流水线逐次逼近模数转换器制造技术

本发明专利技术公开了一种流水线逐次逼近模数转换器，用于解决现有流水线逐次逼近模数转换器功耗大的技术问题。技术方案是第一级电路采用一个6-bit半增益MDAC电路，第二级电路采用一个8-bit全参考电压分段电容SAR ADC。所述的8-bit全参考电压分段电容SAR ADC的整个电容网络分为高4位二进制加权电容网络和低4位二进制加权电容网络。由于8-bit全参考电压分段电容SAR ADC的采样电容大幅度减少，使得6-bit半增益MDAC电路中的余量放大器负载电容大幅度减少。对于同样的误差要求，可以减少6-bit半增益MDAC电路中的余量放大器所消耗的电流，从而降低了流水线逐次逼近模数转换器的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种模数转换器，特别是涉及一种流水线逐次逼近模数转换器。
技术介绍
为了适应计算机，通讯和多媒体技术的飞速发展以及高新
的数字化进程 的不断加快，ADC在工艺、结构、性能上都有了很大的变化，正在朝着低功耗、高速、高分辨率 的方向发展。流水线逐次逼近模数转换器同时兼备了传统流水线模数转换器和传统逐次逼 近模数转换器的优点，具有高精度、高速、低功耗的特点，是本领域研究的热点。 参照图 1-2。文献"Chun C. Lee, A SAR-Assisted Two-Stage Pipeline ADC, IEEE Journal Of Solid-State Circuits, 2011, VOL. 46, NO. 4, ρρ· 859 ~869" 公开了 一 种 12-bit50MS/s流水线逐次逼近模数转换器。该模数转换器采用两级流水结构电路，第一级 电路采用一个6-bit半增益MDAC电路，所谓半增益就是第一级的增益由传统结构的32减 少为16。第二级电路采用一个"半参考电压"的二进制电容7-bit SAR ADC。 二进制电容SAR ADC有一个很大的缺点就是它的采样电容的数量与分辨率成指数 关系，例如，对于7-bit二进制电容SAR ADC，采样电容为27C，C为单位电容。而且由于文献 中第二级电路实际使用的参考电压是全参考电压V" f。那么为了实现"半参考电压"的二进 制电容7-bit SAR ADC，采样电容的数量被翻倍。所以，7-bit半参考电压二进制电容SAR ADC和8-bit全参考电压二进制电容SAR ADC电容网络中电容的个数是相同的，采样电容还 是需要256C。 第二级电路采样电容作为第一级余量放大器的负载电容，其大小会直接影响余量 放大器的单位增益带宽。余量放大器的单位增益带宽和静态电流如下： 从上式可以看出，为了在相同的时间内达到相同的建立误差，余量放大器的单位 增益带宽不变，那么，余量放大器消耗的静态电流如下： 由此可见，余量放大器消耗的静态电流与负载电容的平方成正比，如果负载电容 增加一倍，电流就变成原来的四倍。所以，文献公开的12-bit 50MS/s流水线逐次逼近模数 转换器由于第二级电路采用二进制电容的SAR ADC，导致第一级电路余量放大器负载电容 过大，以至于模数转换器功耗很大。
技术实现思路
为了克服现有流水线逐次逼近模数转换器功耗大的不足，本专利技术提供一种流水线 逐次逼近模数转换器。该模数转换器采用两级流水结构电路，第一级电路采用一个6-bit 半增益MDAC电路，第二级电路采用一个8-bit全参考电压分段电容SAR ADC。所述的8-bit 全参考电压分段电容SAR ADC的整个电容网络分为高4位二进制加权电容网络和低4位二 进制加权电容网络。由于8-bit全参考电压分段电容SAR ADC的采样电容大幅度减少，使 得6-bit半增益MDAC电路中的余量放大器负载电容大幅度减少。对于同样的误差要求，可 以减少6-bit半增益MDAC电路中的余量放大器所消耗的电流，从而降低流水线逐次逼近模 数转换器的功耗。 本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种流水线逐次逼近模数转换器， 包括一个6-bit半增益MDAC电路，其特点是还包括一个8-bit全参考电压分段电容SAR ADC。所述的8-bit全参考电压分段电容SAR ADC的整个电容网络分为高4位二进制加权 电容网络和低4位二进制加权电容网络。在采样阶段，开关S、开关Sle和开关S lf闭合。上 半部高4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接输入信号Vip，上极板接共模电平V ailt3 上半部低4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接参考电压Vrafn，上极板接分段电容 C的下级板。下半部高4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接输入信号Vin，上极板 接共模电平V ail。下半部低4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接参考电压Vrafp，上 极板接分段电容C的下级板。两个分段电容的上极板接共模电平V ail。在转换阶段，开关S、 Sp Slf断开。电容网络中所有电容的下极板根据数字码d满值选择接到参考电压V rafp或 Vrafn上。若d i的值为高电平，则上半部电容网络中相应电容的下极板接到参考电压V rafp上， 下半部电容网络中相应电容的下极板接到参考电压Vrafn上。若Cl 1的值为低电平，则上半部 电容网络中相应电容的下极板接到参考电压V"fn±，下半部电容网络中相应电容的下极板 接到参考电压V rafp上。 本专利技术的有益效果是：该模数转换器采用两级流水结构电路，第一级电路采 用一个6-bit半增益MDAC电路，第二级电路采用一个8-bit全参考电压分段电容SAR ADC。所述的8-bit全参考电压分段电容SAR ADC的整个电容网络分为高4位二进制加 权电容网络和低4位二进制加权电容网络。由于8-bit全参考电压分段电容SAR ADC 的采样电容大幅度减少，使得6-bit半增益MDAC电路中的余量放大器负载电容大幅度 减少。对于同样的误差要求，可以减少6-bit半增益MDAC电路中的余量放大器所消耗 的电流，从而降低流水线逐次逼近模数转换器的功耗。从公式 中可以看出，相比于
技术介绍
，本专利技术的采 样电容减小了 16倍，本专利技术中余量放大器消耗的功耗是
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中余量放大器消耗功耗 的ife。 下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作详细说明。【附图说明】 图1是
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流水线逐次逼近模数转换器的结构框图。 图2是图1中第二级7-bit "半参考电压" SAR ADC的原理图。 图3是本专利技术流水线逐次逼近模数转换器的结构框图。 图4是图3中第二级8-bit分段电容逐次逼近模数转换器的原理图。 图5是图3中第二级8-bit分段电容逐次逼近模数转换器在转换阶段的等效原理 图。【具体实施方式】 参照图3-5。本专利技术流水线逐次逼近模数转换器采用两级流水结构电路，第一级 电路采用一个6-bit半增益MDAC电路，第二级电路采用一个8-bit全参考电压分段电容 SAR ADC代替
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的7-bit "半参考电压"二进制电容SAR ADC。两级流水级电路输出 的14-bit数字输出码叠两位相加并且减去数字失调码10000000得到最终的12-bit ADC 数字码。 8-bit分段电容SAR ADC的整个电容网络被分成了两部分：高4位二进制加权电容 网络和低4位二进制加权电容网络。其工作过程分为两个阶段：采样阶段和转换阶段。在 采样阶段，开关S、开关S le和开关S lf闭合。上半部高4位二进制加权电容网络所有电容的 下极板接输入信号Vip，上极板接共模电平V ail。上半部低4位二进制加权电容网络所有电容 的下极板接参考电压Vrafn，上极板接分段电容C的下级板。下半部高4位二进制加权电容 网络所有电容的下极板接输入信号V in，上极板接共模电平Vail。下半部低4位二进制加权电 容网络所有电容的下极板接参考电压V rafp，上极板接分段电容C的下级板。两个分段电容 的上极板接共模电平Vail。此时，与A节点相连的电容上存储的电荷为： 与B节点相连的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种流水线逐次逼近模数转换器，包括一个6‑bit半增益MDAC电路，其特征在于：还包括一个8‑bit全参考电压分段电容SAR ADC；所述的8‑bit全参考电压分段电容SAR ADC的整个电容网络分为高4位二进制加权电容网络和低4位二进制加权电容网络；在采样阶段，开关S、开关S1e和开关S1f闭合；上半部高4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接输入信号Vip，上极板接共模电平Vcm；上半部低4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接参考电压Vrefn，上极板接分段电容C的下级板；下半部高4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接输入信号Vin，上极板接共模电平Vcm；下半部低4位二进制加权电容网络所有电容的下极板接参考电压Vrefp，上极板接分段电容C的下级板；两个分段电容的上极板接共模电平Vcm；在转换阶段，开关S、S1e、S1f断开；电容网络中所有电容的下极板根据数字码di的值选择接到参考电压Vrefp或Vrefn上；若di的值为高电平，则上半部电容网络中相应电容的下极板接到参考电压Vrefp上，下半部电容网络中相应电容的下极板接到参考电压Vrefn上；若di的值为低电平，则上半部电容网络中相应电容的下极板接到参考电压Vrefn上，下半部电容网络中相应电容的下极板接到参考电压Vrefp上。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高武，薛菲菲，王佳，魏晓敏，胡永才，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61