等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板等离子体处理时，提高产品的成品率。传送载体具备框架和覆盖框架的开口的保持片，基板被保持片保持，该装置具备：传送机构，传送保持有基板的传送载体；位置计测部，计测基板相对于框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，等离子体处理台载置保持有基板的传送载体，罩体覆盖在等离子体处理台上载置的框架和保持片的至少一部分，且具有使基板的至少一部分露出的窗部；控制部，基于由位置计测部计测的基板相对于框架的位置信息，以使窗部和基板满足预定的位置关系的方式控制传送机构将保持基板的传送载体载置于等离子体处理台。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更详细地说，涉及一种对传送载体所保持的基板进行处理的。
技术介绍
作为切割基板的方法，公知有一种在形成有抗蚀剂掩模的基板上实施等离子体蚀亥IJ，分割成各个芯片的等离子体切割。专利文献1教示了为了提高传送等时基板的操作性，在将基板粘贴到具备框架和覆盖其开口部的保持片的传送载体上的状态下，向等离子体处理装置提供。专利文献2教示了在使保持片保持基板时，使基板的中心和框架的中心一致的方法。现有技术文献专利文献:专利文献1:日本特开2009-94436号公报专利文献2:日本特开2006-269915号公报在将基板粘贴到传送载体的状态下进行等离子体处理的情况下，传送载体直接暴露于等离子体时，由树脂材料构成的保持片和用于将保持片固定到框架的粘接剂被加热。由于该热，产生保持片的延伸(变形)和粘接剂的粘接性降低，从框架剥离保持片时等，传送载体会有受到损坏的危险。因此，在这种等离子体处理装置内的等离子体处理台的上方具备具有窗部的电介体制的罩体。窗部形成为从窗部的上方观察时框架不会露出而基板的至少一部分露出的大小和形状。在等离子体处理时，罩体覆盖框架和保持片，不使框架和保持片暴露于等离子体，并且使基板从该窗部露出。露出的基板中没有形成抗蚀剂掩模的部分被等离子体蚀刻。此时，传送载体及该传送载体所保持的基板(以下也一并称为保持基板的传送载体或者仅仅称为传送载体)以使框架的开口中心和罩体的窗部中心一致的方式载置于等离子体处理台。接着，进行等离子体照射，基板被切割成单片。但是，在传送载体被罩体保护的同时进行基于等离子体处理的切割的情况下，该切割工序中的成品率容易降低。特别是，基板的边缘部分的加工形状较多地产生偏差，在基板的边缘部分较多地产生未处理部。
技术实现思路
本专利技术的一个方式涉及一种等离子体处理装置，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理，所述传送载体具备框架和覆盖所述框架的开口的保持片，所述基板被所述保持片保持，所述等离子体处理装置具备:传送机构，传送保持有所述基板的传送载体；位置计测部，计测所述基板相对于所述框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，所述等离子体处理台载置保持有所述基板的传送载体，所述罩体覆盖在所述等离子体处理台上载置的所述框架和所述保持片的至少一部分，并且具有使所述基板的至少一部分露出的窗部；及控制部，基于由所述位置计测部计测出的所述基板相对于所述框架的位置信息，控制所述传送机构以使所述窗部和所述基板满足预定的位置关系的方式将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。本专利技术的另一方式涉及一种等离子体处理方法，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理，所述传送载体具备框架和覆盖所述框架的开口的保持片，所述基板由所述保持片保持，所述等离子体处理方法具有如下工序:由位置计测部计测所述基板相对于所述框架的位置的工序；及将保持有所述基板的传送载体载置于等离子体处理部所具备的等离子体处理台上，通过罩体覆盖所述框架和所述保持片的至少一部分，并且使所述基板的至少一部分从设置于所述罩体的窗部露出，进行等离子体处理的工序，基于由所述位置计测部计测出的所述基板相对于所述框架的位置信息，以使所述窗部和所述基板满足预定的位置关系的方式将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。根据本专利技术，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理时，能够提高产品的成品率。【附图说明】图1(a)是概略地表示本专利技术的一个实施方式涉及的保持基板的传送载体的俯视图，图1 (b)是沿图1 (a)的B-B线的剖视图。图2是本专利技术的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的概念图。图3是概略地表示本专利技术的一个实施方式涉及的等离子体处理部的剖视图。图4A是表示本专利技术的一个实施方式涉及的罩体和传送载体的位置关系的俯视图。图4B是沿图4A的B-B线的剖视图。图5A是概念性地表示本专利技术的一个实施方式涉及的位置计测部的立体图。图5B是表示由图5A的位置计测部获得的数据的曲线图。图5C是说明以基于由图5A的位置计测部获得数据计算出的帧中心Cf为基准(0，0)的情况下的基板中心Cw的位置(Δχ，Ay)的说明图。图6A是表示本专利技术的一个实施方式涉及的保持等离子体处理台上载置的基板的传送载体的俯视图。其中，省略了罩体。图6B是将图6A中的一部分Z放大表不的放大图。图7是表示本专利技术的一个实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。图8是表示现有方法涉及的罩体和传送载体的位置关系的俯视图。【具体实施方式】可以认为存在基板的中心和窗部的中心错开(不一致)的情况是导致现有的成品率的低下的原因。图8中表示了基板的中心和窗部的中心不一致的情况的剖视图。另外，为了易于理解，剖视图中仅表示剖面，对于看起来比剖面靠里的外观进行了省略。以下的剖视图也是同样的。在图8中，在等离子处理台15上，框架的开口的中心(以下称为框架中心Cf)和窗部的中心(以下称为窗部中心Cc) 一致，但基板的中心(以下称为基板中心Cw)与框架中心Cf和窗部中心Cc不一致。在这种情况下，基板11的应当实施等离子体处理的全部部分(在该情况下为基板11的表面整体)不会从窗部14W露出，基板11的一部分被罩体14覆盖。其结果是会产生未被等离子体蚀刻的未处理部11N。另一方面，在保持片13上产生从窗部露出的露出部13E。具有露出部13E的保持片13暴露于等离子体而劣化。因此，有可能导致基板11与保持片13 —起从框架12脱落的问题。在保持片13的耐等离子体性高的情况下，或者在某种程度上容许保持片13由于暴露于等离子体而劣化的情况下，有时候窗部14W的大小比基板11大。在这种情况下，即使基板中心Cw和窗部中心Cc不一致，基板11的应当实施等离子体处理的全部部分也能够从罩体14露出。但是，由于罩体14内侧的端部和基板11的边缘的距离并不是一定的，因此基板11的边缘部分的等离子体处理会变得不均匀，基板11的边缘部分的加工形状会产生偏差。在现有的利用切割刮板或激光的切割装置中，从其原理上说，没有设置与罩体14相当的部分，难以考虑到产生罩体导致的未处理部的情况。另外，切割刮板的切断位置或激光的照射位置可以在进行切割的台上适当地调整。因此，即使在基板错开了预定位置地载置于台上的情况下，通过适当调整也能够在预定位置上对基板进行切割。即，在利用切割刮板或激光进行切割的情况下，基板中心的偏差不会对成品率产生大的影响。在等离子体处理中，以往，在将传送载体载置于等离子体处理台上之前的工序中，以使框架中心Cf和罩体的窗部中心Cc 一致的方式将传送载体对齐。例如，在等离子体处理之前，将传送载体载置于配置在对齐部上的对齐台上，使对齐台的中心和框架中心Cf 一致(以下称为定心)。作为定心的方法，例如包括通过配置在对齐台周围的、能够从四方夹持传送载体的抵接部件对传送载体的位置进行矫正的方法等。接着，以使对齐台的中心(即框架中心Cf)和窗部中心Cc 一致的方式预先调整了传送轨道的传送臂将已被定心的传送载体载置于等离子体处理台，从而框架中心Cf和窗部中心Cc 一致。这样一来，能够比较容易地使窗部中心Cc和框架中心Cf 一致。S卩，可以认为基板中心Cw和窗部中心Cc之所以不一致，是因为基板中心Cw和框架中心Cf没有高精本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，对传送载体所保持的基板进行等离子体处理，其中，所述传送载体具备框架和覆盖所述框架的开口的保持片，所述基板被所述保持片保持，所述等离子体处理装置具备：传送机构，传送保持有所述基板的传送载体；位置计测部，计测所述基板相对于所述框架的位置；等离子体处理部，具备等离子体处理台和罩体，所述等离子体处理台载置保持有所述基板的传送载体，所述罩体覆盖在所述等离子体处理台上载置的所述框架和所述保持片的至少一部分，并且具有使所述基板的至少一部分露出的窗部；及控制部，基于由所述位置计测部计测出的所述基板相对于所述框架的位置信息，控制所述传送机构以使所述窗部和所述基板满足预定的位置关系的方式将保持有所述基板的传送载体载置于所述等离子体处理台。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：置田尚吾，朝仓浩海，渡边彰三，松原功幸，广岛满，和田年弘，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP