取代异噁唑衍生物制造技术

本发明专利技术涉及式I化合物，其中各取代基如权利要求书和说明书所定义。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
式I化合物及其N‑氧化物和可农用盐：其中A为CH或N；D为H、卤素或SRD，其中RD为氢、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C2‑C6链烯基、C2‑C6卤代链烯基、C2‑C6炔基、C2‑C6卤代炔基或CN；R1为氢、C1‑C8烷基、C1‑C8卤代烷基、C2‑C6链烯基、C2‑C6卤代链烯基、C2‑C6炔基、C2‑C6卤代炔基、C3‑C8环烷基、C3‑C8卤代环烷基、C1‑C6烷氧基、C1‑C6卤代烷氧基、C1‑C6烷氧基‑C1‑C6烷基、C1‑C6烷硫基、C1‑C6卤代烷硫基；其中R1的脂族和/或脂环族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3、4或5个相同或不同的基团R1a；其中R1a各自独立地选自卤素、OH、CN、硝基、C1‑C8烷氧基、C1‑C8卤代烷氧基、C1‑C8烷硫基、C1‑C8卤代烷硫基、C1‑C8烷基亚磺酰基、C1‑C8卤代烷基亚磺酰基、C1‑C8烷基磺酰基、C1‑C8卤代烷基磺酰基、C1‑C8烷基羰基、C1‑C8烷氧羰基、未取代的芳基，被1、2、3、4或5个独立地选择的R1b取代的芳基，未取代的饱和、部分不饱和或芳族杂环基以及被1、2、3、4或5个独立地选择的R1b取代的饱和、部分不饱和或芳族杂环基；R1b各自独立地选自卤素、OH、CN、硝基、NH2、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C2‑C4链烯基、C2‑C4卤代链烯基、C2‑C4炔基、C2‑C4卤代炔基、C3‑C6环烷基、C3‑C6卤代环烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷氧基、C1‑C3烷硫基、C1‑C3卤代烷硫基、C1‑C3烷基亚磺酰基、C1‑C3卤代烷基亚磺酰基、C1‑C3烷基磺酰基、C1‑C3卤代烷基磺酰基、C1‑C4烷基氨基、二‑C1‑C4烷基氨基、C1‑C4烷基羰基、C1‑C4烷基羰氧基、C1‑C4烷氧羰基、C1‑C4烷基羰基氨基；R2独立地选自如对R1所给取代基；或者R1和R2与它们所键合的碳原子一起形成可以为单环或多环或螺环的饱和或部分不饱和3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14员碳环或者可以为单环或多环或螺环的饱和或部分不饱和3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13或14员杂环，其中该杂环含有1、2、3或4个选自N、O和S的杂原子，或者其中该杂环含有S＝O和SO2之一作为环成员，并且其中该碳环或杂环未被取代或者带有1、2、3、4或5个独立地选自如下的取代基R12a：卤素、CN、NO2、OH、SH、NH2、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C1‑C4烷氧基‑C1‑C4烷基、C1‑C8烷氧基、C1‑C8卤代烷氧基、C1‑C8烷硫基、C1‑C8卤代烷硫基、C1‑C8烷基亚磺酰基、C1‑C8卤代烷基亚磺酰基、C1‑C8烷基磺酰基、C1‑C8卤代烷基磺酰基、C1‑C8烷基羰基、C1‑C8烷氧羰基、苯基和被1、2、3、4或5个独立地选择的R1b取代的苯基；并且其中该碳环或杂环的一个或两个CH2基团可以被独立地选自C＝CH2、C(＝O)和C(＝S)的基团替代；R3为氢、C1‑C6烷基、C2‑C6链烯基、C2‑C6炔基、C3‑C8环烷基、C3‑C8环烷基‑C1‑C6烷基、苯基、苯基‑C1‑C4烷基、苯基‑C2‑C4链烯基或苯基‑C2‑C4炔基；其中R3的脂族结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3个或至多最大可能数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R3a：R3a：卤素、OH、CN、硝基、C1‑C4烷氧基、C3‑C8环烷基、C3‑C8卤代环烷基和C1‑C4卤代烷氧基；其中R3的环烷基和/或苯基结构部分未被进一步取代或者带有1、2、3、4、5个或至多最大数目的相互独立地选自如下的相同或不同基团R3b：R3b：卤素、OH、CN、硝基、C1‑C4烷基、C1‑C4烷氧基、C1‑C4卤代烷基、C3‑C8环烷基、C3‑C8卤代环烷基和C1‑C4卤代烷氧基；n为0、1、2、3或4；R4各自独立地选自卤素、CN、NO2、OH、SH、C1‑C6烷基、C1‑C6烷氧基、C2‑C6链烯基、C2‑C6炔基、C3‑C8环烷基、C3‑C8环烷氧基、NH2、NH(C1‑C4烷基)、N(C1‑C4烷基)2、NH(C3‑C6环烷基)、N(C3‑C6环烷基)2、S(O)p(C1‑C4烷基)、C(＝O)(C1‑C4烷基)、C(＝O)(OH)、C(＝O)(O‑C1‑C4烷基)、C(＝O)(NH(C1‑C4烷基))、C(＝O)(N(C1‑C4烷基)2)、C(＝O)(NH(C3‑C6环烷基))和C(＝O)‑(N(C3‑C6环烷基)2)；其中R4各自未被取代或进一步被1、2、3或4个R4a取代；其中R4a各自独立地选自卤素、CN、NO2、OH、C1‑C4烷基、C1‑C4卤代烷基、C3‑C8环烷基、C3‑C8卤代环烷基、C1‑C4烷氧基和C1‑C4卤代烷氧基；Y...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·格拉梅诺斯，I·R·克雷格，N·布戴，B·米勒，E·M·W·劳特瓦瑟尔，J·K·洛曼，T·格尔特，E·哈登，A·埃斯克里巴诺奎斯塔，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE