本发明专利技术涉及具有化学式(I)的吡咯酮化合物其中X、Rb、Rc、R1、R2和R3是如在说明书中所定义的。此外，本发明专利技术涉及用于制备具有化学式(I)的化合物的方法和中间体，涉及包含这些化合物的除草组合物并且涉及使用这些化合物控制植物生长的方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】除草化合物 本专利技术设及某些经取代的化咯酬衍生物，设及用于制备它们的方法，包含它们的 除草组合物W及它们在控制植物或抑制植物生长中的用途。 具有W下化学式的除草化咯酬 其中A是例如0H，R是H、面素、烷基、面代烷基或烷氧基，R哇R3各自是H、面素、 烷基、面代烷基、烷氧基烷基，或R2和R3-起形成3至7元环；披露于EP0297378A2中。 存在的一个问题是提供替代性除草化咯酬。 存在的另一个问题是提供相对于已知化合物具有改进的效力的除草化合物。 存在的另一个问题是提供相对于已知化合物具有改进的活性谱的除草化合物。 存在的另一个问题是提供相对于已知化合物具有增强的选择性的除草化合物。 由本专利技术解决运些问题W及本领域的其他问题。 专利技术概述 在第一方面中，本专利技术提供了具有化学式（I)的化合物[001引其中X选自S和 0; Rb选自氨，甲酯基，径基，面素，硝基，氯基，C I-Cs烷基，C I-Ce氯基烷基，C I-Ce面代烧 基，〔1-〔6径基烷基，C2-Cg締氧基C I-Cg烷基，C I-Cg烧硫基，C I-Cg烷氧基，C I-Cg烷氧基C I-Cg 烷基，Q-Cg烧硫基CI-Cg烷基，CI-Cg氛基烷氧基，CI-Cg面代烷氧基，CI-Cg烷氧基CI-Cg烧氧 基，Cz-Cs締基，C2-Cs烘基，C2-Ce氯基締基，C2-Ce氯基烘基，C2-Ce締氧基，C2-Ce烘氧基，C2-Ce 面代締基，Cz-Ce面代烘基，Cz-Ce面代締氧基，Cz-Ce面代烘氧基，CI-Ce烷氧基Cz-Ce締基， Ci-Ce烷氧基C2-Ce烘基，CI-Ce烷基亚横酷基，CI-Ce烷基横酷基，CI-Ce面代烧硫基，CI-Ce面 代烷基亚横酷基，Ci-Ce面代烷基横酷基，CI-Ce烷基横酷氧基，CI-Ce烷基幾基，CI-Ce面代烧 基幾基，Cz-Ce締基幾基，C2-Ce烘基幾基，C2-Ce面代締基幾基，C2-Ce面代烘基幾基，立CI-Ce 烷基甲娃烷基Cz-Ce烘基，CI-Ce烷基酷胺基，基团R5R6N-,基团R5C(O)N(R6)-I基团R5S0)2) N(RS)-，基团R5R6NS02-，基团R5R6NC做Ci-Ce烷基，任选地被从1至3个独立地选自面素、硝 基、氯基、Ci-Cs烷基、CI-Cs烷氧基、CI-Cs面代烷基和CI-Cs面代烷氧基的基团取代的Ce-Ci。 芳氧基基团，任选地被从1至3个独立地选自面素、硝基、氯基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、 Ci-Cs面代烷基和CI-Cs面代烷氧基的基团取代的Ce-Ci。芳基CI-Cs烷基基团，任选地被从1 至3个独立地选自面素、硝基、氯基、Ci-Cs烷基、CI-Cs烷氧基、CI-Cs面代烷基和CI-Cs面代 烷氧基的基团取代的Ce-Ci。节氧基基团，任选地被从1至3个独立地选自C1-C4烷基的基团 取代的Cs-Ce杂环基基团，任选地被从1至3个独立地选自面素、氯基、CI-Ce烷氧基和CI-Ce 烷基的基团取代的Cs-Ce环烷基基团W及任选地被从1至3个独立地选自面素、氯基、CI-Ce 烷氧基和Ci-Ce烷基的基团取代的Cs-Ce环締基基团；[001引r选自氨、面素、氯基、CI-Ce烷基W及CI-Ce面代烷基；或Rb和RE连同它们附接的碳原子一起形成3-7元饱和或部分不饱和环，该环任选 地包含从1至3个独立地选自S、0和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自面 素、Ci-Ce烷基和CI-Ce面代烷基的基团取代；[001引Ri是面素并且R2是C1-C3烷基、C1-C3烷氧基或-NR 或R1是C1-C3烷氧基并且 R2是面素、CI-Cs烷基、CI-Cs烷氧基，或R1是CI-Cs烷基并且R2是CI-Cs烷氧基；[001引R3选自面素、径基或W下基团中的任一个R5和R6独立地选自氨、CI-Ce烷基、CI-Ce面代烷基、C2-Ce締基、C2-Ce烘基，或R5和 R6连同它们附接的碳原子一起形成3-6元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3 个独立地选自S、0和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自面素和Ci-Ce烷基的 基团取代；R7和R8独立地选自氨，CI-Ce烷基，CI-Ce面代烷基，C2-Ce締基，C2-Ce烘基，包含从 1至4个独立地选自N、0和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自面素、Ci-Cs烷基、 面代烷基和CI-Cg烷氧基的基团取代的可W是单环的或双环的Cg-Ci。杂芳基基团，任选 地被1至3个独立地选自面素、硝基、氯基、Ci-Cs烷基、CI-Cs烷氧基、CI-Cs面代烷基和CI-Cs 面代烷氧基的基团取代的Ce-Ci。芳基基团，或R7和RS连同它们附接的原子一起形成3-6元 饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、0和N的杂原子并且任选 地被从I至3个独立地选自面素或Ci-Ce烷基的基团取代；R9选自CI-Ce烷基或任选地被1至3个独立地选自面素、硝基、氯基、CI-Cs烷基、 Ci-Cs烷氧基、CI-Cs面代烷基和CI-Cs面代烷氧基的基团取代的苄基；Rin选自H、CI-Ce烷基、CI-Ce烷氧基-CI-Ce烷基、C环烷基、C环烷基-CI-Ce 烷基、Cz-Ce締基W及C2-Ce烘基；[002引Rii选自H和CI-Ce烷基， 或其N-氧化物或盐形式。 在第二方面中，本专利技术提供了包含本专利技术的化合物连同至少一种农业上可接受的 佐剂或稀释剂的除草组合物。 在第=方面中，本专利技术提供了本专利技术的化合物或组合物作为除草剂的用途。 在第四方面中，本专利技术提供了一种控制有用植物的作物中的杂草的方法，该方法 包括向所述杂草或向所述杂草的场所或向所述有用作物植物施用本专利技术的化合物或组合 物。 在第五方面中，本专利技术设及有用于制备本专利技术的化合物的方法。 在第六方面中，本专利技术设及有用于制备本专利技术的化合物的中间体。[00础详细说明[003引在本专利技术的特别优选的实施例中，X、Rb、r、R\ R2和R3的优选基团W其任何组合 是如W下列出的。 优选地，X为0。 优选地，Rb选自CI-Cs烷基，CI-Ce面代烷基，C2-Cs締基，CI-Ce氯基烷基，CI-Ce烧氧 基，Ci-Ce径基烷基，C2-Ce締氧基CI-Ce烷基，基团RSrSnc(0)Ci-Ce烷基，CI-Ce烷氧基CI-Ce烧 基W及任选地被从1至3个独立地选自氯基、Ci-Cs烷基和CI-Cs烷氧基的基团取代的C3-Ce 环烷基。 更优选地，Rb选自CI-Cs烷基，CI-Ce面代烷基，C2-Cs締基，CI-Ce氯基烷基，CI-Ce烧 氧基Ci-Ce烷基W及任选地被从1至3个独立地选自氯基和CI-Cs烷基的基团取代的C3-Ce 环烷基。 甚至更优选地，Rb选自CI-Ce烷基，C2-Cs締基，CI-Ce氯基烷基，CI-Ce烷氧基CI-Ce 烷基W及任选地被从1至3个独立地选自氯基和Ci-Cs烷基的基团取代的Cs-Ce环烷基。 [003引甚至更优选地，Rb选自甲基、乙基、异丙基、（2-甲基）-丙-1-基、（1-甲 基）-丙-1-基、叔下基、（1,1-二甲基）-丙-1-基、（1,1-二甲基）-下-1-基、（1-甲 基-1-乙基）-丙-1-基、（1, 1-二甲基）-丙-2-締-1-基、（1, 1-二甲本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有化学式(I)的除草化合物其中X选自S和O；Rb选自氢，甲酰基，羟基，卤素，硝基，氰基，C1‑C8烷基，C1‑C6氰基烷基，C1‑C6卤代烷基，C1‑C6羟基烷基，C2‑C6烯氧基C1‑C6烷基，C1‑C6烷硫基，C1‑C6烷氧基，C1‑C6烷氧基C1‑C6烷基，C1‑C6烷硫基C1‑C6烷基，C1‑C6氰基烷氧基，C1‑C6卤代烷氧基，C1‑C6烷氧基C1‑C6烷氧基，C2‑C8烯基，C2‑C8炔基，C2‑C6氰基烯基，C2‑C6氰基炔基，C2‑C6烯氧基，C2‑C6炔氧基，C2‑C6卤代烯基，C2‑C6卤代炔基，C2‑C6卤代烯氧基，C2‑C6卤代炔氧基，C1‑C6烷氧基C2‑C6烯基，C1‑C6烷氧基C2‑C6炔基，C1‑C6烷基亚磺酰基，C1‑C6烷基磺酰基，C1‑C6卤代烷硫基，C1‑C6卤代烷基亚磺酰基，C1‑C6卤代烷基磺酰基，C1‑C6烷基磺酰氧基，C1‑C6烷基羰基，C1‑C6卤代烷基羰基，C2‑C6烯基羰基，C2‑C6炔基羰基，C2‑C6卤代烯基羰基，C2‑C6卤代炔基羰基，三C1‑C6烷基甲硅烷基C2‑C6炔基，C1‑C6烷基酰胺基，基团R5R6N‑，基团R5C(O)N(R6)‑，基团R5S(O2)N(R6)‑，基团R5R6NSO2‑，基团R5R6NC(O)C1‑C6烷基，任选地被从1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的C6‑C10芳氧基基团，任选地被从1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的C6‑C10芳基C1‑C3烷基基团，任选地被从1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的C6‑C10苄氧基基团，任选地被从1至3个独立地选自C1‑C4烷基的基团取代的C3‑C6杂环基基团，任选地被从1至3个独立地选自卤素、氰基、C1‑C6烷氧基和C1‑C6烷基的基团取代的C3‑C6环烷基基团以及任选地被从1至3个独立地选自卤素、氰基、C1‑C6烷氧基和C1‑C6烷基的基团取代的C3‑C6环烯基基团；Rc选自氢、卤素、氰基、C1‑C6烷基以及C1‑C6卤代烷基；或Rb和Rc连同它们附接的碳原子一起形成3‑7元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素、C1‑C6烷基和C1‑C6卤代烷基的基团取代；R1是卤素并且R2是C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基或‑NR10R11，或R1是C1‑C3烷氧基并且R2是卤素、C1‑C3烷基或C1‑C3烷氧基，或R1是C1‑C3烷基并且R2是C1‑C3烷氧基；R3选自卤素、羟基或以下基团中的任一个R5和R6独立地选自氢、C1‑C6烷基、C1‑C6卤代烷基、C2‑C6烯基、C2‑C6炔基，或R5和R6连同它们附接的碳原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素和C1‑C6烷基的基团取代；R7和R8独立地选自氢，C1‑C6烷基，C1‑C6卤代烷基，C2‑C6烯基，C2‑C6炔基，包含从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、C1‑C3烷基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3烷氧基的基团取代的可以是单环的或双环的C5‑C10杂芳基基团，任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的C6‑C10芳基基团，或R7和R8连同它们附接的原子一起形成3‑6元饱和或部分不饱和环，该环任选地包含从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素或C1‑C6烷基的基团取代；R9选自C1‑C6烷基或任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1‑C3烷基、C1‑C3烷氧基、C1‑C3卤代烷基和C1‑C3卤代烷氧基的基团取代的苄基；R10选自H、C1‑C6烷基、C1‑C6烷氧基‑C1‑C6烷基、C3‑C6环烷基、C3‑C6环烷基‑C1‑C6烷基、C2‑C6烯基以及C2‑C6炔基；R11选自H和C1‑C6烷基，或其N‑氧化物或盐形式。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·莫里斯，蜂巢主慈，W·G·怀廷哈姆，A·J·达伦肯，J·E·波赫米尔，M·费德特，R·阿瓦恩，A·朗斯塔夫，A·J·道灵，T·R·戴森，S·帕尔，J·布莱克，S·萨斯梅尔，G·N·萨万特，S·R·波鲁曼德拉，S·K·戈莱，
申请(专利权)人：先正达参股股份有限公司，先正达有限公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH
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