用于制造转换元件的方法技术

一种用于制造转换元件的方法包括以下步骤：提供具有表面的衬底；在该表面上构造第一掩膜结构，其中第一掩膜结构具有第一桥接片和布置在第一桥接片之间的第一开口，其中第一开口形成空腔，在所述空腔中衬底的表面是可接近的；在第一掩膜结构上布置第二掩膜结构，其中第二掩膜结构具有第二桥接片和布置在第二桥接片之间的第二开口，其中第一桥接片至少部分地通过第二桥接片覆盖，其中空腔通过第二开口至少部分地保持可接近的；通过第二开口将材料喷射到空腔中；去除第二掩膜结构；和去除第一掩膜结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及根据专利权利要求1的。
技术介绍
该专利申请要求德国专利申请10 2013 211 634.9的优先权，该德国专利申请的公开内容就此并入本文。在现有技术中已知光电子器件，其中借助转换波长的转换元件来转换光色。这样的光电子器件的转换元件具有发光物质，该发光物质被构造用于吸收具有第一波长的电磁辐射，并且随后发射具有第二、典型地更大波长的电磁辐射。用于发射不同波长的电磁辐射的不同的发光物质也可以相互组合。例如已知具有在蓝光谱范围中进行发射的发光二极管芯片的光电子器件，其中通过发光二极管芯片产生的蓝光借助转换元件被转换成白光。已知这样的转换元件被构造为薄板，所述薄板可以布置在光电子半导体芯片的发光表面上。从现有技术已知，转换薄板通过丝网印刷方法来制造。但是由此获得的转换元件具有相对大的形状公差。同样已知的是，转换元件被实现为冲压的陶瓷薄板。但是这伴随着尚的制造成本。
技术实现思路
本专利技术的任务在于，说明一种。该任务通过具有权利要求1的特征的方法来解决。在从属权利要求中说明不同的改进方案。—种包括以下步骤:提供具有表面的衬底；在该表面上构造第一掩膜结构，其中第一掩膜结构具有第一桥接片和布置在第一桥接片之间的第一开口，其中第一开口形成空腔，在所述空腔中衬底的表面是可接近的；在第一掩膜结构上布置第二掩膜结构，其中第二掩膜结构具有第二桥接片和布置在第二桥接片之间的第二开口，其中第一桥接片至少部分地通过第二桥接片覆盖，其中空腔通过第二开口至少部分地保持可接近的；通过第二开口将材料喷射到空腔中；去除第二掩膜结构；和去除第一掩膜结构。有利地，该方法能够实现多个转换元件的成本适宜的并行的制造。转换元件在此有利地以精确的并且准确定义的形状、特别是以锐利的棱来构造。由所喷射的材料构造转换元件有利地在选择材料组成时提供大的自由度，由此能够为不同的色范围实现转换元件的制造。在方法的一种实施方式中，在将材料喷射到空腔中之后，执行另外的步骤以用于硬化喷射到空腔中的材料。有利地，在硬化喷射到空腔中的材料期间由材料形成的转换元件由此以高精度获得通过布置在第一掩膜结构的第一桥接片之间的第一开口所确定的形状，由此可以有利地获得具有高形状精度的转换元件。在方法的一种实施方式中，通过热力方法进行喷射到空腔中的材料的硬化。有利地，由此可以成本适宜地并且以好的可重复性执行该方法。在方法的一种实施方式中，在去除第二掩膜结构和去除第一掩膜结构之间进行喷射到空腔中的材料的硬化。有利地，第一掩膜结构在去除第二掩膜结构之后裸露并且可以由此在喷射到空腔中的材料硬化之后被去除，而不损坏由所硬化的材料构成的转换元件。在方法的一种实施方式中，喷射到空腔中的材料形成转换元件。在此，该方法包括另外的用于从衬底的表面剥离转换元件的步骤。有利地，之后紧接着可以将转换元件带到其目标位置。例如可以将转换元件布置在光电子半导体芯片的发射光的表面上，以便形成光电子器件。在方法的一种实施方式中，通过翻转粘贴工艺进行转换元件的剥离。在此例如可以使用热释放薄膜。有利地，由喷射到空腔中的材料形成的转换元件可以直接从衬底的表面被转移至其目标位置。但是也可以中间存放转换元件。在方法的一种实施方式中，喷射到空腔中的材料具有转换波长的发光物质。于是，由喷射到空腔中的材料形成的转换元件有利地适合于将第一波长的电磁辐射转换成第二波长的电磁辐射。在方法的一种实施方式中，第一掩膜结构由胶形成。在此，第一掩膜结构例如可以按照光刻方法来结构化。这能够有利地实现第一掩膜结构以高精度和可重复性的灵活成形。在方法的一种实施方式中，通过借助溶剂溶解第一掩膜结构来进行第一掩膜结构的去除。有利地，在第一掩膜结构溶解之后，仅还由喷射到空腔中的材料形成的转换元件残留在衬底的表面上。在方法的一种实施方式中，第一掩膜结构具有塑料材料或金属。于是，第一掩膜结构可以有利地通过简单地放在衬底的表面上来构造。在方法的一种实施方式中，通过撕掉来去除第一掩膜结构。有利地，该方法由此能够特别简单并且节省时间地来执行。在方法的一种实施方式中，第二掩膜结构具有金属。于是，第二掩膜结构可以有利地在去除第二掩膜结构之后以该方法的重复而重新被使用。【附图说明】本专利技术的上述特性、特征和优点以及其如何实现的方式和方法在结合实施例的随后描述中变得更明白和更清楚地来理解，所述实施例结合附图详细地来解释。在此，在分别示意性的图中: 图1示出具有表面的衬底的截面； 图2示出衬底和布置在表面上的第一掩膜结构的截面； 图3示出衬底、第一掩膜结构和第二掩膜结构的截面； 图4示出衬底和掩膜结构连带喷射到掩膜结构的开口中的材料的截面； 图5示出在去除第二掩膜结构之后衬底和第一掩膜结构的截面；以及图6示出在去除第一掩膜结构之后衬底连带布置在表面上的转换元件的截面。【具体实施方式】图1示出衬底100的示意性的截面图。衬底100具有基本上平坦的表面101。在水平方向上，衬底100的表面101例如可以具有矩形的或圆盘形的形状。衬底100例如可以具有金属或塑料材料。衬底100的表面101也可以通过粘贴薄膜来形成。图2示出在图1的图示时间上随后的处理阶段中的衬底100的另外的示意性的截面图。在衬底100的表面101上构造有第一掩膜结构200。第一掩膜结构200具有上侧201和与上侧201相对的下侧202。第一掩膜结构200的下侧202朝向衬底100的表面101。第一掩膜结构200具有第一桥接片210，在所述桥接片之间构造有第一开口 220。在第一开口 220的区域中，衬底100的表面101是可接近的并且不被覆盖。第一桥接片210可以在衬底100的表面101上在横向方向上形成例如栅格、特别是例如矩形栅格。在该情况下，第一桥接片210之间的第一开口 220在横向方向上矩形地构造。第一掩膜结构200的由第一桥接片210包围的第一开口 220形成空腔。第一掩膜结构200的第一桥接片210在横向方向上(即在与衬底100的表面101的平面平行的方向上)分别具有第一宽度211。在垂直于衬底100的表面101的方向上，第一掩膜结构200的第一桥接片210分别具有第一高度212。第一宽度211例如可以位于ΙΟμπι和1mm或更大之间。第一高度212例如可以位于10 μm和500 μm之间。在两个相邻的第一桥接片210之间，每个第一开口 212具有第一直径221。第一直径221例如可以位于500μ m和3mm之间。第一掩膜结构200例如可以具有聚乙烯甲酸酯胶(PVA胶)、光刻胶、塑料处理或金属。第一掩膜结构200例如可以按照光刻方法被布置在衬底100的表面101上并且被结构化，以便形成第一桥接片210和布置在第一桥接片210之间的第一开口 220。但是，第一掩膜结构200也可以在第一掩膜结构200布置在衬底100的表面101上之前已经被结构化并且以所结构化的形状布置在衬底100的表面101上。图3示出在图2的图示时间上随后的处理阶段中的衬底100和第一掩膜结构200的示意性的截面图。第二掩膜结构300已经被布置在第一掩膜结构200上。第二掩膜结构300具有上侧301和与上侧301相对的下侧302。掩膜结构300的下侧302朝向第一掩膜结构200的上侧201。第二掩膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于制造转换元件（500）的方法，具有以下的步骤：－提供具有表面（101）的衬底（100）；－在所述表面（101）上构造第一掩膜结构（200），其中第一掩膜结构（200）具有第一桥接片（210）和布置在第一桥接片（210）之间的第一开口（220），其中第一开口（220）形成空腔，在所述空腔中衬底（100）的表面（101）是可接近的；－在第一掩膜结构（200）上布置第二掩膜结构（300），其中第二掩膜结构（300）具有第二桥接片（310）和布置在第二桥接片（310）之间的第二开口（320），其中第一桥接片（210）至少部分地通过第二桥接片（310）覆盖，其中所述空腔通过第二开口（320）至少部分地保持可接近的；－通过第二开口（320）将材料（400）喷射到空腔中；－去除第二掩膜结构（300）；－去除第一掩膜结构（200）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M里希特，M布格尔，
申请(专利权)人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE