像素补偿电路、方法、扫描驱动电路及平面显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种像素补偿电路、方法、扫描驱动电路及平面显示装置。像素补偿电路包括第一至第四可控开关的控制端分别连第一至第四扫描线，第一可控开关的第一端连数据线；第二可控开关的第一端连第一可控开关的第二端；驱动开关的控制端连第二可控开关的第二端，第一端连第一电压端；第三可控开关的第一端连第一可控开关的第二端，第二端连驱动开关的第一端；第一可控开关的第二端经存储电容连驱动开关的第二端；有机发光二极管的阳极连驱动开关的第二端，阴极接地；第四可控开关的第一端连第二电压端，第二端连驱动开关的第二端，以避免阈值电压漂移造成有机发光二极管的电流不稳定，以此实现面板亮度显示均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种像素补偿电路、方法、扫描驱动电路及平面显示装置。
技术介绍
目前的有机发光二极管(OrganicLightEmittingdiode，OLED)显示器具有体积小、结构简单、自主发光、亮度高、可视角度大、响应时间短等优点，吸引了广泛的注意。现有的有机发光二极管显示器中有一个晶体管作为驱动晶体管用于控制通过有机发光二极管OLED的电流，因此驱动晶体管的阈值电压的重要性便十分明显，所述阈值电压的正向或负向漂移都会使得在相同数据信号下有不同的电流通过有机发光二极管，目前的晶体管在使用过程中如氧化物半导体中的照光、源漏电极电压应力作用等因素，都可能导致阈值电压漂移，造成通过有机发光二极管的电流不稳定，进而引起面板亮度显示不均匀。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种像素补偿电路、方法、扫描驱动电路及平面显示装置，以避免阈值电压漂移造成有机发光二极管的电流不稳定，以此实现面板亮度显示均匀。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种像素补偿电路，包括：第一可控开关，所述第一可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第一可控开关的控制端连接一第一扫描线，所述第一可控开关的第一端连接一数据线以从所述数据线接收数据电压；第二可控开关，所述第二可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第二可控开关的控制端连接一第二扫描线，所述第二可控开关的第一端连接所述第一可控开关的第二端；驱动开关，所述驱动开关包括控制端、第一端及第二端，所述驱动开关的控制端连接所述第二可控开关的第二端，所述驱动开关的第一端连接一第一电压端以从所述第一电压端接收第一电压；第三可控开关，所述第三可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第三可控开关的控制端连接一第三扫描线，所述第三可控开关的第一端连接所述第一可控开关的第二端及所述第二可控开关的第一端，所述第三可控开关的第二端连接所述驱动开关的第一端；存储电容，所述存储电容包括第一端及第二端，所述存储电容的第一端连接所述第一可控开关的第二端，所述存储电容的第二端连接所述驱动开关的第二端；有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极及阴极，所述有机发光二极管的阳极连接所述驱动开关的第二端，所述有机发光二极管的阴极接地；及第四可控开关，所述第四可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第四可控开关的控制端连接一第四扫描线，所述第四可控开关的第一端连接一第二电压端以从所述第二电压端接收第二电压，所述第四可控开关的第二端连接所述驱动开关的第二端。其中，所述驱动开关、所述第一可控开关至所述第四可控开关均为NMOS型薄膜晶体管或均为PMOS型薄膜晶体管或为NMOS型薄膜晶体管与PMOS型薄膜晶体管的组合，所述驱动开关、所述第一可控开关至所述第四可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种像素补偿方法，包括：在重置阶段，驱动开关及第四可控开关导通，第一至第三可控开关截止，所述驱动开关的第二端的电压Vb等于第二电压端输出的第二电压VL，因为存储电容的耦合作用，所述存储电容第一端的电压Va降低，以此清除前一帧的数据的影响；在阈值电压提取阶段，所述驱动开关、所述第二可控开关及所述第三可控开关均导通，所述第一可控开关及所述第四可控开关均截止，所述存储电容被充电，所述驱动开关的第二端的电压Vb等于第一电压端输出的第一电压VDD与所述驱动开关的阈值电压Vth之差，所述存储电容第一端的电压Va等于所述第一电压VDD；在数据写入阶段，所述驱动开关及所述第一可控开关均导通，所述第二至第四可控开关均截止，所述存储电容被充电，所述存储电容第一端的电压Va等于数据线输出的数据电压Vdata，所述驱动开关第二端的电压Vb＝VDD-Vth+△V，其中，VDD为所述第一电压，Vth为所述驱动开关的阈值电压，△V为所述驱动开关的第二端的电压增量；及在驱动发光阶段，所述驱动开关及所述第二可控开关均导通，所述第一可控开关、所述第三及第四可控开关均截止，所述存储电容放电，所述驱动开关的控制端与第二端之间的电压差Vgs等于所述存储电容两端的电压差，即Vgs＝Vdata-VDD+Vth-△V,通过所述有机发光二极管的电流I＝K*(Vgs-Vth)2＝K*(Vdata-VDD-△V)2，其中K为系数。其中，所述驱动开关、所述第一可控开关至所述第四可控开关均为NMOS型薄膜晶体管或均为PMOS型薄膜晶体管或为NMOS型薄膜晶体管与PMOS型薄膜晶体管的组合，所述驱动开关、所述第一可控开关至所述第四可控开关的控制端、第一端及第二端分别对应所述薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种扫描驱动电路，所述扫描驱动电路包括像素补偿电路，所述像素补偿电路包括：第一可控开关，所述第一可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第一可控开关的控制端连接一第一扫描线，所述第一可控开关的第一端连接一数据线以从所述数据线接收数据电压；第二可控开关，所述第二可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第二可控开关的控制端连接一第二扫描线，所述第二可控开关的第一端连接所述第一可控开关的第二端；驱动开关，所述驱动开关包括控制端、第一端及第二端，所述驱动开关的控制端连接所述第二可控开关的第二端，所述驱动开关的第一端连接一第一电压端以从所述第一电压端接收第一电压；第三可控开关，所述第三可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第三可控开关的控制端连接一第三扫描线，所述第三可控开关的第一端连接所述第一可控开关的第二端及所述第二可控开关的第一端，所述第三可控开关的第二端连接所述驱动开关的第一端；存储电容，所述存储电容包括第一端及第二端，所述存储电容的第一端连接所述第一可控开关的第二端，所述存储电容的第二端连接所述驱动开关的第二端；有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极及阴极，所述有机发光二极管的阳极连接所述驱动开关的第二端，所述有机发光二极管的阴极接地；及第四可控开关，所述第四可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第四可控开关的控制端连接一第四扫描线，所述第四可控开关的第一端连接一第二电压端以从所述第二电压端接收第二电压，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素补偿电路，其特征在于，所述像素补偿电路包括：第一可控开关，所述第一可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第一可控开关的控制端连接一第一扫描线，所述第一可控开关的第一端连接一数据线以从所述数据线接收数据电压；第二可控开关，所述第二可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第二可控开关的控制端连接一第二扫描线，所述第二可控开关的第一端连接所述第一可控开关的第二端；驱动开关，所述驱动开关包括控制端、第一端及第二端，所述驱动开关的控制端连接所述第二可控开关的第二端，所述驱动开关的第一端连接一第一电压端以从所述第一电压端接收第一电压；第三可控开关，所述第三可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第三可控开关的控制端连接一第三扫描线，所述第三可控开关的第一端连接所述第一可控开关的第二端及所述第二可控开关的第一端，所述第三可控开关的第二端连接所述驱动开关的第一端；存储电容，所述存储电容包括第一端及第二端，所述存储电容的第一端连接所述第一可控开关的第二端，所述存储电容的第二端连接所述驱动开关的第二端；有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极及阴极，所述有机发光二极管的阳极连接所述驱动开关的第二端，所述有机发光二极管的阴极接地；及第四可控开关，所述第四可控开关包括控制端、第一端及第二端，所述第四可控开关的控制端连接一第四扫描线，所述第四可控开关的第一端连接一第二电压端以从所述第二电压端接收第二电压，所述第四可控开关的第二端连接所述驱动开关的第二端。...

【技术特征摘要】
1.一种像素补偿电路，其特征在于，所述像素补偿电路包括：
第一可控开关，所述第一可控开关包括控制端、第一端及第二端，
所述第一可控开关的控制端连接一第一扫描线，所述第一可控开关的第
一端连接一数据线以从所述数据线接收数据电压；
第二可控开关，所述第二可控开关包括控制端、第一端及第二端，
所述第二可控开关的控制端连接一第二扫描线，所述第二可控开关的第
一端连接所述第一可控开关的第二端；
驱动开关，所述驱动开关包括控制端、第一端及第二端，所述驱动
开关的控制端连接所述第二可控开关的第二端，所述驱动开关的第一端
连接一第一电压端以从所述第一电压端接收第一电压；
第三可控开关，所述第三可控开关包括控制端、第一端及第二端，
所述第三可控开关的控制端连接一第三扫描线，所述第三可控开关的第
一端连接所述第一可控开关的第二端及所述第二可控开关的第一端，所
述第三可控开关的第二端连接所述驱动开关的第一端；
存储电容，所述存储电容包括第一端及第二端，所述存储电容的第
一端连接所述第一可控开关的第二端，所述存储电容的第二端连接所述
驱动开关的第二端；
有机发光二极管，所述有机发光二极管包括阳极及阴极，所述有机
发光二极管的阳极连接所述驱动开关的第二端，所述有机发光二极管的
阴极接地；及
第四可控开关，所述第四可控开关包括控制端、第一端及第二端，
所述第四可控开关的控制端连接一第四扫描线，所述第四可控开关的第
一端连接一第二电压端以从所述第二电压端接收第二电压，所述第四可
控开关的第二端连接所述驱动开关的第二端。
2.根据权利要求1所述的像素补偿电路，其特征在于，所述驱动开
关、所述第一可控开关至所述第四可控开关均为NMOS型薄膜晶体管或
均为PMOS型薄膜晶体管或为NMOS型薄膜晶体管与PMOS型薄膜晶

\t体管的组合，所述驱动开关、所述第一可控开关至所述第四可控开关的
控制端、第一端及第二端分别对应所述薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。
3.一种像素补偿方法，其特征在于，所述像素补偿方法包括：
在重置阶段，驱动开关及第四可控开关导通，第一至第三可控开关
截止，所述驱动开关的第二端的电压Vb等于第二电压端输出的第二电
压VL，因为存储电容的耦合作用，所述存储电容第一端的电压Va降低，
以此清除前一帧的数据的影响；
在阈值电压提取阶段，所述驱动开关、所述第二可控开关及所述第
三可控开关均导通，所述第一可控开关及所述第四可控开关均截止，所
述存储电容被充电，所述驱动开关的第二端的电压Vb等于第一电压端
输出的第一电压VDD与所述驱动开关的阈值电压Vth之差，所述存储
电容第一端的电压Va等于所述第一电压VDD；
在数据写入阶段，所述驱动开关及所述第一可控开关均导通，所述
第二至第四可控开关均截止，所述存储电容被充电，所述存储电容第一
端的电压Va等于数据线输出的数据电压Vdata，所述驱动开关第二端的
电压Vb＝VDD-Vth+△V，其中，VDD为所述第一电压，Vth为所述驱
动开关的阈值电压，△V为所述驱动开关的第二端的电压增量；及
在驱动发光阶段，所述驱动开关及所述第二可控开关均导通，所述
第一可控开关、所述第三及第四可控开关均截止，所述存储电容放电，
所述驱动开关的控制端与第二端之间的电压差Vgs等于所述存储电容两
端的电压差，即Vgs＝Vdata-VDD+Vth-△V,通过所述有机发光二极管的
电流I＝K*(Vgs-Vth)2＝K*(Vdata-VDD-△V)2，其中K为系数。
4.根据权利要求3所述的像素补偿方法，其特征在于，所述驱动开
关、所述第一可控开关至所述第四可控开关均为NMOS型薄膜晶体管或
均为PMOS型薄膜晶体管或为NMOS型薄膜晶体管与PMOS型薄膜晶
体管的组合，所述驱动开关、所述第一可控开关至所述第四可控开关的
控制端、第一端及第二端分别对应所述薄膜晶体管的栅极、漏极及源极。
5.一种扫描驱动电路，其特征在于，所述扫描驱动电路包括像素补
偿电路，所述像素补偿电路包括：
第一可控开关，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴小玲，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44