【技术实现步骤摘要】
一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法
本专利技术涉及一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法,属于光电子材料制备
技术介绍
钙钛矿型半导体,尤其是钙钛矿型有机铅卤化物(CH3NH3PbX3,X=F,Cl,Br,I)因其成本低、效率高、禁带宽度可调,在太阳能电池、激光、光探测器、发光二极管等领域有着潜在的应用价值(J.Burschka,N.Pellet,S.-J.Moon,R.Humphry-Baker,P.Gao,M.K.Nazeeruddin,M.Gratzel,Nature2013,499,316)。在太阳能电池领域,仅三年时间,以该材料为基础的太阳能电池的光电转换效率超过了20%(N.-G.Park,TheJournalofPhysicalChemistryLetters2013,4,2423)。然而,钙钛矿型有机铅卤化物对空气和水分的极端敏感限制了其在光电子领域的应用。CH3NH3在空气状态下极其不稳定,有机铅钙钛矿降解迅速。Protesescu等人采用热注入法,将不同比例的卤素溶于十八烯中,并加入表面活性剂油酸和油胺,在氩气 ...
【技术保护点】
一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:首先将卤化铅和卤化铯溶于二甲基甲酰胺中,并加入表面活性剂油胺和油酸,搅拌完全溶解后得到前驱体溶液,然后将前驱体溶液以0.08~0.13mL/s的速度滴入不良溶剂中,匀速搅拌均匀即得无机卤素钙钛矿荧光量子点CsPbX3,式中X=AxB1‑x,0≤X≤1,所述的A和B选自Cl、Br、I中的任一种;其中,铯、铅与卤素的摩尔比为1:1:3。
【技术特征摘要】
1.一种室温大产率无机卤素钙钛矿荧光量子点的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:首先将卤化铅和卤化铯溶于二甲基甲酰胺中,并加入表面活性剂油胺和油酸,搅拌完全溶解后得到前驱体溶液,然后将前驱体溶液以0.08~0.13mL/s的速度滴入不良溶剂中,匀速搅拌均匀即得无机卤素钙钛矿荧光量子点CsPbX3,式中X=AxB1-x,0≤X≤1,所述的A和B选自Cl、Br、I中的任一种;其...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾海波,李晓明,吴晔,芮牧晨,
申请(专利权)人:南京理工大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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