一种等离子体处理装置及等离子体处理方法，提高等离子体处理的工艺稳定性，对具备框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，具备：腔体，具有减压的处理室；工艺气体供给部，向处理室供给工艺气体；减压机构，对处理室减压；等离子体激发装置，使处理室内产生等离子体；台，载置传送载体并设置于腔体内；冷却机构，冷却台；罩体，覆盖保持片的一部分和框架的至少一部分，具有使基板露出到等离子体的窗部；移动装置，使罩体相对于框架的相对位置移动，罩体具备：顶盖部，与载置于台上的框架相对；筒状周侧部，从顶盖部的周边缘向台侧延伸；矫正部件，从顶盖部和/或周侧部相对于载置于台上的框架突出，使框架推压台来矫正框架的歪斜。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板进行等离子体处理的装置及方法。
技术介绍
在以具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板为处理对象的等离子体处理装置中，需要抑制等离子体对框架及保持片的热损伤。其理由是因为包含树脂材料的保持片被加热时会产生保持片延伸(变形)等问题。因此，在专利文献1中提出了一种利用中央部具有窗部的中空圆形的罩体来覆盖框架和保持片的方案。由此，能够遮盖框架和保持片不受等离子体伤害。另一方面，从窗部露出的基板能够被等离子体处理。现有技术文献专利文献:专利文献1:日本特开2009-94436号公报
技术实现思路
保持基板的传送载体被传入等离子体处理装置所具备的腔体内，载置于在腔体内设置的台上。通常来说，在台上设有冷却机构，能够抑制等离子体对传送载体的热损伤。框架一般由金属和/或树脂形成，具有刚性。因此，框架上存在微小的歪斜时，在载置于台上时，会在框架和台之间产生微小的间隙。在存在这种间隙的状态下进行等离子体处理时，会导致腔体内的异常放电或传送载体(尤其是框架)的冷却不足。由此，会产生等离子体处理导致的加工不良，保持片的劣化导致的传送问题等，降低处理工艺的稳定性。具备环状框架和保持片的传送载体不仅用于进行等离子体处理的情况，还用于通过利用刮刀或激光的现有的切割方法来处理基板的情况。现有的切割方法不需要考虑等离子体导致的加热，并且在机械性地矫正了框架的歪斜的环境下执行。因此，不会产生框架歪斜的问题。本专利技术涉及一种等离子体处理装置，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，其中，所述等离子体处理装置具备:腔体，具有能够减压的处理室；工艺气体供给部，向所述处理室供给工艺气体；减压机构，对所述处理室进行减压；等离子体激发装置，使所述处理室内产生等离子体；台，载置有所述传送载体并设置于所述腔体内；冷却机构，用于对所述台进行冷却；罩体，覆盖载置于所述台上的所述传送载体的所述保持片的一部分和所述框架的至少一部分，并且具有使所述基板露出到等离子体的窗部；及移动装置，使所述罩体相对于所述框架的相对位置移动，所述罩体具备:顶盖部，与载置于所述台上的所述框架相对；筒状的周侧部，从所述顶盖部的周边缘向所述台侧延伸；及矫正部件，从所述顶盖部和/或所述周侧部相对于载置于所述台上的所述框架突出，并且将所述框架向所述台推压来矫正所述框架的歪斜。本专利技术的另一方式涉及一种等离子体处理方法，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，其中，所述等离子体处理方法具备如下工序:(i)将保持有所述基板的所述传送载体传入等离子体处理装置所具备的腔体内，并载置于设置在所述腔体内的具备冷却机构的台上；(ii)通过具备使所述基板露出到等离子体的窗部的罩体，覆盖载置于所述台上的所述传送载体的所述保持片和所述框架；及(iii)使所述腔体内产生等离子体，经由所述窗部对所述基板实施等离子体处理，所述罩体具备:顶盖部，与载置于所述台上的所述框架相对；筒状的周侧部，从所述顶盖部的周边缘向所述台侧延伸；及矫正部件，从所述顶盖部和/或所述周侧部相对于载置于所述台上的所述框架突出，并且将所述框架向所述台推压来矫正所述框架的歪斜，在所述工序(ii)中，通过所述矫正部件校正所述框架的歪斜。根据本专利技术，能够抑制环状框架的歪斜导致的异常放电、传送载体的冷却不足。因此，能够提高等离子体处理的工艺稳定性。【附图说明】图1是概念性地表示本专利技术的第一实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的剖视图。图2是传送载体的俯视图。图3(a)是保持基板的传送载体的俯视图，图3(b)是其Illb-1IIb线剖视图。图4是表示本专利技术的第一实施方式涉及的等离子体处理装置的第二状态的剖视图。图5是表示载置于台上的传送载体和矫正部件的位置关系的俯视图。图6A是表示第二实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的主要部分放大剖视图。图6B是表示第二实施方式涉及的等离子体处理装置的第二状态的主要部分放大剖视图。图6C是作为第二实施方式涉及的从罩体的顶盖部内表面突出的矫正部件的突起部的立体图。图7A是表示第三实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的主要部分放大剖视图。图7B是表示第三实施方式涉及的等离子体处理装置的第二状态的主要部分放大剖视图。图7C是作为第三实施方式涉及的从罩体的周侧部内表面突出的矫正部件的分支部的立体图。图8A是表示第四实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的主要部分放大剖视图。图8B是表示第四实施方式涉及的等离子体处理装置的第二状态的主要部分放大剖视图。图8C是作为第四实施方式涉及的从罩体的周侧部内表面突出的矫正部件的环状凸缘部的剖切立体图。图9A是表示第五实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的主要部分放大剖视图。图9B是表示第五实施方式涉及的等离子体处理装置的第二状态的主要部分放大剖视图。图9C是作为第五实施方式涉及的从罩体的顶盖部及周侧部内表面突出的矫正部件的突起部的立体图。图10A是表示第六实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的主要部分放大剖视图。图10B是表示第六实施方式涉及的等离子体处理装置的第二状态的主要部分放大剖视图。图11A是表示第七实施方式涉及的等离子体处理装置的第一状态的主要部分放大剖视图。图11B是表示第七实施方式涉及的等离子体处理装置的第二状态的主要部分放大剖视图。【具体实施方式】下面，参考【附图说明】本专利技术的实施方式。其中，以下的说明并不限定本专利技术的技术范围。(第一实施方式)图1是概念性地表示作为本专利技术的第一实施方式涉及的等离子体处理装置的干蚀刻装置1的构造的剖视图。干蚀刻装置1是对具备环状框架7和保持片6的传送载体4所保持的基板2实施等离子体蚀刻作为等离子体处理的装置。所谓等离子体蚀刻是指，例如通过干蚀刻利用边界线(路线)切断形成有多个集成电路(1C)的硅晶片等基板2，将多个1C单片化的方法。干蚀刻装置1具备腔体(真空容器)3，该腔体3具有能够减压的处理室5。保持基板2的传送载体4从腔体3具有的能够开闭的出入口(未图示)传入处理室5。从工艺气体源12通过配管向腔体3所具备的气体导入口 3a供给等离子体产生所需要的气体。即，工艺气体源12及配管构成工艺气体供给部的至少一部分。另一方面，腔体3具有用于将处理室5内排气并进行减压的排气口 3b。排气口 3b与包括真空栗的减压机构14连接。在封锁干蚀刻装置1的腔体3的顶部的电介体壁8的上方配置有构成等离子体激发装置的上部电极(天线)9。上部电极9与第一高频电源10A电连接。另一方面，在处理室5的底部侧配置有台11，台11上载置有保持基板2的传送载体4。传送载体4以保持基板2的面朝向上部电极9的姿势载置于台11上。台11具备电极部15和保持电极部15的基台16。电极部15及基台16的外周被外装部17包围。电极部15由具有传送载体4的载置面18的薄的电介体部15b和具有制冷剂流路15a的金属部15c构成。制冷剂流路15a与制冷剂循环装置21连通，该制冷剂循环装置21使进行了温度调节的制冷剂当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，对具备环状框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理，其中，所述等离子体处理装置具备：腔体，具有能够减压的处理室；等离子体激发装置，使所述处理室内产生等离子体；台，载置有所述传送载体并设置于所述腔体内；冷却机构，用于对所述台进行冷却；罩体，覆盖载置于所述台上的所述传送载体的所述保持片的一部分和所述框架的至少一部分，并且具有使所述基板露出到等离子体的窗部；及移动装置，使所述罩体相对于所述框架的相对位置移动，所述罩体具备：顶盖部，与载置于所述台上的所述框架相对；筒状的周侧部，从所述顶盖部的周边缘向所述台侧延伸；及矫正部件，从所述顶盖部和/或所述周侧部相对于载置于所述台上的所述框架突出，并且将所述框架向所述台推压来矫正所述框架的歪斜。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：置田尚吾，水野文二，奥村智洋，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。