本发明专利技术涉及光刻装置、确定方法和产品的制造方法。本发明专利技术提供一种在基板上形成图案的光刻装置，该装置包括：台架，保持基板并且是能移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为确定通过检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
将掩模图案转印到基板上的曝光装置是在半导体器件等的制造步骤(光刻步骤)中要使用的装置之一。在曝光装置中，全局对准方法一般用作掩模与基板之间的对准的方法。在全局对准方法中，通过检测在基板上形成的某些代表性的投射区域(样本投射区域(sample shot reg1n))的位置并且使用通过统计处理检测结果而获得的并且用作基板上的所有投射区域中的公共指标(index)的指标，来执行对准。为了增加产量，日本专利公开N0.2005-217092已提出确定样本投射区域的检测次序以减少基板台架在样本投射区域的位置检测的结束与样本投射区域的曝光的开始之间的移动距离的方法。—般地，曝光装置包括用光照射基板台架的侧表面并且基于反射光来测量基板台架的位置的测量单元(例如，干涉仪)，并且基于测量单元的测量结果来控制基板台架的移动。如果由于随着基板台架的移动而产生的热量的影响在从测量单元发射的光的光路上出现温度分布，则在测量单元的测量结果中可能出现误差。然后，如果在检测每个样本投射区域的位置时出现这种误差，则可能变得难以精确地获得在基板上的所有投射区域中使用的公共指标。
技术实现思路
本专利技术例如提供了就执行全局对准而言有利的技术。根据本专利技术的一个方面，提供一种在基板上形成图案的光刻装置，该装置包括:台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为确定检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。根据本专利技术的一个方面，提供一种在基板上形成图案的光刻装置，该装置包括:台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为根据从多个模式中选择的模式来确定检测单元检测样本投射区域的次序，其中所述多个模式包括第一模式和第二模式，在第一模式中确定次序使得关于位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域从更接近测量单元的样本投射区域依次执行检测单元的检测，在第二模式中确定次序使得使检测单元对多个样本投射区域的各自的位置进行检测所需的时间段变得短于允许的时间。根据本专利技术的一个方面，提供一种产品的制造方法，该方法包括以下的步骤:使用光刻装置在基板上形成图案；以及处理其上形成有图案的基板以制造产品，其中，光刻装置在基板上形成图案并且包括:台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为确定检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。根据本专利技术的一个方面，提供一种在光刻装置中确定检测单元检测样本投射区域的次序的方法，所述光刻装置在基板上形成图案并且包括:台架，保持基板并且是可移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由该侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；以及检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置，该方法包括:确定所述次序，使得在位于气流的相对于基板中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本专利技术的其它特征将变得清楚。【附图说明】图1是示出了根据第一实施例的曝光装置的布置的示意图；图2是示出了基板台架及其周边部分的布置的示意图；图3是用于说明通过基板台架的移动而产生的热量的示图；图4是示出了保持基板的基板台架及其周边部分的布置的示意图；图5示出了用于说明第一测量单元与基板台架之间的位置关系的示图；图6是示出了保持基板的基板台架及其周边部分的布置的示意图。【具体实施方式】下面参照附图来描述本专利技术的示例性实施例。注意，在所有附图中相同的附图标记表示相同的部件，并且将不会给出对其的重复描述。在以下实施例中，将描述把掩模图案转印到基板上的曝光装置。但是，本专利技术不限于此。本专利技术例如也可应用于诸如使用模具来使基板上的压印材料成形的压印装置，或用带电粒子束照射基板并在基板上形成图案的绘制装置之类的光刻装置。〈第一实施例〉将参照图1来描述根据本专利技术第一实施例的曝光装置100。图1是示出了根据第一实施例的曝光装置100的布置的示意图。曝光装置100例如可包括照射光学系统11、投影光学系统12、掩模台架13、基板台架14、检测单元15和控制单元16。例如，控制单元16包含CPU、或存储器等，并且控制把在掩模I上形成的图案转印到基板2上的处理(对基板2进行曝光的处理)。照射光学系统11用从光源(未示出)发射的光照射由掩模台架13保持的掩模I。投影光学系统12具有预定的倍率(例如，X 1/2)，并且把在掩模I上形成的图案投影到基板2上。掩模I和基板2分别由掩模台架13和基板台架14保持，并且经由投影光学系统12在光学上位于近乎共轭位置(投影光学系统12的物面和像面)中。例如，掩模台架13通过真空夹具或静电夹具等保持掩模1，并且被配置为能够在例如X方向和Y方向上移动。例如，基板台架14通过真空夹具或静电夹具等保持基板2，并且被配置为能够在例如X方向和Y方向上移动。检测单元15检测在基板上形成的某些代表性的投射区域2a(多个样本投射区域2b)的位置(包含旋转)，以使用全局对准方法来执行掩模I与基板2之间的对准。检测单元15例如通过检测设在样本投射区域2b中的多个标记来获取各样本投射区域2b的位置。这允许控制单元16通过统计处理由检测单元15检测到的各样本投射区域2b的位置来获得在基板上的所有投射区域2a中使用的公共指标。在第一实施例中，检测单元15被提供为在不干涉投影光学系统12的情况下检测各样本投射区域2b的位置的轴外检测单元。但是，本专利技术不限于此。检测单元15例如可被提供为经由投影光学系统12检测各样本投射区域2b的位置的TTL(通过透镜，Through The Lens)检测单元。现在将参照图2来描述基板台架14及其周边部分的布置。图2是示出了基板台架14及其周边部分的布置的示意图。基板台架14保持基板2，并被配置为能够在例如X方向和Y方向上在基座部件10上移动。在根据第一实施例的曝光装置100中，例如，如图2中所示，设有被配置为在X方向和Y方向上驱动基板台架14的X滑动器8和Y滑动器9。X滑动器8在基座部件10上在X方向上驱动基板台架14。Y滑动器9在基座部件10上在Y方向上驱动基板台架14。通过如上所述地提供X滑动器8和Y滑动器9，保持基板2的基板台架14可被配置为能够在基座部件本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种在基板上形成图案的光刻装置，其特征在于，该装置包括：台架，保持基板并且是能移动的；测量单元，被配置为用光照射台架的侧表面并且基于由所述侧表面反射的光来测量台架的位置；产生单元，被配置为在台架移动的空间中产生气流；检测单元，被配置为检测在基板上形成的多个样本投射区域的各自的位置；以及控制单元，被配置为确定检测单元检测样本投射区域的次序，使得在位于气流的相对于基板的中心的下游侧的样本投射区域当中，从最接近测量单元的样本投射区域开始依次执行检测单元的检测。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小仓匡博，三岛和彦，水元一史，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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