本发明专利技术适用于导电玻璃技术领域，提供了一种增透型消影AZO导电玻璃，包括玻璃基片、层叠设置于玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于玻璃基片另一表面的消影层，消影层的表面设有AZO膜层；消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。本发明专利技术在玻璃基片的两侧分别设置了消影层和增透层，有效消除了AZO膜层的刻蚀纹，提高了透光率，可获得高亮度、清晰细腻的高品质画面；并且，将消影层与增透层分设玻璃基片两侧，可使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于导电玻璃
，特别涉及一种增透型消影AZO导电玻璃及其制造方法。
技术介绍
AZO玻璃，即掺杂铝的氧化锌透明导电玻璃，是TCO玻璃的一种，和ITO玻璃等TCO玻璃一样也具有透明和导电的特点，可用于生产触摸屏器件。传统的AZO导电玻璃，在与ITO具有相同导电性的情况下，透过率较差，导电层刻蚀纹明显，导致显示效果欠佳。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种增透型消影AZO导电玻璃，旨在提高透过率并淡化刻蚀纹，改善显示效果。本专利技术是这样实现的，一种增透型消影AZO导电玻璃，包括玻璃基片、层叠设置于所述玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于所述玻璃基片另一表面的消影层，所述消影层的表面设有AZO膜层；所述消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，所述增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。本专利技术的另一目的在于提供一种触控装置，至少包括一基板，所述基板采用所述的增透型消影AZO导电玻璃，所述增透型消影AZO导电玻璃的AZO膜层蚀刻成触控电极。本专利技术的另一目的在于提供一种增透型消影AZO导电玻璃的制造方法，包括下述步骤：选取玻璃原片并进行镀膜前处理，获得玻璃基片；在所述玻璃基片的一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第一五氧化二铌膜层或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层，得到消影层；在所述消影层表面镀制AZO膜层；在所述玻璃基片的另一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第二二氧化硅膜层以及第二五氧化二铌膜层或第二二氧化钛膜层，得到增透层，进而获得增透型消影AZO导电玻璃。本专利技术提供的AZO导电玻璃在玻璃基片的两侧分别设置了消影层和增透层，有效消除了AZO膜层的刻蚀纹，并提高了透光率，可获得高亮度、清晰细腻的高品质画面；并且，由于消影层和增透层各自由至少两层膜构成，若将二者镀在同一侧，则过多层膜系生产工艺复杂，每一层的变化对整个膜系都影响较大，本实施例将消影层与增透层分设玻璃基片两侧，可使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的增透型消影AZO导电玻璃的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的增透型消影AZO导电玻璃设置增透层和未设置增透层时的透过率曲线图；图3是本专利技术实施例提供的增透型消影AZO导电玻璃的方法流程图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。以下结合具体实施例对本专利技术的具体实现进行详细描述：请参考图1，本专利技术实施例提供一种增透型消影AZO导电玻璃，其包括玻璃基片01、层叠设置于玻璃基片01一表面(锡面)的增透层02和层叠设置于玻璃基片01另一表面(空气面)的消影层03，该消影层03的表面设有AZO膜层04，该AZO膜层04通常用于蚀刻电极，作为触控显示装置中的触控电极或者显示驱动电极。该消影层03可以淡化AZO膜层04刻蚀成电极后导致的刻蚀纹，当未设有消影层03时，AZO膜层04刻蚀的电极和未经电极覆盖的基材表面对可见光的反射率相差较大，导致电极刻蚀纹明显，本实施例中，消影层03作为折射率匹配层，设置于AZO膜层04和玻璃基片01之间，可见光在AZO材料表面和未被AZO材料覆盖的表面上发生相消干涉从而消除刻蚀纹，单独的消影层03对可见光的反射率和设有AZO膜层04时对可见光的反射率之差低于2％，该消影层可以有效淡化甚至忽略刻蚀纹，使显示画面无刻蚀纹干扰，提升品质。在玻璃基片01的另一表面，设置了增透层02，可以大幅提高可见光的透过率，进而提高显示的亮度，通过增透层02可以使整个AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。如图2所示，上方曲线为设置增透层的透过率曲线，下方曲线为未设置增透层的透过率曲线。本实施例提供的AZO导电玻璃在玻璃基片01的两侧分别设置了消影层03和增透层02，有效消除了AZO膜层04的刻蚀纹，并提高了透光率，可获得高亮度、清晰细腻的高品质画面；并且，由于消影层03和增透层02各自由至少两层膜构成，若将二者镀在同一侧，则过多层膜系生产工艺复杂，每一层的变化对整个膜系都影响较大，本实施例将消影层03与增透层02分设玻璃基片01两侧，可使工艺简化且可调性提高，减少镀膜的复杂性和不确定性，提升产品良率。在本实施例中，消影层03包括自玻璃基片01起依次层叠设置的第一五氧化二铌膜层031(或第一二氧化钛膜层)以及第一二氧化硅膜层032，第一五氧化二铌膜层031对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为5～50nm，第一二氧化硅膜层032对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为30～100nm。AZO膜层04的厚度为50～300nm，对应550nm的折射率为1.80～1.95，电阻率为5×10-4Ω/cm。将上述材料按照上述参数匹配设置，可以获得较佳的消影效果。另外，该玻璃基片01可以采用厚度为0.5～2.0mm(例如0.5mm、0.7mm、1.1mm等)的钠钙硅玻璃、硼硅玻璃或铝硅玻璃。在本实施例中，增透层02包括自玻璃基片01起依次设置的第二二氧化硅膜层021以及第二五氧化二铌膜层022(或第二二氧化钛膜层)，第二二氧化硅膜层021对应于550nm的折射率为1.40～1.50，厚度为5～50nm，第二五氧化二铌膜层022对应于550nm的折射率为2.20～2.40，厚度为40～100nm。通过上述材料按照上述参数匹配设置，可以将可见光的透过率提高到87％以上。上述增透型消影AZO导电玻璃通过下述方法制作，具体参考图3，步骤如下：在步骤S101中，选取玻璃原片并进行镀膜前处理，获得玻璃基片；在本实施例中，将所需厚度的玻璃原片经切割成所需尺寸，再经磨边、研磨、清洗等前处理过程得到镀膜所需的玻璃基片01。在步骤S102中，在玻璃基片01的一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第一五氧化二铌膜层031或第一二氧化钛膜层以及第一二氧化硅膜层032，得到消影层03；在步骤S103中，在消影层03表面镀制AZO膜层04；在步骤S104中，在玻璃基片01的另一表面采用中频交流磁控溅射工艺依次镀制第二二氧化硅膜层021以及第二五氧化二铌膜层022或第二二氧化钛膜层，得到增透层02，进而获得增透型消影AZO导电玻璃。<本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，包括玻璃基片、层叠设置于所述玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于所述玻璃基片另一表面的消影层，所述消影层的表面设有AZO膜层；所述消影层表面设有AZO膜层时和未设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，所述增透型消影AZO导电玻璃的整体透过率高于87％。
【技术特征摘要】
1.一种增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，包括玻璃基片、层叠设
置于所述玻璃基片一表面的增透层和层叠设置于所述玻璃基片另一表面的消影
层，所述消影层的表面设有AZO膜层；所述消影层表面设有AZO膜层时和未
设有AZO膜层时对可见光的反射率之差低于2％，所述增透型消影AZO导电
玻璃的整体透过率高于87％。
2.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述消
影层包括自所述玻璃基片起依次层叠设置的第一五氧化二铌膜层或第一二氧化
钛膜层以及第一二氧化硅膜层，所述第一五氧化二铌膜层对应于550nm的折射
率为2.20～2.40，厚度为5～50nm，所述第一二氧化硅膜层对应于550nm的折射
率为1.40～1.50，厚度为30～100nm。
3.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述增
透层包括自所述玻璃基片起依次设置的第二二氧化硅膜层以及第二五氧化二铌
膜层或第二二氧化钛膜层，所述第二二氧化硅膜层对应于550nm的折射率为
1.40～1.50，厚度为5～50nm，所述第二五氧化二铌膜层对应于550nm的折射率
为2.20～2.40，厚度为40～100nm。
4.如权利要求1所述的增透型消影AZO导电玻璃，其特征在于，所述AZO
膜层的厚度为50～300nm，对应550nm的折射率为1.80～1.95，电阻率为
5×10-4Ω/cm。
5.一种触控装置，其特征在于，至少包括一基板，所述基板采用权利要
求1～4任一项所述的增透型消影A...
【专利技术属性】
技术研发人员：董清世，李晓东，邵世强，王润，陈曦，
申请(专利权)人：信义光伏产业安徽控股有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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