一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法。本发明专利技术提供的方法包括以下步骤：a)提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板；所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片连接成的电池串；b)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压，得到层压后太阳能电池组件；c)将所述层压后太阳能电池组件进行装框，并安装接线盒，得到晶体硅太阳能电池组件。本发明专利技术通过在层压处理过程中对晶体硅太阳能电池组件进行通电处理，提升了晶体硅太阳能电池抗光致衰减的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池领域，尤其涉及。
技术介绍
晶体硅太阳能电池组件是以晶体硅作为光电转换材料的太阳能电池组件，其制备 过程大体如下：1)自制或市购晶体硅太阳能电池片；2)将电池片焊接制成电池串；3)将顶 板、粘接层、电池串和背板堆叠好后进行层压;4)将层压后的电池组件装框和安装接线盒， 得到成品的晶体硅太阳能电池组件。由于晶体硅太阳能电池具有较高的电池效率，且其制 备工艺最为成熟，因此晶体硅太阳能电池目前在大规模应用和工业生产中占据主导地位。 晶体硅太阳能电池的光致衰减现象是目前晶体硅太阳能电池产业的一大技术难 题。所谓光致衰减现象，是指太阳能电池在光照条件下电池的输出功率出现下降的现象。研 究表明，晶体硅太阳能电池产生光致衰减现象的主要原因是P型晶硅电池片中的掺杂硼在 光照条件下会与电池片中的氧杂质反映生成硼氧复合体(B-0)，而B-0是一种复合中心，增 大了晶硅太能电池的复合，从而降低了电池少数载流子寿命，进而引起电池片及其组成的 组件的输出功率降低。 当前，对于晶体硅太阳能电池的光致衰减现象还没有很好的解决办法。因此，改进 现有晶体硅太阳能电池组件制备工艺，提升晶体硅太阳能电池制品的抗光致衰减性能是非 常必要的。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供，采用 本专利技术提供的方法制备晶体硅太阳能电池组件具有较好的抗光致衰减性能。 本专利技术提供了，包括以下步骤： a)提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背 板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板； 所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片 连接成的电池串； b)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压，得到层压后太阳能电池组 件； c)将所述层压后太阳能电池组件进行装框，并安装接线盒，得到晶体娃太阳能电 池组件。优选的，所述通电的电流为8~20A。优选的，所述层压的温度为120~200°C。优选的，所述层压的真空度<10-4Pa。 优选的，所述层压的时间为10~30min。 优选的，所述电池串按照以下方法制备得到： 检测多个晶体硅太阳能电池片的电池效率;将多个电池效率为预设电池效率取值 范围内的晶体硅太阳能电池片进行焊接，得到电池串。 优选的，在检测晶体硅太阳能电池片的电池效率之前，还包括： 对晶体硅太阳能电池片进行加热处理。 优选的，所述加热处理的温度为150~300°C。 优选的，所述加热处理的时间为15~40min。优选的，所述电池串由多个晶体硅太阳能电池片串联而成。 与现有技术相比，本专利技术提供了。本专利技术 提供的方法包括以下步骤:a)提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包 括依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板;所述晶体 硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片连接成的电池串；b) 所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压，得到层压后太阳能电池组件;c)将所 述层压后太阳能电池组件进行装框，并安装接线盒，得到晶体硅太阳能电池组件。本专利技术通 过在层压处理过程中对晶体硅太阳能电池组件进行通电处理，提升了晶体硅太阳能电池抗 光致衰减的性能。实验结果表明：采用本专利技术提供的方法制得的晶体硅太阳能电池组件的 光衰比例平均值小于1.5%，且电池组件的均匀性较好。【具体实施方式】下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例 仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技 术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范 围。在本专利技术中，所述电池效率是指晶体硅太阳能电池片的光电转化效率。本专利技术提供了，包括以下步骤： a)提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背 板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板；所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片 连接成的电池串； b)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压，得到层压后太阳能电池组 件；c)将所述层压后太阳能电池组件进行装框，并安装接线盒，得到晶体硅太阳能电 池组件。在本专利技术中，首先提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包括 依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板。在本专利技术中， 可以按照以下方式获得待层压太阳能电池组件:在顶板上依次铺设第二粘结层、晶体硅太 阳能电池模块、第一粘结层和背板，得到待层压太阳能电池组件。其中，所述背板的作用是 保护太阳能电池组件，一方面将防止太阳能电池组件受到环境影响，尤其是湿度温度的波 动、化学物质和机械影响，另一方面也要保护环境免受太阳能电池组件的影响。在本专利技术 中，所述背板为符合中国国家标准《晶体硅太阳电池组件用绝缘背板》(GB/T31034-2014) 的背板，优选为聚酯多层膜;所述背板的厚度优选为ο. 3~0.7mm。 在本专利技术中，所述第一粘结层用于粘结晶体硅太阳能电池模块与背板，同时提升 组件的耐久性和光学特性。所述第一粘结层的材质优选为乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA);所 述第一粘结层的厚度优选为〇. 2~0.6mm。在本专利技术中，所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太 阳能电池片连接成的电池串。本专利技术对所述晶体硅太阳能电池片的来源没有特别限定，采 用市售产品即可，在本专利技术提供的一个实施例中，所述晶体硅太阳能电池片为P型PERC单晶 硅电池片或P型常规单晶硅电池片。在本专利技术中，所述电池串可以由多个晶体硅太阳能电池 片串联而成，也可以由多个晶体硅太阳能电池片并联而成，还可以由多个晶体硅太阳能电 池片串联后再并联而成。本专利技术对所述电池串的制备方法没有特别限定，可以按照以下方 法制备：检测多个晶体硅太阳能电池片的电池效率;将多个电池效率为预设电池效率取值 范围内的晶体硅太阳能电池片进行焊接，得到电池串。在本专利技术提供的上述电池串的制备方法中，首先，对多个晶体硅太阳能电池片的 电池效率进行检测，获得每个晶体硅太阳能电池片的电池效率值。本专利技术对所述电池效率 的检测方法没有特别限定，本领域技术人员按照本领域技术人员熟知的方式进行检测即 可。获得每个晶体硅太阳能电池片的电池效率值后，选择电池效率为预设电池效率取值范 围内的多个晶体硅太阳能电池片。其中，所述预设电池效率取值范围的区间差值优选为 0.01~0.2%，更优选为0.05~0.1 %。例如，预设电池效率取值范围为19.6% ±0.05%、 20.0% ±0.05%或20.1 % ±0.05%。最后，将选择得到的多个晶体硅太阳能电池片进行焊 接，得到电池串。在本专利技术中，按照此方法制备电池当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法，包括以下步骤：a)提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板；所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片连接成的电池串；b)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压，得到层压后太阳能电池组件；c)将所述层压后太阳能电池组件进行装框，并安装接线盒，得到晶体硅太阳能电池组件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许路加，蒋方丹，何广东，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33