多功能手电筒的锁存电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种用于功能切换的具有较小的尺寸和较低的成本的多功能手电筒的锁存电路,它包括比较器COMP、MOS场效应管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10以及反相器A、B；M5的S端、M7的G端、比较器COMP的DN端相互连接，M5的B端、M6的B端、比较器COMP的GND端、M9的B端、M10的B端均接地，M6的D端、反相器A的输出端、反相器B的输入端相互连接，反相器A的输入端与状态信号输入端STO连接，反相器B的输出端与M10的D端连接,M10的G端、M6的G端、控制端K相互连接，M9的S端、M8的G端、比较器COMP的DP端相互连接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比较器COMP的VDD端接电源VDD，比较器COMP的Q端为输出端CAP1。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及锁存电路
，具体讲是一种多功能手电筒的锁存电路。
技术介绍
多功能手电筒具有全亮、SOS闪烁、报警等功能，实现这些功能的结构主要为电容配合外部电路形成的切换电路，多功能手电筒在各功能之间切换时依赖电容提供的电势，即按下切换按钮，此时为关断，芯片掉电，电容为芯片提供记住关断前的功能模式的电势，大概能维持几秒钟，当再次按下切换按钮时，此时接通电源，芯片切换为其他功能模式，这样就完成了两个功能的切换，有三个或三个以上功能就依序切换，由上述可见，现有技术必须得有电容，因此，切换电路体积较大，成本也较高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺陷，提供一种用于功能切换的具有较小的尺寸和较低的成本的多功能手电筒的锁存电路。为解决上述技术问题，本技术提出一种多功能手电筒的锁存电路，它包括比较器 C0MP、M0S 场效应管 M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10 以及反相器 A、B，其中 M2、M3均为PMOS场效应管，其他MOS场效应管均为NMOS场效应管；M1的G端、Ml的D端、M2的G端、M3的G端相互连接，Ml的B端、S端均接地，M3的D端、B端、S端均接电源VDD，M2的B端、S端均接电源VDD ；M2的D端、M4的G端、M5的G端、M9的G端相互连接；M4的D端、B端、S端均接地；M5的S端、M7的G端、比较器COMP的DN端相互连接，M5的D端与M6的S端连接，M5的B端、M6的B端、比较器COMP的GND端、M9的B端、MlO的B端均接地，M6的D端、反相器A的输出端、反相器B的输入端相互连接，反相器A的输入端与状态信号输入端STO连接，反相器B的输出端与MlO的D端连接，MlO的G端、M6的G端、控制端K相互连接，MlO的S端与M9的D端连接，M9的S端、M8的G端、比较器COMP的DP端相互连接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比较器COMP的VDD端接电源VDD，比较器COMP的Q端为输出端CAPI。采用上述结构后，与现有技术相比，本技术具有以下优点:状态信号输入端STO为原状态的一个信号，比如1，控制端K为一个固定信号以使整个电路能够工作，比如一个稳定的电势，输出端CAPl输出一个信号给编解码电路，这样，随着STO的变化，CAPl也发生变化，从而实现功能切换，整个电路主要基于MOS场效应管实现，实际中，反相器A、B以及比较器COMP也均由MOS场效应管构建，因此，整个电路具有较小的尺寸和较低的成本，较低的成本主要体现在较高生产效率和大批量生产时的成本优势。作为改进，比较器COMP 包括 MOS 场效应管 M11、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19 以及反相器 C，其中 M11、M12、M13、M14、M15 均为 PMOS 场效应管，M16、M17、M18、M19 均为NMOS场效应管；M11的S端、Mll的B端、M16的G端、M14的B端、M12的S端、M12的B端、M15的B端、M13的S端、M13的B端均接VDD端；M11的G端、Mll的D端、M16的D端、M12的G端、M13的G端相互连接，M12的D端、M14的S端、M15的S端相互连接，M14的D端、M17的D端、M17的G端、M18的G端相互连接，M15的D端、M18的D端、M19的G端相互连接，M13的D端、反相器C的输入端、M19的D端相互连接，M16的S端、M16的B端、M17的S端、M17的B端、M18的S端、M18的B端、M19的S端、M19的B端均接GND端；M14的G端接DP端，M15的G端接DN端，反相器C的输出端接Q端，所述的比较器COMP结构简单，运行稳定可靠，从而更有利于本技术稳定性和可靠性的提高。【附图说明】图1为本技术多功能手电筒的锁存电路的电路原理图。图2为本技术多功能手电筒的锁存电路的比较器COMP的电路原理图。【具体实施方式】下面对本技术作进一步详细的说明:本技术多功能手电筒的锁存电路，它包括比较器COMP、MOS场效应管Ml、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、MlO以及反相器A、B，其中M2、M3均为PMOS场效应管，其他MOS场效应管均为NMOS场效应管；M1的G端、Ml的D端、M2的G端、M3的G端相互连接，Ml的B端、S端均接地，M3的D端、B端、S端均接电源VDD，M2的B端、S端均接电源VDD ；M2的D端、M4的G端、M5的G端、M9的G端相互连接；M4的D端、B端、S端均接地；M5的S端、M7的G端、比较器COMP的DN端相互连接，M5的D端与M6的S端连接，M5的B端、M6的B端、比较器COMP的GND端、M9的B端、MlO的B端均接地，M6的D端、反相器A的输出端、反相器B的输入端相互连接，反相器A的输入端与状态信号输入端STO连接，反相器B的输出端与MlO的D端连接，MlO的G端、M6的G端、控制端K相互连接，MlO的S端与M9的D端连接，M9的S端、M8的G端、比较器COMP的DP端相互连接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比较器COMP的VDD端接电源VDD，比较器COMP的Q端为输出端CAPI。比较器COMP 包括 MOS 场效应管 Mil、M12、M13、M14、M15、M16、M17、M18、M19 以及反相器 C，其中 Mil、M12、M13、M14、M15 均为 PMOS 场效应管，M16、M17、M18、M19 均为 NMOS场效应管；M11的S端、Mll的B端、M16的G端、M14的B端、M12的S端、M12的B端、M15的B端、M13的S端、M13的B端均接VDD端；M11的G端、MlI的D端、M16的D端、M12的G端、M13的G端相互连接，M12的D端、M14的S端、M15的S端相互连接，M14的D端、M17的D端、M17的G端、M18的G端相互连接，M15的D端、M18的D端、M19的G端相互连接，M13的D端、反相器C的输入端、M19的D端相互连接，M16的S端、M16的B端、M17的S端、M17的B端、M18的S端、M18的B端、M19的S端、M19的B端均接GND端;M14的G端接DP端，M15的G端接DN端，反相器C的输出端接Q端。在实际应用中，可以将多个本技术多功能手电筒的锁存电路进行集合应用，即包括多个锁存电路，各锁存电路的控制端K相互连接，各锁存电路分别提供CAPl给编解码电路，多个CAPl的不同组合能够实现丰富的编码，每个编码对应一个功能，实现更多的功能控制，这样就构成了一个锁存电路的集合方案，由于本技术多功能手电筒的锁存电路具有较小的尺寸和较低的成本，所以该集合方案也具有较小的尺寸和较低的成本，较低的成本主要体现在较高生产效率和大批量生产时的成本优势。以上所述仅是本技术的较佳实施方式，故凡依本技术专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本技术专利申请范围内。【主权项】1.一种多功能手电筒的锁存电路，其特征在于，它包括比较器COMP、MOS场效应管Ml、M2、M3、M4、M5、M6、M本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多功能手电筒的锁存电路，其特征在于，它包括比较器COMP、MOS场效应管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10以及反相器A、B，其中M2、M3均为PMOS场效应管，其他MOS场效应管均为NMOS场效应管；M1的G端、M1的D端、M2的G端、M3的G端相互连接，M1的B端、S端均接地，M3的D端、B端、S端均接电源VDD，M2的B端、S端均接电源VDD；M2的D端、M4的G端、M5的G端、M9的G端相互连接；M4的D端、B端、S端均接地；M5的S端、M7的G端、比较器COMP的DN端相互连接，M5的D端与M6的S端连接，M5的B端、M6的B端、比较器COMP的GND端、M9的B端、M10的B端均接地，M6的D端、反相器A的输出端、反相器B的输入端相互连接，反相器A的输入端与状态信号输入端STO连接，反相器B的输出端与M10的D端连接,M10的G端、M6的G端、控制端K相互连接，M10的S端与M9的D端连接,M9的S端、M8的G端、比较器COMP的DP端相互连接，M7的D端、B端、S端以及M8的D端、B端、S端均接地；比较器COMP的VDD端接电源VDD，比较器COMP的Q端为输出端CAP1。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱红卫，杜浩华，
申请(专利权)人：海宁海微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33