像素补偿电路及AMOLED显示装置制造方法及图纸

技术编号:13085879 阅读:119 留言:0更新日期:2016-03-30 16:57
本发明专利技术提供一种像素补偿电路及AMOLED显示装置。其包括数据信号写入模块、高电压信号写入模块、第一基准电压生成模块、第二基准电压写入模块;数据信号写入模块在发光器件发光前与电容的第一端连接;高电压信号写入模块在发光器件发光过程中与电容的第一端连接;第一基准电压生成模块在发光器件发光前与电容的第二端和驱动晶体管的漏极连接;驱动晶体管的栅极与电容的第二端连接,漏极与发光器件的阳极连接;源极在发光器件发光前与第二基准电压写入模块连接,在发光器件发光过程中与高电压信号写入模块连接;发光器件的阴极与公共接地电极连接。上述像素补偿电路可以避免发光器件在发光过程中的亮度发生变化,提高发光过程中的亮度均一性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,具体地,涉及一种像素补偿电路及AMOLED显示装置
技术介绍
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,因而得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,以下称为LCD)及有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,以下称为OLED)显示装置。OLED显示装置通过自发光实现显示,因而其不需背光源,具有对比度高、厚度小、视角广、反应速度快、可被制成柔性显示面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异特性,被视为可以取代LCD的下一代显示装置。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)矩阵寻址两类。其中,PMOLED的功耗较高,阻碍了其在大尺寸显示本文档来自技高网...
像素补偿电路及AMOLED显示装置

【技术保护点】
一种像素补偿电路,其特征在于,包括数据信号写入模块、高电压信号写入模块、第一基准电压生成模块、第二基准电压写入模块、驱动晶体管、电容和发光器件;所述数据信号写入模块在发光器件发光前与所述电容的第一端连接;所述高电压信号写入模块在发光器件发光过程中与所述电容的第一端连接;所述第一基准电压生成模块在发光器件发光前与所述电容的第二端和驱动晶体管的漏极连接;所述驱动晶体管的栅极与所述电容的第二端连接,漏极与发光器件的阳极连接;源极在发光器件发光前与第二基准电压写入模块连接,在发光器件发光过程中与所述高电压信号写入模块连接;所述发光器件的阴极与公共接地电极连接。

【技术特征摘要】
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包括数据信号写入模块、
高电压信号写入模块、第一基准电压生成模块、第二基准电压写入模
块、驱动晶体管、电容和发光器件;
所述数据信号写入模块在发光器件发光前与所述电容的第一端
连接;所述高电压信号写入模块在发光器件发光过程中与所述电容的
第一端连接;
所述第一基准电压生成模块在发光器件发光前与所述电容的第
二端和驱动晶体管的漏极连接;
所述驱动晶体管的栅极与所述电容的第二端连接,漏极与发光
器件的阳极连接;源极在发光器件发光前与第二基准电压写入模块连
接,在发光器件发光过程中与所述高电压信号写入模块连接;
所述发光器件的阴极与公共接地电极连接。
2.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述第
一基准电压生成模块在发光器件发光前还与所述发光器件的阳极连
接。
3.根据权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像
素补偿电路还包括电压清除模块,所述电压清除模块连接在驱动晶体
管的漏极和发光器件的阳极之间,其用于向发光器件的阳极输入第三
基准电压。
4.根据权利要求1~3任意一项所述的像素补偿电路,其特征在
于,所述数据信号写入模块包括数据信号线和第一晶体管;所述第一
晶体管的控制极与栅线连接,源极与数据信号线连接,漏极与所述电
容的第一端连接。
5.根据权利要求1~3任意一项所述的像素补偿电路,其特征在

\t于,所述高电压信号写入模块包括高电压信号端和第二晶体管、第三
晶体管;所述第二晶体管的控制极与发光信号端连接,源极与高电压
信号端连接,漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员:何小祥祁小敬
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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