基板的输送方法及其装置制造方法及图纸

一种单张输送方法及其装置，各台架１００、２００、３００……分别通过台架堆料机１３０、２３０、３３０……连接到台架间输送线４００。台架１００由该场合的平面形状为环状的单张输送线１２０和沿其长度输送方向（与台架间输送线４００的输送方向交叉的方向）并列设置的处理装置１０１－１０６构成。在该场合，处理装置１０１－１０３在单张输送线１２０的一方侧各邻接配置１台地并列设置。另外，余下的处理装置１０４－１０６在另一方侧各邻接配置１台地并列设置。处理装置１０１－１０６分别具有输送机械手１１－１６。处理装置１０１－１０６具有每次处理１张即单张晶片Ｗ的腔室。这样，即使对在台架内的各处理装置来说晶片的处理不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送和晶片输送装置与各处理装置的配合由其决定速度，这样，可防止处理量的下降。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种适合于在处理半导体基板、液晶基板或部件基板等基板(以下称晶片ウエハ)的装置间每次1张地输送(单张输送)晶片的单张输送方法及其装置。
技术介绍
作为在处理晶片的装置间单张输送晶片的现有技术，例如可列举出野崎胜弘的“专集LSI线的生产技术革命”，NIKKEI微型器件1993年8月号，25-32页记载的技术。该现有技术特别是公开出以下那样的内容。1.可有效地利用单张处理装置和组合工具(クラスタツ一ル)的自动化线。2.使台架(ベイ/bay)内输送多张化而可进行多品种变量生产的生产线的构想。3.由单张输送使品种和生产量可变。4.与单张处理装置组合可减少晶片的半成品张数。5.台架间使用成批输送。6.在批量生产开始时刻将不同工艺的处理室连到1台组合工具。如装置台数少，则生产能力也降低。由单独的组合工具也可连接多个相同的处理室或附加可进行多工艺处理的模块，模拟地提高处理能力。下面的内容由图示出。在平面形状为变形U字形的晶片输送系统的两侧配置多台多工艺装置，构成台架。即，在台架内的U字形的晶片输送系统的2列平行输送线分别沿其配置多台多工艺装置。在晶片输送系统的多个位置设置具有机械手的往复移动装置。在该输送线与各处理装置间设置I/O。另外，在这样的台架间的晶片的输送中采用成批输送系统。图1示出第2现有技术。图2为记载于半导体产业新闻2001年12月5日的图。该图为ITRS(International Technology Roadmap forSemiconductors)示出的晶片单张生产系统的模块自动化的例子。工序之间由采用了FOUP的25张单位的输送进行输送，在工序内由晶片单张单位进行直接输送。图中的黑圆圈表示晶片，工艺装置内和工艺装置间由晶片单位进行处理和输送。按照该系统，由晶片单张单位的处理和直接输送，使过去的FOUP输送的直到25张的晶片的等候时间成为零，不需要FOUP开启器(オ一プナ一)和EFEM这样的附属装置。而且，这样的事例也同样公开于例如林武秀“系统LSI制造俊敏さ“ガ”命单张生产·输送大幅度缩短TAT”，电子杂志2002年2月号，PP95-99。图2示出第3现有技术例。在图2中，设置有处理部、主输送装置、及送入送出部；该处理部在输送通道的两侧配置多个处理装置，该处理装置相对被处理基板进行抗蚀剂涂覆和曝光后的显影，并进行用于腐蚀显影后的被处理基板的一连串的处理；该主输送装置沿输送通道移动，在与各处理装置之间进行基板的转移；该送入送出部具有相对主输送装置转移被处理基板的输送机构；处理部的各处理装置、输送通道、及送入送出部一体设置。图3示出第4现有技术例。在图3中，在玻璃基板形成用于例如液晶显示器(LCD)的TFT阵列，沿着输送玻璃基板的输送装置的行走的输送通道，配置用于形成玻璃基板的一层的腐蚀装置、第1检查装置、抗蚀剂剥离装置、基板等候用缓冲装置、清洗装置、成膜装置、及第2检查装置，在输送通道的一端配置基板送入部，在输送通道的另一端于基板送出部以多级收容盒，而且使得输送装置可相对各盒存取地设置使台子升降的升降机构。在上述现有技术中，虽然台架的构成分别不同，但由于用于在各台架内输送晶片、被处理基板、玻璃基板的晶片输送系统、晶片单张直接输送系统、输送通道在所有的场合都共同地为单一体，所以，依然存在以下那样的必须解决的问题。1.台架内的晶片的输送和晶片的输送装置与各处理装置的晶片的配合由在各处理装置的晶片处理时间(及处理装置内的晶片输送时间)中的最长时间决定速度。为此，在台架内的晶片的输送和各处理装置的晶片的配合产生等候时间，台架内的处理量下降。这样，如上述现有技术例的特别是从图1-图3所示的第2-第4的现有技术例那样，对于各处理装置，在晶片处理不同的场合明显地产生这样的问题。2.例如在2个FOUP内的晶片的处理内容对于各FOUP不同的场合，例如一方的FOUP内的晶片为等离子腐蚀处理、另一方的FOUP内的晶片为等离子CVD处理，两者不同，在这些处理存在处理时间的长短。为此，在台架内的晶片的输送及晶片的输送装置与各处理装置的晶片的配合由处理时间长的该场合的等离子CVD处理决定速度。为此，台架内的晶片特别是等离子腐蚀处理的晶片的输送和各腐蚀装置的晶片的配合产生等候时间，台架内的处理量下降。3.即使在台架内的各处理装置中的晶片处理相同(例如处理内容、条件等)，由于在台架内输送装置的晶片的输送时间与各处理装置内的处理时间+处理装置内的晶片的输送时间不同，所以，台架内输送装置与各处理装置的晶片的配合及台架内的晶片的输送存在产生混乱的危险性，由此可能导致台架内的处理量的下降。4.在处理时间长的晶片与处理时间短的晶片混合存在于台架内输送线的场合，即使处理时间短的晶片的处理结束，由于在输送线中处于其前面的处理时间长的晶片的处理不结束，所以，不能进行从处理装置到输送线的输送及到输送线的下一处理装置的输送。即，产生等候时间。在这样的现有技术中，不进行处理时间短的晶片与处理时间长的晶片的输送线的分开使用这样的识别。因此，在这样的现有技术中，输送时间由处理时间较长一方决定速度。为此，处理时间也变晚，整体的速度下降，从而使台架整体的处理量下降。5.在多品种小批量生产的场合，当在1个晶片输送线上来了需要特急处理的晶片时，如存在带有机械手的往复移动装置并且该机械手具有通常的处理晶片，则其成为障碍，不能立即移动到指定的装置。为此，对于需要特急处理的晶片产生等候时间。为此，该晶片的处理很费时间，不能对应多品种小批量生产，处理量下降。6.晶片输送线的带有机械手的往复移动装置例如当一个出现故障时，使台架内的输送线停止，不能将晶片输送到多工艺装置。为此，不能由多工艺装置处理晶片，台架内的各晶片的处理停止。另外，该台架内的输送线、各多工艺装置的停止使得不能进行从该台架到其它台架的晶片的输送，此外的台架的晶片处理也停止。从而使相关台架的晶片处理全部停止。
技术实现思路
本专利技术就是为了解决上述问题以达到以下目的。本专利技术的第1目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在晶片的处理对各台架内的各处理装置不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片配合由其决定速度，由此防止处理量的下降。另外，本专利技术的第2目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在晶片的处理内容对保持晶片的装置不同的场合，也可防止台架内的晶片的输送及晶片输送装置与各处理装置的晶片配合由其决定速度，由此防止处理量的下降。另外，本专利技术的第3目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置可防止在台架内的晶片处理相同的场合可能发生的台架内输送装置与各处理装置的晶片配合及台架内的晶片输送的混乱，由此可防止台架内的处理量的下降。另外，本专利技术的第4目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在混合存在处理时间不同的晶片的场合，也可分开使用处理时间短的晶片与处理时间长的晶片，防止处理量下降。另外，本专利技术的第5目的在于提供一种单张输送方法及其装置，该单张输送方法及其装置即使在多品种小批量生产的场合下需要特急处理的晶片来到时，也可防止该晶片的处理花费较多时间，防止处理量下降。另外，本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板输送方法，包括由输送线对基板进行单张输送的步骤、由可与上述输送线同时输送地设置的另一输送线对上述基板进行单张输送的步骤、在沿上述输送线和另一输送线配置的多个处理装置与上述输送线和另一输送线之间按单张转移和输送上述基板的步骤、分开使用上述输送线和上述另一输送线实施上述基板的单张输送的步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：内牧阳一，江川优子，加治哲德，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：JP[日本]