摄像装置制造方法及图纸

摄像装置(1)具有：摄像元件芯片(10A)，以及与摄像元件芯片(10A)的第1主面(10SA)粘接的玻璃罩(30)，其中，所述摄像元件芯片(10A)在第一主面(10SA)上形成有：摄像部(13)；电路部(14)，其具有多个层，所述多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层(12C)；以及保护环(16)，其由从耐湿性比低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有摄像元件芯片的摄像装置，该摄像元件芯片形成有摄像部和包含低介电常数材料层的电路部。
技术介绍
由于具有摄像元件芯片的芯片尺寸封装型的摄像装置为小径，所以能够用于内窥镜等，其中，该摄像元件芯片是在主面上形成有由CMOS摄像元件等构成的摄像部而成的。为了获得摄像部与连接信号缆线等的较大的接合电极的一致性，由导体层和绝缘层构成的再布线电路对摄像元件芯片来说是不可或缺的，其中，该摄像部由利用半导体技术制成的细微图案构成。近年来，为了实现摄像装置的高性能化，正在研究使用介电常数比氧化硅低的材料、所谓Low-k材料，作为再布线电路的绝缘层。但是，Low-k材料的耐湿性、即水蒸气的渗透性比现有的绝缘层材料差。由于以Low-k材料为绝缘层的芯片尺寸封装型的摄像装置的Low-k材料露出于外周部，所以可靠性有可能不充分。即，当水渗透到由Low-k材料构成的绝缘层时，相对介电常数上升，寄生电容增加，并产生信号延迟，所以有可能会产生动作不良，或者产生金属布线的腐蚀。在日本特开2008-78382号公报中，公开了如下半导体装置:由耐湿性比低介电常数绝缘材料优良的底填充材料覆盖并密封包含半导体元件芯片的低介电常数绝缘层在内的再布线电路的侧面。但是，上述公报记载的半导体装置的俯视尺寸比半导体元件芯片大出底填充材料的嵌条(Fillet)长度的量。此外，在日本特开2011-166080公报中，公开了将摄像元件芯片收纳在屏蔽箱中的摄像装置。在摄像元件芯片与屏蔽箱的间隙中填充有密封树脂。但是，在上述公报中没有公开和揭示任何由于经由密封树脂而渗透的水带来的影响。推测这是由于没有使用Low-k材料来作为摄像元件芯片的绝缘层。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题本专利技术的实施方式的目的在于提供小径且可靠性高的摄像装置。用于解决问题的手段本专利技术的摄像装置具有:摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第I主面上形成有:摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；以及电极焊盘，其与所述电路部连接，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；以及玻璃罩，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第I主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同，其中，所述摄像装置在所述摄像元件芯片的所述第I主面上具有保护环，所述保护环包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由从耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料中选择的I种以上的材料构成，或者，所述摄像装置具有:屏蔽箱，其收纳所述摄像元件芯片，且内壁的角部的截面形状由曲线构成；以及密封树脂，其填充所述摄像元件芯片的侧面与所述屏蔽箱之间的间隙，且所述角部以外的厚度为100 μπι以下。另一个实施方式的摄像装置具有:摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第I主面上形成有:摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；电极焊盘，其与所述电路部连接；以及保护环，其包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由从耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料中选择的I种以上的材料构成，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；玻璃罩，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第I主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同；以及后环，其配设在所述保护环的整周与所述透明部件之间，由耐湿性比所述粘接层的材料优良的材料构成。此外，另一个实施方式的摄像装置具有:摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第I主面上形成有:摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；电极焊盘，其与所述电路部连接；以及保护环，其包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料构成，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；以及透明部件，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第I主面粘接，覆盖比所述保护环的外缘更靠内侧的区域。此外，另一个实施方式的摄像装置具有:俯视为矩形的摄像元件芯片，所述摄像元件芯片在第I主面上形成有:摄像部；以及电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，所述多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由所述电路部和贯穿布线与所述电路部连接；玻璃罩，其与所述摄像元件芯片的所述第I主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同；屏蔽箱，其收纳所述摄像元件芯片，且内壁的角部的截面形状由曲线构成；以及密封树脂，其填充所述摄像元件芯片的侧面与所述屏蔽箱之间的间隙，且所述角部以外的厚度为100 μπι以下。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种小径且可靠性高的摄像装置。【附图说明】图1是第I实施方式的摄像装置的立体图。图2是第I实施方式的摄像装置的俯视图。图3是第I实施方式的摄像装置的沿着图2的II1-1II线的剖视图。图4是第2实施方式的摄像装置的俯视图。图5是第2实施方式的摄像装置的沿着图4的V-V线的分解剖视图。图6是第2实施方式的变形例的摄像装置的剖视图。图7是第3实施方式的摄像装置的立体图。图8是第3实施方式的摄像装置的剖视图。图9是第3实施方式的变形例的摄像装置的剖视图。图10是第4实施方式的摄像装置的剖视图。图11是第4实施方式的摄像装置的沿着图10的XI — XI线的剖视图。图12是用于说明第4实施方式的摄像装置的立体图。图13是示出图11所示的第4实施方式的摄像装置的部分放大剖视图。图14是现有的摄像装置的部分放大剖视图。图15是第5实施方式的摄像装置的部分放大剖视图。图16是第6实施方式的摄像装置的剖视图。【具体实施方式】(第I实施方式)如图1?图3所示，第I实施方式的摄像装置I具有:摄像元件芯片10 ;作为透明部件的玻璃罩30 ;以及将摄像元件芯片10与玻璃罩30粘接的粘接层20。由在主面配设了层叠膜12的半导体基板11构成的摄像元件芯片10是晶圆级芯片尺寸封装型的芯片，摄像元件芯片10与玻璃罩30的俯视尺寸相同。S卩，通过对接合晶片进行切断并进行单片化来制造摄像装置I，其中，该接合晶片是将形成了多个摄像元件芯片10的摄像元件晶片与玻璃晶片粘接而成的。摄像元件芯片10能够一并进行大量生成，所以生产性优良。在摄像元件芯片10的第I主面1SA上形成有摄像部13、电路部14、多个电极焊盘15和保护环16。另一方面，在摄像元件芯片10的第2主面1SB上形成有多个接合端子18，该多个接合端子18经由各个贯穿布线17与各个电极焊盘15连接。由COMS摄像元件等构成的摄像部13通过公知的半导体制造技术，形成在由娃等构成的半导体基板11的主面上。电路部14具有用于对摄像部13收发信号等的再布线功能等。电路部14可以包含对摄像部13的信号进行处理的半导体电路。这时，半导体电路与摄像部13同样，通过公知的半导体制造技术，形成在由硅等构成的半导体基板11的主面上。电路部14也是层叠膜12的一部分，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种摄像装置，其具有：摄像元件芯片，该摄像元件芯片在第1主面上形成有：摄像部；电路部，其与所述摄像部之间收发信号，并具有多个层，该多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层；以及电极焊盘，其与所述电路部连接，并且，所述摄像元件芯片在第2主面上形成有接合端子，该接合端子经由贯穿布线与所述电极焊盘连接；以及玻璃罩，其经由粘接层与所述摄像元件芯片的所述第1主面粘接，且俯视尺寸与所述摄像元件芯片相同，所述摄像装置的特征在于，所述摄像装置在所述摄像元件芯片的所述第1主面上具有保护环，该保护环包围所述摄像部、所述电路部和所述电极焊盘，由从耐湿性比所述低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成，或者所述摄像装置具有：屏蔽箱，其收纳所述摄像元件芯片，且内壁的角部的截面形状由曲线构成；以及密封树脂，其填充所述摄像元件芯片的侧面与所述屏蔽箱之间的间隙，且所述角部以外的厚度为100μm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤森纪幸，
申请(专利权)人：奥林巴斯株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP