装备有磁性材料的防伪元件的检查制造技术

技术编号:12345079 阅读:92 留言:0更新日期:2015-11-18 18:00
本发明专利技术涉及检测有价文件(10)的防伪元件(11),防伪元件具有多个磁区域(h,k,l),所述多个磁区域包括具有高矫顽磁性材料的至少一个高矫顽磁区域(h)、具有低矫顽磁性材料的低矫顽磁区域(l),并可选地包括组合的磁区域(k),组合的磁区域包含高矫顽磁性材料和低矫顽磁性材料两者。在所有磁性材料或确切地由其构成的磁区域(h,k,l)借助第一磁场区域在一个方向上磁化之后,仅低矫顽磁性材料在随后的第二磁场区域中在另一方向上再磁化。根据本发明专利技术,在使防伪元件(21)仍暴露于第二磁场区域的同时检测磁区域(h,k,l)的磁信号。基于信号可以可靠地区分所有三个上述磁区域类型(h,k,l)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于检查装备有具有不同矫顽场强的多个磁性材料的防伪元件的方法和设备。
技术介绍
从DE102011106263A1中已知一种用于检查这种防伪元件的检查方法。要检查的防伪元件在不同的区域中装备有具有第一矫顽场强的第一磁性材料和具有第二矫顽场强的第二磁性材料,第二矫顽场强小于第一矫顽场强。在一些区域中,两种磁性材料还联合地设置。所述区域形成可被检查的磁代码。为了检查,首先使防伪元件经受第一较强磁场,第一较强磁场足够强,以使两种磁性材料在第一方向上磁化,即第一较强磁场具有比两个上述矫顽场强大的磁场强度。随后,使防伪元件经受第二较弱磁场,第二较弱磁场具有小于第一矫顽场强且大于第二矫顽场强的磁场强度,并相应地在与第一磁性材料的磁化方向不同的方向上调准第二磁性材料的磁化。然后,以空间解析方式测量防伪元件的磁化。然后,从由此捕获的磁信号中推导出仅具有第一磁性材料的磁区域和仅具有第二磁性材料的磁区域所在的位置。从两个不同磁区域,捕获基本上彼此相反(即,具有相反符号的信号)的磁信号(例如磁通量密度或与之成比例的信号)。当两个上述类型的磁性材料彼此重叠,即形成具有两种磁性材料的组合的磁区域时,它们的磁信号可相应地彼此完全或几乎完全抵消掉,使得这种组合的磁区域不被检测到。在DE 10 2011 106 263中,通过将防伪元件随后还在第三磁化方向上磁化,并捕获另一磁信号(基于该另一磁信号,还可可靠地检测到上述组合的磁区域)解决了该问题。然而,这使得检查方法变得复杂。
技术实现思路
因此,本专利技术之目的是提出一种能够不太复杂地检测上述组合的磁区域的方法和设备。在根据本专利技术的方法中,如在现有技术中,检查具有第一磁性材料和第二磁性材料的防伪元件,第一磁性材料具有第一较强的矫顽场强,第二磁性材料具有第二较小的矫顽场强。该防伪元件包括至少第一磁区域和第二磁区域,第一磁区域具有第一磁性材料,不具有第二磁性材料,第二磁区域具有第二磁性材料,不具有第一磁性材料。而且,该防伪元件还包括具有两种磁性材料的至少第三磁区域。在该方法中,如在现有技术中,防伪元件首先经受第一磁场区域,在第一磁场区域中,两种磁性材料在第一磁化方向上预磁化。为此,在所述区域中必须存在既大于第一矫顽场强又大于第二矫顽场强的第一磁场强度。优选地,其是两种矫顽场强的至少1.5倍,更优选地为至少1.75倍,或者甚至至少2倍。结合本专利技术,磁场区域表示由磁化设备产生的总磁场的连续区域。随后,该防伪元件经受第二磁场区域,通过第二磁场区域,第二磁性材料在不同于第一磁化方向上的第二磁化方向上排列。在第二磁场区域中,相应地存在大于第二矫顽场强的第二磁场强度。此外,在第二磁场区域的每一处,该磁场强度小于第一矫顽场强,使得第一磁性材料未在第二磁化方向上排列,而是仍在第一磁化方向上(至少基本上)保持磁化。根据本专利技术,当防伪元件及由此的(发出磁信号的)相关磁区域经受第二磁场区域并由此经受第二磁场强度时,现在正好捕获从一个或多个磁区域发出的用于检查防伪元件的磁信号。之后,评估捕获的磁信号。如此,不用捕获和评估相关磁区域的任何其它磁信号,从捕获的磁信号中推导出相关磁区域是否具有第一磁性材料或第二磁性材料或者如果相应地适配了评估装置,是否具有两种磁性材料(如果可能的话)。由此,确认磁区域的类型。优选地,还确认相关磁区域的位置。本专利技术基于这样的发现,只要防伪元件仍经受第二磁场强度,第二磁性材料的磁信号(例如测量的磁通量密度或与之成比例的信号)的绝对值便明显不同于第一磁性材料的磁信号的绝对值。相应地,如果想要并且相应地适配了评估装置,还可利用根据本专利技术的方法检测第三(组合的)磁区域,因为两种磁性材料的磁信号的绝对值显著不同,使得它们在叠加时不会彼此抵消掉,即使它们具有相反符号也如此(如果可能的话)。根据本专利技术,第二磁性材料的矫顽场强低于第一磁性材料的。优选地,两种矫顽场强显著大于零。例如,第二磁性材料的矫顽场强可以等于至少4、8或16kA/m(约50、100或2000e(奥斯忒))。然而,第二磁性材料还可以是软磁磁性材料,其在该情况下理解为具有等于零或几乎等于零的矫顽场强的磁性材料,第一磁性材料是具有比其大的矫顽场强的任何磁性材料(非软磁材料)。然而,当然,第二磁场区域的磁场强度必须明显大于零,例如可等于第一磁场区域的磁场强度的至少五百分之一或二百分之一或百分之一。如上所述,防伪元件首先经受第一磁场区域,在第一磁场区域中,两种磁性材料在第一磁化方向上预磁化。优选地,防伪元件随后经受第二磁场区域,同时由此预磁化。“由此预磁化”意味着防伪元件在经受第二磁场区域之前未经受另一磁场的位于第一和第二磁场区域之间的任何其它磁场区域,从而通过所述另一区域再磁化。根据本专利技术的用于检查防伪元件的检查设备相应地具有传输线、磁化设备、传感器和评估装置,防伪元件沿传输线在传输方向上移动。磁化设备在传输线的第一区域中提供具有第一磁场强度的第一磁场区域,从而在第一磁场区域中在第一磁化方向上磁化两种磁性材料。此外,磁化设备提供具有第二磁场强度的第二磁场区域(沿传输线位于第一磁场区域之后),第二磁场强度(绝对值)小于第一磁场强度且另外大于第二磁性材料的第二矫顽场强,并小于第一磁性材料的第一矫顽场强。因此,防伪元件可沿传输线从第一磁场区域移动至随后的第二磁场区域,以在第二区域中在与第一磁化方向不同的第二磁化方向上再磁化在第一磁场区域中预磁化的第二磁性材料。传感器捕获来自防伪元件的至少一个磁区域中的磁信号。为此,其适配于捕获从第二磁场区域发出的磁信号,即在防伪元件位于第二磁场区域且经受第二磁场强度的同时,捕获磁信号。检查设备的传感器相应地捕获从传输线的第二区域发出的磁信号,第二磁场区域作用在该第二区域上。然后,通过评估装置评估所捕获的磁信号,如上所述。根据优选实施例,第二磁场区域在此位于由磁化设备(或对应的第二磁化装置)产生的总磁场的核心区域中。这能够不复杂且简单地实现所用设备的构造,并且得到可靠的结果。核心区域在此表示:总磁场呈现局部或全部最大磁场强度(例如,总磁场相对于防伪元件沿其移动的传输线的局部最大磁场强度)的区域。例如,在核心区域中的每处,在核心区域中存在等于最大磁场强度的至少25%、优选至少50%或甚至至少75%的磁场强度。优选地,在第二磁场区域中具有第二磁场强度的磁场基本上与第一磁化方向相反地延伸。因此,第二磁性材料在基本上与第一磁化方向相反的第二磁化方向上排列。因此,在由两种磁性材料产生的磁信号之间尤其有明显的数量差,即它们基本上彼此相反,并还在形状方面具有形态(course)类似性,具有不同绝对值。或者,在第二磁场区域中具有第二磁场强度的磁场还基本上垂直于第一磁化方向延伸。那么,在由两种磁性材料产生的磁信号的形态之间导致明显的形状差。此外,具有第二磁场强度的磁场当然还可以相对于第一磁化方向以任意其它角度延伸。在捕获磁信号时,可以在任意方向上捕获由防伪元件的磁化产生的磁通量密度。根据优选实施例,在捕获磁信号时,在基本垂直于第二磁场区域的磁场方向延伸的方向上捕获由防伪元件产生的磁能量密度,在捕获时,防伪元件经受第二磁场区域。由于在该情况下,在捕获时作用在防伪元件上的磁场基本垂直于捕获方向延伸,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检查防伪元件(11)的方法,所述防伪元件至少具有第一磁性材料和第二磁性材料,所述第一磁性材料具有第一矫顽场强,所述第二磁性材料具有比所述第一矫顽场强小的第二矫顽场强,所述防伪元件(11)包括至少第一磁区域(h)、至少第二磁区域(l),并且不包括或者包括至少第三磁区域(k),所述第一磁区域具有第一磁性材料而不具有第二磁性材料,所述第二磁区域具有第二磁性材料而不具有第一磁性材料,所述第三磁区域具有第一和第二磁性材料两者,所述方法包括以下步骤:‑使所述防伪元件(11)经受具有第一磁场方向以及大于第一和第二矫顽场强的第一磁场强度的第一磁场区域,使得第一磁性材料和第二磁性材料两者在第一磁化方向上预磁化(S1);‑使所述防伪元件(11)经受具有与第一磁场方向不同的第二磁场方向以及大于第二矫顽场强而小于第一矫顽场强的第二磁场强度的第二磁场区域,使得所述第二磁性材料通过第二磁场区域在与所述第一磁化方向不同的第二磁化方向上排列,同时,所述第一磁性材料在所述第一磁化方向上保持预磁化(S2);‑在使所述防伪元件(11)经受所述第二磁场区域的同时,捕获来自所述防伪元件(11)的至少一个磁区域(h,k,l)的磁信号(S3);以及‑评估所述磁信号(S4),其特征在于,在评估步骤(S4),在不捕获和不评估所述磁区域(h,k,l)的任何其它磁信号的情况下,从捕获的磁信号中推理出相关磁区域(h,k,l)是否位于第一磁区域(h)或第二磁区域(l)中,并且其中,优选地,在不捕获和不评估所述磁区域(h,k,l)的任何其它磁信号的情况下,如果可能的话,还从捕获的磁信号中推理出相关磁区域(h,k,l)是否位于第三磁区域(k)中。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:E保罗A斯托克利
申请(专利权)人:德国捷德有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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