本发明专利技术涉及一种电极层，其包含用具有能吸收波长为400-1000nm的电磁辐射的抗衡阴离子的次甲基染料敏化且由氧化物半导体细颗粒制成的多孔膜。此外，本发明专利技术涉及一种包含所述电极层的光电转化器件、一种包含所述光电转化器件的染料敏化太阳能电池、一种包含所述光电转化器件的有机电子器件，和具有能吸收波长为400-1000nm的电磁辐射的抗衡阴离子的新型次甲基染料。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种包含用式(I)染料敏化且由氧化物半导体细颗粒制成的多孔膜的电极层：其中：n为1、2、3、4、5或6；R1和R2彼此独立地选自氢；未取代的C1‑C20烷基，其中烷基未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔；取代的C1‑C20烷基，其中烷基未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔；未取代的C1‑C20环烷基，其中烷基未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔；取代的C1‑C20环烷基，其中烷基未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔；未取代的C6‑C20芳基；取代的C6‑C20芳基；未取代的C6‑C20杂芳基；取代的C6‑C20杂芳基；或者R1可额外为式D的残基；各D独立地选自式D.1和D.2的残基：其中：*––––表示与式(I)化合物的其余部分的键；R17和R18彼此独立地选自未取代或取代的C1‑C20烷基、未取代或取代的C2‑C20链烯基、未取代或取代的C2‑C20炔基、未取代或取代的C7‑C20芳烷基、未取代或取代的C8‑C20芳基链烯基、未取代或取代的C8‑C20芳基炔基、未取代或取代的C6‑C20芳基、未取代或取代的杂芳基、未取代或取代的杂环基、未取代或取代的C4‑C20环烷基、未取代或取代的C5‑C20环烯基和未取代或取代的C6‑C20环炔基，其中烷基，链烯基，炔基，或芳烷基、芳基链烯基或芳基炔基中的脂族结构部分未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔，其中R14为氢、C1‑C20烷基或C6‑C10芳基；或者R17和R18与它们所连接的氮原子一起形成未取代或取代的5、6或7元环；或者R17和R20与R17所连接的氮原子以及R20和N‑R17所连接的苯环的碳原子一起形成未取代或取代的5、6或7元环；或者R17和R22与R17所连接的氮原子以及R22和N‑R17所连接的苯环的碳原子一起形成未取代或取代的5、6或7元环；和/或R18和R19与R18所连接的氮原子以及R19和N‑R18所连接的苯环的碳原子一起形成未取代或取代的5、6或7元环；R15、R16、R19、R20、R21、R22、R23和R24彼此独立地选自氢、NR25R26、OR25、SR25、NR25‑NR26R27、NR25‑OR26、O‑CO‑R25、O‑CO‑OR25、O‑CO‑NR25R26、NR25‑CO‑R26、NR25‑CO‑OR26、NR25‑CO‑NR26R27、CO‑R25、CO‑OR25、CO‑NR25R26、S‑CO‑R25、CO‑SR25、CO‑NR25‑NR26R27、CO‑NR25‑OR26、CO‑O‑CO‑R25、CO‑O‑CO‑OR25、CO‑O‑CO‑NR25R26、CO‑NR25‑CO‑R26、CO‑NR25‑CO‑OR26、未取代或取代的C1‑C20烷基、未取代或取代的C2‑C20链烯基、未取代或取代的C2‑C20炔基、未取代或取代的C7‑C20芳烷基、未取代或取代的C8‑C20芳基链烯基、未取代或取代的C8‑C20芳基炔基、未取代或取代的C6‑C20芳基、未取代或取代的杂芳基、未取代或取代的杂环基、未取代或取代的C4‑C20环烷基、未取代或取代的C5‑C20环烯基和未取代或取代的C6‑C20环炔基，其中烷基，链烯基，炔基，或芳烷基、芳基链烯基或芳基炔基中的脂族结构部分未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔；R25、R26和R27彼此独立地选自氢、未取代或取代的C1‑C20烷基、未取代或取代的C2‑C20链烯基、未取代或取代的C2‑C20炔基、未取代或取代的C7‑C20芳烷基、未取代或取代的C8‑C20芳基链烯基、未取代或取代的C8‑C20芳基炔基、未取代或取代的C6‑C20芳基、未取代或取代的杂芳基、未取代或取代的杂环基、未取代或取代的C4‑C20环烷基、未取代或取代的C5‑C20环烯基和未取代或取代的C6‑C20环炔基，其中烷基，链烯基，炔基，或芳烷基、芳基链烯基或芳基炔基中的脂族结构部分未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔；A为式A.1、A.2、A.3、A.4、A.5、A.6和A.7的残基：其中：#––––表示与式I化合物的其余部分的键；R29为残基G、氢、卤素、OR36、未取代或取代的C1‑C20烷基、未取代或取代的C2‑C20链烯基、未取代或取代的C2‑C20炔基、未取代或取代的C7‑C20芳烷基、未取代或取代的C8‑C20芳基链烯基、未取代或取代的C8‑C20芳基炔基、未取代或取代的C6‑C20芳基、未取代或取代的杂芳基、未取代或取代的杂环基、未取代或取代的C5‑C20环烷基、未取代或取代的C5‑C20环烯基和未取代或取代的C6‑C20环炔基，其中烷基，链烯基，炔基，或芳烷基、芳基链烯基或芳基炔基中的脂族结构部分未被间隔或被O、S、CO、NR14或其组合间隔；R3...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：山户齐，中道真司，高桥隆一，山本宏，R·森德，H·沃内博格，I·布鲁德，V·格陶蒂斯，R·卡什帕拉斯，T·马利瑙斯卡斯，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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