组合物、有机光电元件、以及显示设备制造技术

本发明专利技术涉及包含由化学式I表示的第一主体化合物以及由化学式II表示的第二主体化合物的组合物，包含所述组合物的有机光电元件，和包含所述组合物的显示设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
公开了组合物、有机光电器件和显示设备。
技术介绍
有机光电器件是将电能转化成光能(反之亦然)的设备。根据它的驱动原理可以将有机光电器件如下分类。一种是光电设备，其中通过光能产生激子，将其分离成电子和空穴(hole)，并且转移至不同的电极以产生电能，以及另一种是发光设备，其中将电压或电流施加至电极以从电能产生光能。有机光电器件的实例可以是有机光电器件、有机发光二极管、有机太阳能电池、和有机光电导体鼓(photoconductordrum，感光鼓)。其中，由于对于平板显示器的需求增加，有机发光二极管(OLED)最近引起了关注。通过将电流施加至有机发光材料，这样的有机发光二极管将电能转化成光。它具有在正极和负极之间插入有机层的结构。本文中，所述有机层可以包括发光层(emissionlayer)以及可选的辅助层(auxiliarylayer)，并且辅助层可以是，例如选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层、和空穴阻挡层中的至少一种用于改善有机发光二极管的效率和稳定性。有机发光二极管的性能可以受有机层的特性影响，并且其中，主要受有机层的有机材料的特性影响。尤其是，需要开发能够增加空穴和电子迁移率并且同时增加电化学稳定性的有机材料，以使有机发光二极管可以应用于大尺寸的平板显示器。
技术实现思路
【技术目标】一个实施方式提供了用于有机光电器件的组合物，所述组合物能够实现具有高效率和长寿命的有机光电器件。另一个实施方式提供了包含所述组合物的有机光电器件。又一个实施方式提供了包括所述有机光电器件的显示设备。【技术解决方法】根据一个实施方式，组合物包含由化学式I表示的第一主体化合物(firsthostcompound)以及由化学式II表示的第二主体化合物(secondhostcompound)。[化学式I]在化学式I中，X1是O、Se、S、SO、SO2、PO、或CO，X2是CRaRb或SiRcRd，并且R1至R5以及Ra至Rd各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C3至C30杂环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的C6至C30芳基胺基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基胺基、取代的或未取代的C1至C30烷氧基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基氨基、取代的或未取代的C7至C30芳氧羰基氨基、取代的或未取代的C1至C30氨磺酰氨基、取代的或未取代的C2至C30烯基、取代的或未取代的C2至C30炔基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的甲硅烷氧基、取代的或未取代的C1至C30酰基、取代的或未取代的C1至C20酰氧基、取代的或未取代的C1至C20酰氨基、取代的或未取代的C1至C30磺酰基、取代的或未取代的C1至C30烷基硫醇基(alkylthiolgroup)、取代的或未取代的C1至C30杂环硫醇基(heterocyclothiolgroup)、取代的或未取代的C6至C30芳基硫醇基(arylthiolgroup)、取代的或未取代的C1至C30杂芳基硫醇基(heteroarylthiolgroup)、取代的或未取代的C1至C30酰脲基团(ureidegroup)、卤素、含卤素基团、氰基、羟基、氨基、硝基、羧基、二茂铁基、或它们的组合。[化学式II]在化学式II中，X3是O、S、CRuRv、SiRwRx、或NRy，HTU是取代的或未取代的咔唑基或取代的或未取代的三亚苯基，并且R11至R13以及Ru至Ry各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、或它们的组合。根据另一个实施方式，有机光电器件包括彼此相对的正极和负极，在正极和负极之间的至少一个有机层，其中，有机层包括所述组合物。根据又一个实施方式，提供了包括所述有机光电器件的显示设备。【有利的效果】可以实现具有高效率和长寿命的有机光电器件。附图说明图1和2分别是示出根据一个实施方式的有机发光二极管的截面图。具体实施方式在下文中，详细描述了本专利技术的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本发明并不限制于此并且由权利要求的范围定义本专利技术。在本专利技术的说明书中，当并未另外提供定义时，术语“取代的”是指使用以下各项进行取代代替取代基或化合物的至少一个氢：氘、卤素、羟基、氨基、取代的或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代的或未取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C6至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基团、C1至C10三氟烷基诸如三氟甲基、或氰基。另外，以下两种相邻的取代基可以相互稠合以形成环：卤素、羟基、氨基、取代的或未取代的C1至C20胺基、硝基、取代的或未取代的C3至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C6至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、氟基团、C1至C10三氟烷基诸如三氟甲基等、或氰基。例如，取代的C6至C30芳基可以与另一种相邻的取代的C6至C30芳基稠合以形成取代的或未取代的芴环。在本专利技术的说明书中，当并未另外提供具体定义时，“杂”是指在一种化合物或取代基中包括选自由N、O、S、P、和Si组成的组的1至3个杂原子，并且剩余为碳(remainingcarbon)。在本专利技术的说明书中，当并未另外提供定义时，“烷基”是指脂肪族烃基团。在没有任何双键或三键的情况下，烷基可以是“饱和的烷基”。烷基可以是C1至C30烷基。更具体地，烷基可以是C1至C20烷基或C1至C10烷基。例如，C1至C4烷基可以在烷基链中具有1至4个碳原子，其可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、和叔丁基。烷基特定的实例可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。在本专利技术的说明书中，“芳基”是指环状取代基，其中所有的元素具有p-轨道，并且这些p-轨道形成共轭，以及包括单环的、多环的或稠环多环的(即，共享相邻配对碳原子的环)官能团。在本专利技术的说明书中，“杂芳基”是指包含1至3个选自N、O、S、P和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含由化学式I表示的第一主体化合物以及由化学式II表示的第二主体化合物的组合物：其中，在化学式I中，X1是O、Se、S、SO、SO2、PO、或CO，X2是CRaRb或SiRcRd，并且R1至R5以及Ra至Rd各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C3至C30杂环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的C6至C30芳基胺基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基胺基、取代的或未取代的C1至C30烷氧基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基氨基、取代的或未取代的C7至C30芳氧羰基氨基、取代的或未取代的C1至C30氨磺酰氨基、取代的或未取代的C2至C30烯基、取代的或未取代的C2至C30炔基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代的甲硅烷氧基、取代的或未取代的C1至C30酰基、取代的或未取代的C1至C20酰氧基、取代的或未取代的C1至C20酰氨基、取代的或未取代的C1至C30磺酰基、取代的或未取代的C1至C30烷基硫醇基、取代的或未取代的C1至C30杂环硫醇基、取代的或未取代的C6至C30芳基硫醇基、取代的或未取代的C1至C30杂芳基硫醇基、取代的或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、含卤素基团、氰基、羟基、氨基、硝基、羧基、二茂铁基、或它们的组合，其中，在化学式II中，X3是O、S、CRuRv、SiRwRx、或NRy，HTU是取代的或未取代的咔唑基或取代的或未取代的三亚苯基，并且R11至R13以及Ru至Ry各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、或它们的组合。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.12 KR 10-2013-00956191.一种包含由化学式I表示的第一主体化合物以及由化学式II表示的第二主体化合物
的组合物：
其中，在化学式I中，
X1是O、Se、S、SO、SO2、PO、或CO，
X2是CRaRb或SiRcRd，并且
R1至R5以及Ra至Rd各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取
代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C3至C30杂环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳
基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的C6至C30
芳基胺基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基胺基、取代的或未取代的C1至C30烷氧基、取代
的或未取代的C2至C30烷氧羰基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基氨基、取代的或未取
代的C7至C30芳氧羰基氨基、取代的或未取代的C1至C30氨磺酰氨基、取代的或未取代的C2
至C30烯基、取代的或未取代的C2至C30炔基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代
的甲硅烷氧基、取代的或未取代的C1至C30酰基、取代的或未取代的C1至C20酰氧基、取代的
或未取代的C1至C20酰氨基、取代的或未取代的C1至C30磺酰基、取代的或未取代的C1至C30
烷基硫醇基、取代的或未取代的C1至C30杂环硫醇基、取代的或未取代的C6至C30芳基硫醇
基、取代的或未取代的C1至C30杂芳基硫醇基、取代的或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、
含卤素基团、氰基、羟基、氨基、硝基、羧基、二茂铁基、或它们的组合，
其中，在化学式II中，
X3是O、S、CRuRv、SiRwRx、或NRy，
HTU是取代的或未取代的咔唑基或取代的或未取代的三亚苯基，并且
R11至R13以及Ru至Ry各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未
取代的C6至C30芳基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、或它们的组合。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述第一主体化合物是通过化学式1a至1c中的
一种表示的：
其中，在化学式1a至1c中，
X1是O、Se、S、SO、SO2、PO、或CO，
X2是CRaRb或SiRcRd,并且
R1至R5以及Ra至Rd各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C30烷基、取代的或未取
代的C3至C30环烷基、取代的或未取代的C3至C30杂环烷基、取代的或未取代的C6至C30芳
基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、取代的或未取代的胺基、取代的或未取代的C6至C30
芳基胺基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基胺基、取代的或未取代的C1至C30烷氧基、取代
的或未取代的C2至C30烷氧羰基、取代的或未取代的C2至C30烷氧羰基氨基、取代的或未取
代的C7至C30芳氧羰基氨基、取代的或未取代的C1至C30氨磺酰氨基、取代的或未取代的C2
至C30烯基、取代的或未取代的C2至C30炔基、取代的或未取代的甲硅烷基、取代的或未取代
的甲硅烷氧基、取代的或未取代的C1至C30酰基、取代的或未取代的C1至C20酰氧基、取代的
或未取代的C1至C20酰氨基、取代的或未取代的C1至C30磺酰基、取代的或未取代的C1至C30
烷基硫醇基、取代的或未取代的C1至C30杂环硫醇基、取代的或未取代的C6至C30芳基硫醇
基、取代的或未取代的C1至C30杂芳基硫醇基、取代的或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、
含卤素基团、氰基、羟基、氨基、硝基、羧基、二茂铁基、或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中，所述第一主体化合物是通过化学式1-1至1-6中
的一种表示的：
其中，在化学式1-1至1-6中，
R1至R5各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C6至
C30芳基、取代的或未取代的C3至C30杂芳基、或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中，R1至R5以及Ra至Rd中的至少一种选自基团1的取
代的或未取代的官能团：
其中，在所述基团1中，
Y是N、O、S、SO2、NRj、CRk、SiRl、CRmRn或SiRoRp，
Z是N、CRq、CRrRs、或NRt，
其中，Rj至Rt各自独立地是氢、氘、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的
C6至C30芳基、取代的或未取...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵荣庆，李韩壹，姜义洙，金伦焕，梁容卓，吴在镇，李南宪，柳真铉，闵修炫，柳银善，郑镐国，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR