电双稳器件制造技术

本发明专利技术涉及电双稳器件。本发明专利技术所述的电双稳器件由三种不同的体系构成，从功能层上区分有单层的聚氧化乙烯层、单层的聚氧化乙烯与[6,6]-苯基C61丁酸甲酯的共混层以及聚氧化乙烯层结合聚氧化乙烯层的双层功能层。由三种不同体系构成的电双稳器件在连续扫描电压下测得I-V曲线图，可得双层功能层的器件相比于单层功能层器件，双层器件具有明显的电双稳特性，证实了导电层与绝缘层的结合有效地实现了低压下较大开关比(103)的输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机光电子
，具体说是电双稳器件。尤指基于聚氧化乙烯(PEO)结合-苯基C61 丁酸甲酯(PC61BM)的薄膜电双稳器件及其制作方法。
技术介绍
电双稳态是半导体存储元件的基本特性，其主要现象为:器件在相同的外加电压下会出现两种不同的、稳定的导电状态。具体来说，当在器件的功能层薄膜两边施加电压时，随着电压的变化，器件的导电状态也随之发生变化。当外加电压撤除时，发生转变的导电状态可以保持很长时间。且施加反向电压又可以使器件的导电状态还原，分别对应了存储元件的写入、读取和擦除过程。近年来，随着信息技术向低碳化、低成本、便携式、高容量及快速响应方向发展，以无机半导体为介质的存储技术已经逐渐达到了发展极限，而基于有机材料作为功能层制备的存储元件具有成本低、工艺简单、柔韧性好、结构多变、器件尺寸小等优点，从而成为具有广泛应用前景的存储器，重新获得了学术界的关注，并且取得了迅速的发展。目前，聚合物薄膜由于其制备简单且效果稳定，获得了大家的关注。同时结合的有机小分子材料由于其结构简单、性质稳定，易于分析与控制，因此广泛用于光电、冶金、造纸等领域。绝缘层与电子俘获层的结本文档来自技高网...

【技术保护点】
电双稳器件，其特征在于：所述电双稳器件为采用三明治结构的薄膜电双稳器件，从下至上依次为基底(1)、功能层以及电极层(4)，所述基底(1)、功能层以及电极层(4)顺次相连，所述功能层为单功能层或双功能层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：涂晓燕，胡煜峰，侯延冰，娄志东，腾枫，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：发明
国别省市：北京;11