R-T-B系烧结磁体制造技术

为了解决B浓度降低所导致的Br大幅降低、以及HcJ不能充分满足近年来的要求的问题，本发明专利技术提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HcJ的R-T-B系烧结磁体。该R-T-B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，且具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，在R-T-B系烧结磁体中存在有厚度为5nm以上且30nm以下的所述第一晶界。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术设及R-T-B系烧结磁体。
技术介绍
作为永久磁体中性能最高的磁体，已知有WNdsFe^B型化合物作为主相的R-T-B 系烧结磁体巧为稀±元素中的至少一种，且一定包含Nd;T为过渡金属元素，且一定包含 化），其被用于混合汽车用途、电动汽车用途、家电产品用途的各种发电机等。 但是，在高溫条件下，R-T-B系烧结磁体的矫顽力H。^下文有时将其简记作"He/') 降低，产生不可逆热减磁。因此，特别是将其用于混合汽车用、电动汽车用发电机时，要求在 局溫下也能保持较局的Hej。 一直W来，为了提高H。^，在R-T-B系烧结磁体中大量添加重稀±元素（主要是 Dy),然而存在着残留磁通密度氏（下文有时将其简记作"B/')降低的问题。因此，近年来 采用的方法是：使重稀±元素由R-T-B系烧结磁体的表面扩散至内部，从而使重稀±元素 在主相结晶粒的外壳部高浓度化，抑制化的降低，同时获得较高的&J。 阳0化]基于Dy受到出产地的限制等理由，存在供给不稳定、价格浮动等问题。因此，亟需 尽可能不使用Dy等重稀±元素、且可使R-T-B系烧结磁体的H。^得到提高的技术。 专利文献1中记载：通过降低常规的R-T-B系合金的B浓度，同时包含选自Al、Ga 和化中的1种W上的金属元素MW生成R2T。相，可通过充分确保W该R2T。相为原料生成 的富过渡金属相（ReTisM)的体积率，获得抑制Dy的含量且矫顽力较高的R-T-B系稀±类烧 结磁体。 现有技术文献 阳00引专利文献 专利文献1 :国际公开第2013/008756号
技术实现思路
专利技术要解决的问题 W11] 但是与历来的技术相比，专利文献1中大幅降低了B浓度，因此，主相的存在比例 变低，存在Bf大幅降低的问题。此外，尽管H。^得到了提高，仍然不能满足近年来的要求。 本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种不使用Dy、且具有较 高的Br和较高的H的R-T-B系烧结磁体。[001引解决问题的手段 本专利技术的实施方式1是一种R-T-B系烧结磁体，其特征在于，所述R-T-B系烧结磁 体WNdzFeyB型化合物作为主相，具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界W及存在于 S个W上主相间的第二晶界，且存在有厚度为5nmW上且30nmW下的所述第一晶界。 本专利技术的实施方式2是根据实施方式1所述的R-T-B系烧结磁体，其特征在于， R:13. 0原子％W上且15原子％W下，R为Nd和/或Pr;B:5. 2原子％W上且5. 6原子％W下； 阳0化]Ga:0. 2原子％W上且1. 0原子％W下； Al:0. 69原子％ ^下并包含0原子％ ; 余量由T和不可避免的杂质构成，T为过渡金属元素，且一定包含化。 本专利技术的实施方式3是根据实施方式2所述的R-T-B系烧结磁体，其特征在于，还 包含0.01原子％W上且1.0原子％ ^下的化。 本专利技术的实施方式4是根据实施方式2或3所述的R-T-B系烧结磁体，其特征在 于，Al为0. 3原子％ ^下并包含0原子％。 本专利技术的实施方式5是根据实施方式2~4的任一项所述的R-T-B系烧结磁体， 其特征在于，B为5. 2原子％W上且5. 43原子％W下。 本专利技术的实施方式6是根据实施方式2~5的任一项所述的R-T-B系烧结磁体， 其特征在于，满足下述式（1): 阳0巧]0. 8《<Ga〉/(l/17X100-<B>)《3. 0 (1) 式中，<Ga>是W原子％表示的Ga量，<B>是W原子％表示的B量。 本专利技术的实施方式7是根据实施方式6所述的R-T-B系烧结磁体，其特征在于，满 足下述式（2): 1. 03《<Ga〉/ (1/17X100-<B>)《1. 24 似 式中，<Ga>是W原子％表示的Ga量，<B>是W原子％表示的B量。 本专利技术的实施方式8是根据实施方式3或引用实施方式3的实施方式4~7的任 一项所述的R-T-B系烧结磁体，其特征在于，满足下述式（3): 1. 0《<Ga+Cu〉/ (1/17X100-<B>)《3. 0 (3) 阳03引式中，<Ga+化〉是W原子％表示的Ga和化的总量，<B>是W原子％表示的B量。 本专利技术的实施方式9是根据实施方式1~8的任一项所述的R-T-B系烧结磁体， 其特征在于，所述第一晶界的厚度为10皿W上且30皿W下。 本专利技术的实施方式10是根据实施方式2~9的任一项所述的R-T-B系烧结磁体， 其特征在于，B量与R量的原子数之比满足下述式（4): 0. 37《<B〉/<R>《0. 42 (4) 式中，<B>是W原子％表示的B量，<R>是W原子％表示的R量。 本专利技术的实施方式11是根据实施方式2~10的任一项所述的R-T-B系烧结磁体， 其特征在于，所述第一晶界的化或者（Fe+Co)的含量为20原子％ ^下且包含0原子％。 阳0測专利技术效果 按照本专利技术，可W提供一种不使用Dy、且具有较高的Br和较高的HeJ的R-T-B系烧 结磁体。【附图说明】 图1 :是表示表2中的Br和HeJ的结果的图。 图2 :图2(a)、化）是说明第一晶界的厚度的测定方法的模式图。【具体实施方式】 本专利技术人等为了解决上述问题进行了深入研究，结果发现：如上述本专利技术实施方 式1所示，通过在R-T-B系烧结磁体中存在厚度为加mW上且30皿W下的第一晶界（下文 有时将其简记作"二晶粒晶界"），可获得即使不使用Dy、也具有较高的Bf和较高的H的 R-T-B系烧结磁体。 阳043] 对于通过存在厚度为加mW上且30皿W下的第一晶界而获得即使不使用Dy、也具 有较高的Bf和较高的H的R-T-B系烧结磁体的机理尚不明确。基于现有已知的认识，本 专利技术人等所理解的机理如下说明。需要注意的是，对于机理的如下说明，并不对本专利技术的技 术范围有所限定。 普遍认为，R-T-B系烧结磁体中的第一晶界（二晶粒晶界）的组成、厚度会对R-T-B系烧结磁体的磁化反转行为产生巨大影响。例如，若二晶粒晶界的厚度较薄，无法充 分地切断晶粒之间的磁性结合，因此，可W预测到容易超过晶粒而传导磁化反转，难W获得 较高的H。^。作为增厚H。^二晶粒晶界的手段，可W考虑在烧结、热处理中确保液相（晶界） 的量。但是，例如在作为R-T-B系烧结磁体通常所采用的NdwFewB洽金中，为了增加液相 量，即使单纯地增加了R量，在利用TEM(透射型电子显微镜）等手段所测定的二晶粒晶界 的厚度至多也不超过5皿，难W将其增加至加mW上的厚度。 而且，本专利技术人等着眼于近年来所认识到的在二晶粒晶界中存在大量化（例如， 文献名：比S^ehri-Amin.et.al，ActaMaterialia60,P819 (2012)中记载）运一事实，且 基于此认为，大量存在上述化的二晶粒晶界的物性，会是无法充分增厚二晶粒晶界的厚度 的一个原因。本专利技术人等进行了深入研究，结果发现：通过使R-T-B系烧结磁体中的B量降 低至低于化学当量比、同时使其含有Ga,在晶界中生成R-T-Ga相而替代RzTn相，由此可降 低二晶粒晶界中的化的含量，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种R‑T‑B系烧结磁体，其特征在于，所述R‑T‑B系烧结磁体以Nd2Fe14B型化合物作为主相，具有所述主相、存在于两个主相间的第一晶界以及存在于三个以上主相间的第二晶界，且存在有厚度为5nm以上且30nm以下的所述第一晶界。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西内武司，国吉太，石井伦太郎，川田常宏，
申请(专利权)人：日立金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP