一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置，其通过在彩膜阵列基板的基板上形成多个阵列式排布的像素单元，且每个像素单元包括透光区域及位于透光区域外围的非透光区域，像素单元进一步包括彩色滤光图案和黑矩阵图案，其中彩色滤光图案覆盖透光区域，黑矩阵图案在下方不设置彩色滤光图案的情况下直接覆盖非透光区域。与现有技术相比，本发明专利技术能够在像素单元的非透光区域形成较厚的黑矩阵图案，以避免漏光问题，进而改善后续显示品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置。
技术介绍
随着人们对液晶显示产品高、精、细品质的要求越来越高，产线对液晶显示屏的阵列基板和彩膜基板的对位压盒精度要求也越来越高。传统的对盒工艺已经无法满足高精度要求，而通过在阵列基板上制作彩色滤光膜来提高对位精度和提升开口率的彩膜阵列基板技术逐渐开展起来。彩膜阵列基板技术直接在阵列基板上制备彩色滤光膜和黑矩阵，使其与像素电极的对位精度要求大幅度减少，从而使得像素单元的开口率大幅度提高，实现增大光透过率和对比度的目的。现有技术中彩膜阵列基板的彩色滤光膜铺满整个像素单元即铺满像素单元的透光区域和非透光区域(或布线区域)，在与薄膜晶体管、扫描线、数据线等对应的位置再铺设黑矩阵以防止非透光区域的漏光，但是薄膜晶体管的漏极需要与黑矩阵和彩色滤光膜上的像素电极实现电连接，通常是将黑矩阵和彩色滤光膜对应漏极连接的位置进行挖孔形成通孔，通过该通孔与像素电极电连接，但是由于黑矩阵材料的光密度较小，需要涂布很厚的黑矩阵材料才能有效避免漏光的问题，而且黑矩阵材料具有一定的流动性，常常会有一部分流入通孔中，或其他地势较低的区域，如从彩膜阵列基板的带有彩色滤光膜的显示区域流到不含有彩色滤光膜的位于彩膜阵列基板边沿的非显示区域，进而使得非透光区域的彩色滤光膜上的黑矩阵变薄，进而引起漏光问题，以最终影响显示品质。综上，现有技术在像素单元的非透光区域存在黑矩阵变薄而引起漏光的问题，对后续显不品质有不良影响。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种彩膜阵列基板及其制造方法、显示装置，能够在像素单元的非透光区域形成较厚的黑矩阵图案，以避免漏光问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是:提供一种彩膜阵列基板，该彩膜阵列基板包括基板、形成在基板上的多个阵列式排布的像素单元，像素单元包括透光区域及位于透光区域外围的非透光区域，像素单元进一步包括彩色滤光图案和黑矩阵图案，其中彩色滤光图案覆盖透光区域，黑矩阵图案在下方不设置彩色滤光图案的情况下直接覆盖非透光区域。其中，黑矩阵图案是有机光阻材料。其中，像素单元进一步包括薄膜晶体管、扫描线图案、数据线图案、第一钝化层和像素电极图案，薄膜晶体管的栅极图案和源极图案分别与扫描线图案和数据线图案连接，像素电极图案位于第一钝化层上部，第一钝化层上设有第一通孔，薄膜晶体管的漏极图案通过第一通孔与像素电极图案连接，黑矩阵图案与薄膜晶体管、扫描线图案和数据线图案对应设置，且直接接触第一钝化层。其中，黑矩阵图案设置在第一钝化层上。可选的，黑矩阵图案设置在第一钝化层与基板之间。其中，黑矩阵图案在第一通孔的位置也设有第二通孔，用于薄膜晶体管的漏极图案通过第一通孔、第二通孔与像素电极图案连接。其中，像素单元进一步包括第二钝化层，第二钝化层位于黑矩阵图案和像素电极图案之间，第二钝化层上设有第三通孔，用于薄膜晶体管的漏极图案通过第一通孔、第二通孔和第三通孔与像素电极图案连接。可选的，黑矩阵图案设置在第一钝化层与基板之间。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是:提供一种显示装置，该显示装置包括上述的彩膜阵列基板。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是:提供一种彩膜阵列基板的制造方法，该方法包括以下步骤:提供一基板；在基板上依次形成薄膜晶体管的栅极图案和扫描线图案、栅极绝缘层、半导体层图案、薄膜晶体管的源极图案和漏极图案及数据线图案；在薄膜晶体管的源极图案和漏极图案及数据线图案上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成彩色滤光图案，使得彩色滤光图案覆盖彩膜阵列基板的透光区域；在第一钝化层上形成与彩色滤光图案间隔设置的黑矩阵图案，使得黑矩阵图案覆盖彩膜阵列基板的非透光区域。其中，该制造方法进一步包括:在彩色滤光图案和黑矩阵图案上形成第二钝化层；在第二钝化层、黑矩阵图案和第一钝化层的对应漏极图案的位置形成通孔；在第二钝化层上形成像素电极图案，使得像素电极图案通过通孔与漏极图案电连接。本专利技术的有益效果是:本专利技术通过在彩膜阵列基板的基板上形成多个阵列式排布的像素单元，且每个像素单元包括透光区域及位于透光区域外围的非透光区域，像素单元进一步包括彩色滤光图案和黑矩阵图案，其中彩色滤光图案覆盖透光区域，黑矩阵图案在下方不设置彩色滤光图案的情况下直接覆盖非透光区域。与现有技术相比，本专利技术能够在像素单元的非透光区域形成较厚的黑矩阵图案，以避免漏光问题，进而改善后续显示品质。【附图说明】图1是本专利技术提供的一种彩膜阵列基板一实施方式的俯视示意图；图2是图1中沿A-A的截面示意图；图3是图1中沿B-B的截面示意图；图4是本专利技术提供的一种显示装置一实施方式的结构示意图；图5是本专利技术提供的一种彩膜阵列基板的制造方法一实施方式的流程示意图；图6是图5中每个步骤对应的制程示意图。【具体实施方式】请参阅图1和图2，图1是本专利技术提供的一种彩膜阵列基板一实施方式的俯视示意图。图2是图1中沿A-A的截面示意图。结合图1和图2所示，该彩膜阵列基板10包括基板11，形成在基板11上的多个阵列式排布的像素单元12，像素单元12包括透光区域I及位于透光区域I外围的非透光区域II，像素单元12进一步包括彩色滤光图案121和黑矩阵图案122，其中彩色滤光图案121覆盖透光区域I，黑矩阵图案122在下方不设置彩色滤光图案121的情况下直接覆盖非透光区域II。其中，透光区域I为像素单元12的像素开口区域，用于显示彩色图像，非透光区域II为设置驱动透光区域I的电子元器件的区域。其中，图1中彩膜阵列基板10在虚线内的区域为其显示区域，设有多个阵列式排布的像素单元12，在显示区域外围的区域为非显示区域，用于设置彩膜阵列基板10的驱动电路或与外接驱动电路的布线结构。其中，在彩膜阵列基板10中黑矩阵图案122使用的是有机光阻材料。请继续参阅图1和图2所示，像素单元12进一步包括薄膜晶体管、扫描线图案123(图2中未示出)、数据线图案124(图2中未示出)、第一钝化层125(图1中未示出)和像素电极图案126(图1中未示出)，薄膜晶体管包括依次设置在基板11上的栅极图案127，栅极绝缘层128、半导体图案129，源极图案130和漏极图案131，具体的，第一钝化层125设于源极图案130和漏极图案131上，栅极图案127和源极图案130分别与扫描线图案123和数据线图案124连接，像素电极图案126位于第一钝化层125上部，第一钝化层125上设有第一通孔132，薄膜晶体管的漏极图案131通过第一通孔132与像素电极图案126连接，黑矩阵图案122与薄膜晶体管、扫描线123和数据线124对应设置，且直接接触第一钝化层125。其中，黑矩阵图案122与薄膜晶体管、扫描线图案123和数据线图案124对应设置是指黑矩阵图案122能够铺满非透光区域II，而薄膜晶体管、扫描线图案123和数据线图案124设于非透光区域II中，黑矩阵图案122能够遮盖该区域使之不能透光。可以理解的是，虽然图2中示例为黑矩阵图案122设置在第一钝化层125上，可选的，黑矩阵图案22也可设置在第一钝化层125与基板11之间。如图2所示，进一步的，像素电极图案126位于黑矩阵图案122之上，黑矩阵图案122本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩膜阵列基板，其特征在于，所述彩膜阵列基板包括基板、形成在所述基板上的多个阵列式排布的像素单元，所述像素单元包括透光区域及位于所述透光区域外围的非透光区域，所述像素单元进一步包括彩色滤光图案和黑矩阵图案，其中所述彩色滤光图案覆盖所述透光区域，所述黑矩阵图案在下方不设置所述彩色滤光图案的情况下直接覆盖所述非透光区域。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：付如海，林永伦，张君恺，邱杰，叶成亮，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44