子点发光层，所述电子注入和电子传输层用于将
所述电子传输至所述量子点发光层，所述空穴和所述电子在所述量子点发光层
中复合以发光，其中，所述电子注入和电子传输层包括水醇溶性共轭聚合物。
2.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述水醇溶性共轭聚
合物包括PFN、PFNBr、PFNSO中的任意一种或者多种。
3.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述阳极包括氧化铟
锡。
4.如权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述空穴注入和空穴
传输层包括PEDOT：PSS或者P型金属氧化物纳米粒子，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐超，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44