离子碾磨装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】离子碾磨装置
本专利技术涉及离子碾磨装置，尤其涉及具备冷却机构的离子碾磨装置。
技术介绍
作为SEM用的试样制作方法一般存在冷冻断裂法、切片法、机械研磨法等，适合比较大且坚固的试样。然而，在冷冻断裂法中，难以得到目标观察面，另外难以得到平滑的截面。就切片法而言，是用刀来制作试样截面的方法，在比较软的试样等中，因为应力而难以得到平滑的截面，而且操作人员需要熟练的技术。在机械研磨法中，一般进行树脂包埋，使用水或润滑剂来对试样截面进行研磨，因此在比较小且软的试样等中，存在树脂包埋、研磨较为困难的情况，并且难以对不能接触水等的试样实施。因此，作为无应力地进行试样截面制作的方法，近年来一般采用使用离子束的截面制作。作为将离子束照射至试样来进行试样的截面制作的方法，提出以下的离子碾磨装置以及方法的方案，在进行了真空排气的试样室内，将使用了溅射率小的材料的遮蔽板配置在试样的上面，使试样的一部分从遮蔽板的端面露出50～200μm左右并从试样上面侧(遮蔽板侧)照射离子束，利用物理溅射现象从试样表面击飞原子，无应力地得到沿遮蔽板的端面的形状的碾磨面。一般情况下，扫描电子显微镜试样的离...
【技术保护点】
一种离子碾磨装置，具备支撑被离子束照射的试样的试样台，上述离子碾磨装置的特征在于，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.06.10 JP 2013-1214131.一种离子碾磨装置，具备支撑被离子束照射的试样的试样台，上述离子碾磨装置的特征在于，具有支撑将上述试样的一部分暴露于上述离子束并将该试样相对于离子束遮蔽的遮蔽件的遮蔽件支撑部件、和控制该遮蔽件支撑部件与上述试样台的至少一方的温度的温度控制机构，具备在上述离子束的照射中使上述试样台的与试样的接触面追随上述试样的变形而移动的移动机构、和配置在上述遮蔽件与试样之间并在上述离子束的照射中追随上述试样的变形而变形的试样保持部件中的至少一个。2.根据权利要求1所述的离子碾磨装置，其特征在于，上述移动机构包括将上述试样朝向上述遮蔽件按压的按压部件。3.根据权利要求2所述的离子碾磨装置，其特征在于，上述按压部件包括按压上述试样的弹性体。4.根据权利要求3所述的离子碾磨装置，其特征在于，上述弹性体为弹簧。5.根据权利要求2所述的离子碾磨装置，其特征在于，在上述遮蔽件支撑部件设置有因上述按压部件的按压而使上述遮蔽件支撑部件变形的槽。6.根据权利要求1所述的离子碾磨装置，其特征在于，上述试样保持部件由多孔部件构成。7.根据权利要求6所述的离子碾磨装置，其特征在于，在上述试样保持部件的孔填充有传递热的液体。8.根据权利要求1所述的离子碾磨装置，其特征在于，上述温度控制机构是对上述试样进行冷却的冷却机构。9.一种离子碾磨装置，具备支撑被离子束照射的试样的试样台，上述离子碾磨装置的特征在于，具备：支撑将上述试样的一部分暴露于上述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金子朝子，高须久幸，武藤宏史，岩谷彻，许斐麻美，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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