蒸发单元制造技术

本发明专利技术涉及一种蒸发单元，其用于将材料蒸发到设置在真空沉积室中的基材上并且包括：内封壳，内封壳界定接纳容纳材料的坩埚的蒸发室并具有用于将坩埚插入蒸发室中的开口；蒸发装置，蒸发装置设置于内封壳的外周以将坩埚置于蒸发状态；喷射管道，喷射管道用以将蒸发后的材料的蒸气流从蒸发室输送到位于真空沉积室中的喷射器；和设置在喷射管道上的断流阀。根据本发明专利技术，该蒸发单元包括插入开口的关闭装置和开启装置，关闭装置具有用于将坩埚插入蒸发室中的开启构型和蒸发室被围合并经由喷射管道与真空沉积室连通的封闭构型，开启装置用于在坩埚的包壳中提供蒸发开口，坩埚充填有待蒸发的材料并维持在真空下以使得坩埚于是与蒸发室连通。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使材料蒸发并真空沉积在基材上的领域。更具体地，本专利技术涉及一种用来使材料蒸发以使材料沉积在设置于真空沉积室中的基材上的蒸发单元。
技术介绍
由文献EP1825018得知一种包括这种蒸发单元的真空沉积装置，该蒸发单元用来使材料蒸发以使材料沉积在设置于真空沉积室中的基材上并且包括:-界定蒸发室的内封壳，所述蒸发室适合接纳容纳所述待蒸发的材料的i甘祸，该内封壳具有用于将坩祸插入所述蒸发室中的插入开口，-蒸发装置，该蒸发装置设置于所述内封壳的外周并且适合在所述坩祸被接纳在所述蒸发室中时将所述坩祸置于用于容纳在所述坩祸中的材料的蒸发的蒸发状态下，-喷射管道，该喷射管道适合将蒸发的材料的蒸气流从蒸发室输送到位于所述真空沉积室中的喷射器，和-设置在所述喷射管道上的断流阀。这种真空沉积装置允许沉积半导体材料或化合物(例如:硅、砷化镓、磷化铟等)、无机材料(例如:砸、锑、磷)或有机材料(例如，??三(8-羟基喹啉)铝(III)或Alq3，...)。文献EP1825018的蒸发单元允许在断流阀关闭时在真空沉积室不会再充气的情况下将坩祸与喷射管道连接。为此，该坩祸是嘴部适合紧紧地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸发单元(10)，其用于使材料(7)蒸发以使所述材料沉积在置于真空沉积室(20)中的基材(2)上，所述蒸发单元包括：‑界定蒸发室(100)的内封壳，所述蒸发室适合接纳容纳待蒸发的材料(7)的坩埚(110)，该内封壳(100)具有用于将所述坩埚(110)插入所述蒸发室(100)中的插入开口(12)，‑蒸发装置(101，131，132)，所述蒸发装置设置于所述内封壳(100)的外周并且适合当所述坩埚(110)被接纳在所述蒸发室(100)中时将所述坩埚(110)置于蒸发状态下以用于容纳在所述坩埚(110)中的材料(7)的蒸发，‑喷射管道(14)，所述喷射管道适合将已蒸发的材料(7)的蒸气流(3)...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D·埃斯特韦，F·施特梅伦，
申请(专利权)人：瑞必尔，
类型：发明
国别省市：法国;FR