用于电子器件制造装置的指示器、以及该装置的设计及/或管理方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供一种指示器、以及使用上述指示器的装置的设计及/或管理方法，所述指示器在电子器件制造装置内，能够简便地检测是否均匀地对基板整体进行了选自包括等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体的组的至少一种的处理。一种指示器，其是在电子器件制造装置中使用的指示器，其特征在于，(1)所述指示器用于检测选自包括等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体的组的至少一种，(2)所述指示器的形状与在所述电子器件制造装置中使用的基板的形状相同，(3)所述指示器包括变色层，(4)所述变色层由墨液组合物形成，所述墨液组合物通过与选自包括等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体的组的至少一种发生反应而变色或脱色。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于电子器件制造装置的指示器、以及该装置的设计及/或管理方法。
技术介绍
以往，为了制造电子器件，而对基板(被处理基板)进行各种处理。例如，电子器件为半导体时，投入半导体晶圆(晶圆)之后，经过生成绝缘膜或金属膜的成膜工序、形成光致抗蚀剂图案的光刻工序、使用光致抗蚀剂图案对膜进行加工的蚀刻工序、在半导体晶圆形成导电层的杂质添加工序(也称作掺杂、或者扩散工序)、对具有凹凸的膜的表面进行抛光而使其平坦的CMP工序(化学机械抛光)等，进行用于检查图案的完成度或电特性的半导体晶圆电特性检查(有时将至此的工序总称为前工序)。之后，转移至形成半导体晶片的后工序。在前工序中，除上述工序外，还包括利用等离子体、臭氧、紫外线等的清洗工序；以及利用等离子体、含自由基气体等的光致抗蚀剂图案的去除工序(也称作灰化或灰化去除)等工序。另外，在上述成膜工序中，包括在晶圆表面使反应性气体发生化学反应而成膜的CVD、形成金属膜的溅射等，另外，在上述蚀刻工序中，可列举通过在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种指示器，其是在电子器件制造装置中使用的指示器，其特征在于，(1)所述指示器用于检测选自由等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体构成的组中的至少一种，(2)所述指示器的形状与在所述电子器件制造装置中使用的基板的形状相同，(3)所述指示器包括变色层，(4)所述变色层由墨液组合物形成，所述墨液组合物通过与选自由等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体构成的组中的至少一种发生反应而变色或脱色。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.22 JP 2013-1723221.一种指示器，其是在电子器件制造装置中使用的指示器，其特
征在于，
(1)所述指示器用于检测选自由等离子体、臭氧、紫外线、及含
自由基气体构成的组中的至少一种，
(2)所述指示器的形状与在所述电子器件制造装置中使用的基板
的形状相同，
(3)所述指示器包括变色层，
(4)所述变色层由墨液组合物形成，所述墨液组合物通过与选自
由等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体构成的组中的至少一种
发生反应而变色或脱色。
2.根据权利要求1所述的指示器，其特征在于，
所述指示器使用于对所述基板进行选自由氧化、氮化、成膜、杂
质添加、清洗及蚀刻构成的组中的至少一种工序的电子器件制造装置。
3.根据权利要求1或2所述的指示器，其特征在于，
所述指示器包括非变色层，所述非变色层不因与选自由等离子体、
臭氧、紫外线、及含自由基气体构成的组中的至少一种发生反应，而
变色或脱色。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的指示器，其特征在于，
所述变色层在基材的至少一个主面上相邻地形...

【专利技术属性】
技术研发人员：采山和弘，大城盛作，
申请(专利权)人：株式会社樱花彩色笔，
类型：发明
国别省市：日本;JP