TFT阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT阵列基板及其制作方法，以扫描线(2)的图案为掩模版，对衬底基板(1)进行干蚀刻，在衬底基板(1)与扫描线(2)的爬升斜坡(21)的相交处形成一过渡斜坡(13)，数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2)，相比于现有技术，能够使得在数据线与扫描线交叉处，数据线及绝缘层的爬坡较平缓，从而能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题，保证TFT阵列基板的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，平面显示器件因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，IXD)及有机发光二极管显示器件(Organic Light EmittingDisplay, OLED)。液晶显示器件和有机发光二极管显示器件都包括薄膜晶体管(Thin FilmTransistor, TFT)阵列基板，所述TFT阵列基板通常包括:衬底基板、若干条平行设置在所述衬底基板上的水平扫描线，若干条平行设置在所述衬底基板上与水平扫描线决绝交叉的竖直数据线，所述数据线与扫描线在空间相交界定出若干像素单元。所述像素单元内设有TFT，通过扫描线向TFT传输扫描信号，数据线向TFT传输数据信号，实现对像素单元的控制。在TFT阵列基板结构中，数据线与扫描线呈现十字交叉分布，不可避免的存在交叉点。请参阅图1，图1为数据线与扫描线交叉点处的剖面图，该处结构包括:设于衬底基板10上的扫描线M1、设于扫描线Ml上的绝缘层20、设于绝缘层20上的数据线M2。绝缘层20与数据线M2在翻过扫描线Ml时会形成倾斜直线式的爬坡结构30，在扫描线Ml与绝缘层20的相交处、以及数据线M2与绝缘层20的相交处会形成尖端31，由于扫描线Ml与数据线M2在工作时均带电，此时，在尖端31处容易出现静电击伤，击穿绝缘层20，使得扫描线Ml与数据线M2短路，导致显示面板的画面显示异常。由于在物理学中，带电的物体曲率越大(越尖)的区域电荷密度越高，越容易与其它与自身带相反电荷的物体发生静电释放，造成静电击伤，请同时参阅图1、图2与图3，并将三图进行对比，绝缘层20与数据线M2翻过扫描线Ml的爬坡结构30的坡度越陡，即扫描线Ml的侧壁与衬底基板10形成的夹角越大，绝缘层20与数据线M2位于扫描线Ml的侧壁上的膜厚越薄；在扫描线Ml的侧壁与衬底基板10形成的夹角达到或接近90°时会直接导致绝缘层20与数据线M2断裂，数据信号无法写入，影响显示面板的正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT阵列基板，能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题，保证TFT阵列基板的质量。本专利技术的目的还在于一种TFT阵列基板的制作方法，通过该方法制得的TFT阵列基板能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题，提升TFT阵列基板的制程良率，保证TFT阵列基板的质量。为实现上述目的，本专利技术提供一种TFT阵列基板，包括衬底基板、设于所述衬底基板上的数条平行排列的扫描线、覆盖所述数条扫描线及衬底基板的绝缘层、及设于所述绝缘层上的数条平行排列的数据线；所述数据线与扫描线在空间上垂直交叉；所述衬底基板包括:与所述扫描线的直接接触的第一部分、及与绝缘层直接接触的第二部分，所述衬底基板的第一部分的上表面高于第二部分的上表面，所述第一部分与第二部分通过过渡斜坡相连；所述扫描线的两侧面分别相对于所述衬底基板的第一部分的上表面倾斜，形成爬升斜坡；所述数据线及绝缘层经由该过渡斜坡、与爬升斜坡翻过扫描线。所述过渡斜坡呈圆弧状，圆弧的一端与所述衬底基板的第二部分的上表面相切，另一端与爬升斜坡相切。所述扫描线与数据线的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。所述衬底基板为玻璃基板，通过干蚀刻工艺形成所述第一部分、第二部分、及过渡斜坡。本专利技术还提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括如下步骤:步骤1、提供一衬底基板，在所述衬底基板上沉积并图案化第一金属层，形成数条平行排列的扫描线，所述扫描线的两侧面分别相对于所述衬底基板的上表面倾斜，形成爬升斜坡；步骤2、以所述扫描线的图案为掩模版，对衬底基板进行干蚀刻，在衬底基板与爬升斜坡的相交处形成过渡斜坡；所述过渡斜坡将衬底基板分成两部分:与所述扫描线直接接触的第一部分、及通过过渡斜坡与第一部分相连的第二部分，所述衬底基板的第一部分的上表面高于第二部分的上表面；步骤3、在所述衬底基板与扫描线上沉积覆盖绝缘层；步骤4、在所述绝缘层上沉积并图案化第二金属层，形成数条平行排列的数据线；所述数据线与扫描线在空间上垂直交叉，所述数据线及绝缘层经由所述过渡斜坡、与爬升斜坡翻过扫描线。所述过渡斜坡呈圆弧状，圆弧的一端与所述衬底基板的第二部分的上表面相切，另一端与爬升斜坡相切。所述第一金属层与第二金属层的材料均为钼、钛、铝、铜、镍中的一种或几种的堆栈组合。所述绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、或二者的组合。所述衬底基板为玻璃基板。本专利技术的有益效果:本专利技术提供的一种TFT阵列基板及其制作方法，以扫描线的图案为掩模版，对衬底基板进行干蚀刻，在衬底基板与扫描线的爬升斜坡的相交处形成一过渡斜坡，数据线及绝缘层经由该过渡斜坡、与爬升斜坡翻过扫描线，相比于现有技术，能够使得在数据线与扫描线交叉处，数据线及绝缘层的爬坡较平缓，从而能够防止数据线与扫描线交叉处的静电击伤、及数据线在爬坡区断开造成垂直断线的问题，保证TFT阵列基板的质量。【附图说明】为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为现有的TFT阵列基板中数据线与扫描线交叉点处的剖面图；图2为现有的TFT阵列基板中扫描线的侧壁与衬底基板形成的夹角变大时的剖面图；图3为现有的TFT阵列基板中扫描线的侧壁与衬底基板形成的夹角接近90°时的剖面图；图4为本专利技术的TFT阵列基板的扫描线与数据线交叉处的剖面图；图5为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的流程图；图6至图9分别为本专利技术的TFT阵列基板的制作方法的步骤1至步骤4的示意图。【具体实施方式】为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图4，本专利技术首先提供一种TFT阵列基板，包括:衬底基板1、设于所述衬底基板1上的数条平行排列的扫描线2、覆盖所述数条扫描线2及衬底基板1的绝缘层3、及设于所述绝缘层3上的数条平行排列的数据线4，所述数据线4与扫描线2在空间上垂直交叉。所述衬底基板1包括:与所述扫描线2的直接接触的第一部分11、及与绝缘层3直接接触的第二部分12，所述衬底基板1的第一部分11的上表面高于第二部分12的上表面，所述第一部分11与第二部分12通过过渡斜坡13相连；所述扫描线2的两侧面分别相对于所述衬底基板1的第一部分11的上表面倾斜，形成爬升斜坡21 ;所述数据线4及绝缘层3经由该过渡斜坡13、与爬升斜坡21翻过扫描线2。[0038当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的数条平行排列的扫描线(2)、覆盖所述数条扫描线(2)及衬底基板(1)的绝缘层(3)、及设于所述绝缘层(3)上的数条平行排列的数据线(4)；所述数据线(4)与扫描线(2)在空间上垂直交叉；所述衬底基板(1)包括：与所述扫描线(2)的直接接触的第一部分(11)、及与绝缘层(3)直接接触的第二部分(12)，所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面高于第二部分(12)的上表面，所述第一部分(11)与第二部分(12)通过过渡斜坡(13)相连；所述扫描线(2)的两侧面分别相对于所述衬底基板(1)的第一部分(11)的上表面倾斜，形成爬升斜坡(21)；所述数据线(4)及绝缘层(3)经由该过渡斜坡(13)、与爬升斜坡(21)翻过扫描线(2)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44