光半导体装置的制造方法制造方法及图纸

利用密封片(1)来密封LED(4)而制造LED装置(5)的LED装置(5)的制造方法，其包括片制造工序和密封工序，在该片制造工序中制造密封片(1)，在该密封工序中利用密封片(1)来密封LED(4)，从在片制造工序中制得密封片(1)之后到在密封工序中利用密封片(1)来密封了LED(4)之前的这段时间T为24小时以内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
公知有一种利用密封片来密封光半导体元件而制造光半导体装置的方法。例如，提出有一种制造光半导体装置的方法：制造具有能够将光半导体元件密封 的密封树脂层的光半导体元件密封用片，之后，将该光半导体元件密封用片以与光半导体 元件搭载基板相对的方式载置，利用压力机对该光半导体元件密封用片进行加压，由此制 造光半导体装置（例如，参照下述专利文献1。）。 专利文献1:日本特开2011-159874号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 然而，在制造光半导体元件搭载基板时，首先，制造C阶段前的光半导体元件密封 用片，之后，将该光半导体元件密封用片出厂并输送。然后，在出厂目的地保存（保管）光 半导体元件密封用片之后，将该光半导体元件密封用片设置于载置有光半导体元件搭载基 板的压力机。之后，通过加压并利用光半导体元件密封用片来埋设被搭载在光半导体元件 搭载基板上的光半导体元件并使光半导体元件密封用片成为C阶段，从而利用光半导体元 件密封用片来密封光半导体元件。 因此，即使在长时间输送和保存光半导体元件密封用片，也需要预先将光半导体 元件密封用片维持在能够密封光半导体元件的C阶段前的状态。这样一来，需要设计和管 理光半导体元件密封用片，以便在各种环境下均能长时间维持光半导体元件密封用片的C 阶段前的状态，因此，存在制造成本乃至管理成本增大这样的问题。 本专利技术的目的在于，提供一种易于管理用于密封光半导体元件的、C阶段前的状态 的密封层并能够提高光半导体装置的制造效率的。 用于解决问题的方案 本专利技术的一种是利用密封层来密封光半导体元件而制 造光半导体装置的，其特征在于，该包 括密封层制造工序和密封工序，在该密封层制造工序中制造所述密封层，在该密封工序中 利用所述密封层来密封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得所述密封层之 后到在所述密封工序中利用所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24 小时以下。 采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得密封层之后到在密封工序中利用密 封层来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导体装置的制造 效率。 另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封层的C阶段前的状态，因此能够易于 设计和管理C阶段前的状态的密封层。因此，能够提高C阶段前的状态的密封层的设计和 管理的自由度。另外，在本专利技术的中，优选的是，在室温条件下输送利用 所述密封层制造工序制造出来的所述密封层并将所述密封层供给至所述密封工序。 在密封层的输送和保管需要较长时间的情况下，为了防止密封层自C阶段前的状 态成为C阶段，需要将C阶段前的状态的密封层冷却（冷冻）为低温而进行输送和保管。 但是，采用该方法，由于自C阶段前的状态之后到C阶段之前的这段时间为短时 间，因此能够在室温条件下输送利用密封层制造工序制造出来的C阶段前的状态的密封层 并将所述密封层供给至密封工序。因此，不需要用于所述冷却的工时和设备，其结果，能够 降低制造成本。 另外，在冷却密封层的情况下，需要在使冷却了的密封层返回到室温之后利用该 密封层来密封光半导体元件，结果会存在如下情况：当使冷却了的密封层在短时间内返回 到室温时，会使密封层产生结露，若利用该结露了的密封层来密封光半导体元件，则会产生 空隙而使光半导体装置的可靠性降低。 另一方面，若为了防止密封层的结露而使冷却了的密封层在经过长时间后返回到 室温，则会使光半导体装置的制造效率显著降低。 但是，采用该方法，由于不需要所述冷却，因此，也不需要使冷却了的密封层返回 到室温，从而能够缩短制造时间。因此，能够降低制造成本。并且，由于还能够防止因所述 结露而产生的空隙，因此能够制造可靠性较高的光半导体装置。另外，优选的是，本专利技术的该是利用B阶段的密封片来 密封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置的，所述密封层 制造工序是制造B阶段的所述密封片的片制造工序，在所述密封工序中，利用B阶段的所述 密封片来密封所述光半导体元件，从在所述片制造工序中制得B阶段的所述密封片之后到 在所述密封工序中利用B阶段的所述密封片来密封了所述光半导体元件之前的这段时间 为24小时以下。 采用该方法，由于从在片制造工序中制得B阶段的密封片之后到在密封工序中利 用B阶段的密封片来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光半导 体装置的制造效率。 另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封片的B阶段，因此，易于设计和管理B 阶段的密封片。因而，能够提高B阶段的密封片的设计和管理的自由度。 并且，采用该方法，在密封工序中，由于利用B阶段的密封片来密封光半导体元 件，因此，与A阶段的密封片相比，能够利用处理性优异的B阶段的密封片来将光半导体元 件简单地密封起来。另外，优选的是，在本专利技术的中，利用所述片制造工序 制造出来的B阶段的所述密封片的在25°C的温度条件下的压缩弹性模量为0. 040MPa~ 0.145MPa〇 采用该方法，由于能够使用的B阶段的密封片的压缩弹性模量的范围较大，因此 能够进一步提高B阶段的密封片的设计的自由度。另外，优选的是，在本专利技术的中，在25°C的温度条件下将 利用所述片制造工序制造出来的B阶段的所述密封片保存了 24小时之际的、25°C的温度条 件下的压缩弹性模量的增加量为〇. 〇15MPa~0. 120MPa。 采用该方法，利用在25°C的温度条件下保存了 24小时之际的、25°C的温度条件下 的压缩弹性模量的增加量AM较大的B阶段的密封片也能够密封光半导体元件。也就是说， 能够使用快固化性的B阶段的密封片来缩短实现C阶段化所需要的时间。因此，能够缩短 光半导体装置的制造时间，其结果，能够降低制造成本。 另外，优选的是，本专利技术的是利用A阶段的密封层来密 封所述光半导体元件而制造所述光半导体装置的，在所述密封层 制造工序中，制造A阶段的所述密封层，在所述密封工序中，利用A阶段的所述密封层来密 封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得A阶段的所述密封层之后到在所述 密封工序中利用A阶段的所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小 时以下。 采用该方法，由于从在密封层制造工序中制得A阶段的密封层之后到在密封工序 中利用A阶段的密封层来密封了光半导体元件之前的这段时间为短时间，因此能够提高光 半导体装置的制造效率。 另外，采用该方法，由于不必长时间维持密封层的A阶段的状态，因此，易于设计 和管理A阶段的密封层。因而，能够提高A阶段的密封层的设计和管理的自由度。 并且，采用该方法，由于在密封层制造工序中制造A阶段的密封层，在密封工序中 利用密封层来密封光半导体元件，因此，能够削减调制B阶段的密封层所花费的工时。因 此，能够使工时降低而提高光半导体装置的制造效率。 专利技术的效果 采用本专利技术，能够提高光半导体装置的制造效率。另外，能够提高密封层的设计和 管理的自由度。【附图说明】 图1表示作为本专利技术的的第1实施方式的LED装置的制 造方法的流程图。 图2表示用于实施图1所示的各工序的LED装置制造工厂的概略图。 图3A~图3C表不位于用于实施片制造工序的片制造区域的各装置，图3A表不位 于清漆调制区域的混合容器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光半导体装置的制造方法，在该光半导体装置的制造方法中，利用密封层来密封光半导体元件而制造光半导体装置，其特征在于，该光半导体装置的制造方法包括密封层制造工序和密封工序，在该密封层制造工序中制造所述密封层，在该密封工序中利用所述密封层来密封所述光半导体元件，从在所述密封层制造工序中制得所述密封层之后到在所述密封工序中利用所述密封层来密封了所述光半导体元件之前的这段时间为24小时以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：二宫明人，伊藤久贵，大薮恭也，梅谷荣弘，三谷宗久，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP