带有有机硅结构的聚合物、负型抗蚀剂组合物、光固化性干膜和图案化方法技术

提供了带有有机硅结构的聚合物，其包含衍生自双(4-羟基-3-烯丙基苯基)衍生物的重复单元并具有3,000-500,000的Mw。包含所述聚合物的化学增幅型负型抗蚀剂组合物克服了将涂层从Cu或Al的金属配线、电极和SiN基材剥离的剥离问题。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】带有有机硅结构的聚合物、负型抗蚀剂组合物、光固化性干 膜和图案化方法 相关申请的夺叉引用 本非临时申请在美国法典第35卷第119节（a)款下要求2014年7月29日于日 本提交的第2014-153677号的专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用并入 本文。
本专利技术涉及：带有有机硅结构的聚合物；包含所述带有有机硅结构的聚合物的化 学增幅型负型抗蚀剂组合物，其可通过曝光至在具有低于500nm波长的近UV和远UV区的 紫外辐照如i线和g线而被图案化；使用所述抗蚀剂组合物的光固化性干膜；制备所述光 固化性干膜的方法；图案形成方法，其包括施加所述抗蚀剂组合物或干膜以在基材上形成 抗蚀剂膜或光固化性树脂层和图案化；以及通过固化所述抗蚀剂膜或光固化性树脂层获得 的用于保护电气/电子部件（例如配线、电路和电路板）的膜。本专利技术还涉及可用作所述 带有有机硅结构的聚合物的起始反应物的双（4-羟基-3-烯丙基苯基）衍生物。 负型抗蚀剂组合物的图案化膜作为保护膜被用于覆盖配线、电路、电路板等。然 而，当将负型抗蚀剂组合物形成的图案施加至配线、形成电路的金属（典型地Cu)层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
带有有机硅结构的聚合物，其包含通式(1)的重复单元并具有3,000至500,000的重均分子量，其中，R1至R4各自独立地为一价C1‑C8烃基，m为1至100的整数，a、b、c和d各自独立地为0或正数，e和f各自为正数，和a+b+c+d+e+f＝1，X为具有通式(2)的有机基团：其中，Z为选自由以下基团组成的组的二价有机基团,虚线线段表示价键，n为0或1，R5和R6各自独立地为C1‑C4烷基或烷氧基，k为0、1或2，Y为具有通式(3)的有机基团：其中，V为选自由以下基团组成的组的二价有机基团,虚线线段表示价键，p为0或1，R7和R8各自独立地为C1‑C4烷基或烷氧基，h为0、1或2，和W为具有...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹村胜也，浦野宏之，饭尾匡史，藤原敬之，长谷川幸士，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP