包括沉积粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物和形成其封装件的用于制备光学组件的方法技术

本发明专利技术公开了制备光学组件和电子器件的方法，所述方法包括：将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到光学器件的光学表面上；以及由所述含有机硅的热熔融组合物形成基本上覆盖所述光学器件的所述光学表面的封装件。在一些实施例中，所述含有机硅的热熔融组合物是反应性或非反应性的含有机硅的热熔体。在一些实施例中，所述组合物是树脂-线性含有机硅的热熔融组合物并且所述组合物包含相分离的富含树脂的相和相分离的富含线性物的相。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】包括沉积粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物和形成 其封装件的用于制备光学组件的方法 本申请要求2013年3月15日提交的美国临时专利申请No. 61/792,340的优先权 权益，该临时专利申请的公开内容全文以引用方式并入本文。
本专利技术整体涉及粉末状树脂线性有机聚硅氧烷组合物以及相关的方法。
技术介绍
诸如光学发射器、光学检测器、光学放大器等光学器件可经由光学表面发射或接 收光。对于各种这样的器件，光学表面可以是或可以包括电子组件或可能对环境条件敏感 的其他组件。诸如光电子器件（通常包括发光二极管（LED)、激光二极管和光传感器）的某 些光学器件可包括固态电子组件，如果不进行保护，这些固态电子组件可能易受电短路或 来自环境条件的其他损害的影响。如果不进行保护，即使是可能不会立即受到影响的光学 器件也可能随时间而劣化。因此，本领域需要层状聚合物结构，除了其他方面，该聚合物结 构保护光学器件免受它们工作时所处环境的影响。
技术实现思路
实施例1涉及粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物。 实施例2涉及实施例1的含有机硅的热熔融组合物，其中含有机硅的热熔体是反 应性的含有机硅的热熔体。 实施例3涉及实施例1的含有机硅的热熔融组合物，其中含有机硅的热熔体是非 反应性的含有机硅的热熔体。 实施例4涉及实施例1的含有机硅的热熔融组合物，其中组合物是树脂-线性含 有机硅的热熔融组合物并且组合物包含相分离的富含树脂的相和相分离的富含线性物的 相。 实施例5涉及实施例5的含有机硅的热熔融组合物，其中树脂-线性组合物包含： 40至90摩尔％的式二甲硅烷氧基单元， 1〇至60摩尔％的式三甲硅烷氧基单元， 0? 5至35摩尔％的硅烷醇基团; 其中： 各R1在每次出现时独立地为C1至C3。烃基， 各R2在每次出现时独立地为C1至C2。烃基； 其中： 二甲硅烷氧基单元以线性嵌段排列，每个线性嵌段具有平均10至400个二 甲娃烷氧基单元, 三甲硅烷氧基单元以具有至少500g/mol的分子量的非线性嵌段排列，并且 至少30%的所述非线性嵌段彼此交联， 每个线性嵌段连接到至少一个非线性嵌段；并且 有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量为至少20, 000g/mol。 实施例6涉及实施例1的含有机硅的热熔融组合物，还包含一种或多种磷光体和 /或填料。 实施例7涉及由实施例1的含有机硅的热熔融组合物制成的固体膜。 实施例8涉及实施例8的固体膜，其中该膜为可固化的。 实施例9涉及实施例8的固体膜，其中该膜通过固化机制固化。 实施例10涉及实施例9的固体膜，其中固化机制包括热熔融固化、湿固化、硅氢加 成固化、缩合固化、过氧化物固化或基于点击化学的固化。 实施例11涉及实施例9的固体膜，其中固化机制通过固化催化剂催化。 实施例12涉及包含实施例1-10的含有机硅的热熔融组合物或膜的封装件。 实施例13涉及用于制备光学组件的方法，包括： 将实施例1的含有机硅的热熔融组合物沉积到光学器件的光学表面上；以及 由含有机硅的热熔融组合物形成基本上覆盖光学器件的光学表面的封装件。 实施例14涉及实施例13的方法，其中封装件的沉积和/或形成包括压缩模制、层 压、挤出、流化床涂布、电泳沉积、注射模制、熔融加工、静电涂布、静电粉末涂布、静电流化 床涂布、传递模制、磁刷涂布中的至少一个。 实施例15涉及实施例13的方法，还包括将实施例1的含有机硅的热熔融组合物 沉积到基板上，其中光学器件机械联接到该基板。 实施例16涉及实施例13的方法，其中将含有机硅的热熔融组合物沉积到光学表 面上包括形成第一层，并且还包括将第二层中的含有机硅的热熔融组合物沉积到第一层的 顶部。 实施例17涉及用于将实施例1的含有机硅的热熔融组合物沉积到基板上的方法。 实施例18涉及实施例17的方法，其中沉积包括压缩模制、层压、挤出、流化床涂 布、电泳沉积、注射模制、熔融加工、静电涂布、静电粉末涂布、静电流化床涂布、传递模制、 磁刷涂布中的至少一个。 实施例19涉及制备光学组件的方法，包括： 相对于基板固定光学器件； 将实施例1的含有机硅的热熔融组合物沉积到光学器件的基板或光学表面中的至少 一个上。 实施例20涉及权利要求19的方法，其中在沉积含有机硅的热熔体之前将光学器 件固定到基板。 实施例21涉及实施例19的方法，其中沉积含有机硅的热熔融组合物基本上覆盖 了基板的全部区域。 实施例22涉及实施例19的方法，其中沉积含有机硅的热熔融组合物基本上仅覆 盖了基板的介于基板和光学器件之间的区域。 实施例23涉及实施例19的方法，其中沉积含有机硅的热熔融组合物基本上仅覆 盖了基板的未被光学器件覆盖的区域。 实施例24涉及实施例19的方法，其中沉积含有机硅的热熔融组合物基本上覆盖 了基板的仅未被光学器件覆盖的区域和光学器件的光学表面。 实施例25涉及实施例19的方法，还包括将薄膜封装件沉积到光学器件的光学表 面上，并且其中沉积含有机硅的热熔体将含有机硅的热熔体至少部分地沉积到薄膜封装件 上。 实施例26涉及实施例19的方法，其中沉积含有机硅的热熔体形成了含有机硅的 热熔体的第一层，并且还包括将含有机硅的热熔体的第二层基本上沉积到第一层的顶部 上。 实施例27涉及实施例19的方法，还包括形成被配置成至少部分地封装光学器件 的封装件。 实施例28涉及实施例27的方法，其中沉积含有机硅的热熔体将含有机硅的热熔 体至少部分地沉积到封装件上。 实施例29涉及实施例27的方法，其中含有机硅的热熔体与封装件混合，并且其中 沉积含有机硅的热熔融组合物包括将含有机硅的热熔融组合物和封装件两者沉积为单一 组合物。 实施例30涉及制备光学组件的方法，包括： 相对于基板固定光学器件； 使用封装件至少部分地封装光学器件；以及 将实施例1的含有机硅的热熔融组合物沉积到封装件上。 实施例31涉及实施例30的方法，其中封装件是第一封装件，并且还包括在含有机 硅的热熔融组合物上形成第二封装件，其中含有机硅的热熔融组合物至少部分地介于第一 封装件和第二封装件之间。 实施例32涉及制备电子器件的方法，包括： 相对于基板固定电子组件；以及 将权利要求1的含有机硅的热熔融组合物沉积到电子组件上。 实施例33涉及实施例32的方法，其中电子器件是塑料引线芯片载体（PLCC)、电源 组、板上单芯片和板上多芯片中的至少一个。 实施例34涉及实施例32的方法，还包括由含有机硅的热熔融组合物形成基本上 覆盖电子组件的封装件。 实施例35涉及实施例32的方法，还包括形成基本上覆盖电子组件和含有机硅的 热熔融组合物的封装件。【附图说明】 图1是具有基本上覆盖基板的含有机硅的热熔融组合物层的光学组件的图示。 图2是具有部分覆盖基板的含有机硅的热熔融组合物层的光学组件的图示。 图3是具有部分覆盖基板的含有机硅的热熔融组合物层的光学组件的图示。 图4是具有部分覆盖基板、光学器件和颜色转换层的含有机硅的热熔融组合物层 的光学组件的图示。 图5是具有至少部分覆盖光学器件的含有机硅的热熔融组合物层的光学组件的 图示。 图6是具有至少部分覆盖光学器件的多个含有机硅的热熔融组合物层的光学组 件的图示。 图7是具有至少部分覆盖光学器件的多个含有机硅的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制备光学组件的方法，包括：将粉末形式的固体含有机硅的热熔融组合物沉积到光学器件的光学表面上；以及由所述含有机硅的热熔融组合物形成基本上覆盖所述光学器件的所述光学表面的封装件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼子雅章，G·B·加德纳，水上真由美，S·斯维尔，吉田宏明，吉田真宗，
申请(专利权)人：道康宁公司，道康宁东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：美国;US