【技术实现步骤摘要】
核电站主泵密封室的检修方法
本专利技术涉及一种核电站主泵的检修方法,尤其涉及一种核电站主泵密封室的检修方法。
技术介绍
核电站主泵,即核电站反应堆冷却剂泵,其在机组运行期间主要驱动冷却剂在RCP系统(反应堆冷却剂系统)内循环流动,连续不断地把堆芯中产生的热量传递给蒸汽发生器二次侧给水。主泵正常运行在高温(292℃)、高压(15.5MPa)、高辐射的特殊运行环境下,在核电站安全运行中占有极其重要的地位,并对主泵有着非大修和紧急状态下不可停运的要求,进而对主泵的状态监测显得尤为重要。主泵是由三相感应式异步电机驱动的立式、单级、轴密封机组。从上到下分别布置有惰转飞轮、三相感应式电机和水泵,电机转子和泵轴在支撑筒的位置通过联轴节相连;整个泵组垂直支撑是布置在地面和泵壳支撑脚之间、采用球形铰接方式的三根立柱组成。一号密封室上部螺栓连接着二号/三号密封,下部连接着热屏,在主泵范围内其与热屏、扩散器、泵壳一起构成了一回路的压力边界,因此一号密封室属于核一级部件。该密封室是主泵一号密封的壳体,是主泵的核心部件,其材料为Z2CN19-10(控氮)不锈钢锻件,为保持部件的可靠性,在定期维修期间需对部件的尺寸特征参数和安装配合表面进行仔细的测量、检查、记录、分析,一号密封室的解体和回装过程中后经常发现存在局部尺寸变形、间隙超差、表面凹坑/划痕等缺陷形式,为了应对当前已经存在以及未来可能出现(细小裂纹)的缺陷形式,有必要设计一种对该密封室进行检查、评估及修复的方法。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于,提供一种操作简单的核电站主泵密封室的检修方法。本专利技术解决其技术问题所 ...
【技术保护点】
一种核电站主泵密封室的检修方法,用于核电站主泵的一号密封室,其特征在于,包括以下步骤:A.尺寸测量;和/或,B.缺陷检查;所述步骤A包括:A1、将所述一号密封室筒体中部的内周表面作为第一基准面;A2、在所述第一基准面的基础上约定生成第二基准面,所述第一基准面和所述第二基准面的同轴度形位公差在0.1mm以内;A3、在所述第二基准面的基础上约定生成第三基准面,所述第三基准面和所述第二基准面的垂直度形位公差在0.05mm以内;所述第三基准面的表面粗糙度≤1.6μm;A4、根据确定的所述第一基准面、第二基准面和第三基准面,对所述一号密封室的各部位进行测量;所述步骤B包括:B1、对所述一号密封室的各表面是否有缺陷进行检查; B2、对所述一号密封室的各表面进行液体渗透检查,以测出缺陷;所述缺陷均包括划痕、凹坑、裂纹。
【技术特征摘要】
1.一种核电站主泵密封室的检修方法,用于核电站主泵的一号密封室,其特征在于,包括以下步骤:A.尺寸测量;或者,A.尺寸测量和B.缺陷检查;所述步骤A包括:A1、将所述一号密封室筒体中部的内周表面作为第一基准面;A2、在所述第一基准面的基础上约定生成第二基准面,所述第一基准面和所述第二基准面的同轴度形位公差在0.1mm以内;A3、在所述第二基准面的基础上约定生成第三基准面,所述第三基准面和所述第二基准面的垂直度形位公差在0.05mm以内;所述第三基准面的表面粗糙度≤1.6μm;A4、根据确定的所述第一基准面、第二基准面和第三基准面,对所述一号密封室的各部位进行测量;所述步骤B包括:B1、对所述一号密封室的各表面是否有缺陷进行检查;B2、对所述一号密封室的各表面进行液体渗透检查,以测出缺陷;所述缺陷均包括划痕、凹坑和裂纹。2.根据权利要求1所述的核电站主泵密封室的检修方法,其特征在于,所述步骤A4的测量包括以下A4.1至A4.8中的一种或多种:A4.1、测量所述一号密封室上与密封组件密封配合处的内径,自身标准尺寸-0.01mm≤内径≤自身标准尺寸+0.04mm;该内径所对应的圆周面与所述第一基准面的同轴度形位公差要求≤0.1mm,该圆周面的表面粗糙度≤3.2μm;A4.2、测量所述一号密封室的上部内径,自身标准尺寸-0.03mm≤上部内径≤自身标准尺寸+0.08mm;该上部内径所对应的圆周面与所述第二基准面的同轴度形位公差≤0.05mm,该圆周面的表面粗糙度≤1.6μm;A4.3、测量所述一号密封室上与密封静环配合处的内径,自身标准尺寸-0.02mm≤内径≤自身标准尺寸+0.03mm;该内径所对应的圆周面与所述第二基准面的同轴度形位公差要求≤0.05mm,该圆周面的表面粗糙度≤1.6μm;A4.4、测量所述一号密封室上与导流套配合部位的外径,自身标准尺寸≤外径≤自身标准尺寸+0.10mm;该外径所对应的圆周面的表面粗糙度≤6.3μm;A4.5、测量所述一号密封室上与热屏配合止口处的外径,该外径对应的圆周面与所述第二基准面的同轴度形位公差要求≤0.05mm,该圆周面的表面粗糙度≤3.2μm;A4.6、测量所述一号密封室上法兰的厚度,相对于所述第三基准面,自身标准尺寸-0.50mm≤厚度≤自身标准尺寸+0.50mm;A4.7、测量所述一号密封室顶部表面到所述一号密封室上与热屏配合表面的距离,自身标准尺寸-0.20mm≤距离≤自身标准尺寸+0.20mm;所述顶部表面与所述第三基准面之间的平行度形位公差要求≤0.05mm,该顶部表面的表面粗糙度≤3.2μm;A4.8、测量所述一号密封室顶...
【专利技术属性】
技术研发人员:高培,安建军,刘军生,陈英杰,吴小锋,刘超,毛文军,裴宏宇,
申请(专利权)人:中广核核电运营有限公司,中国广核集团有限公司,中国广核电力股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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