【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子材料
，涉及石墨烯薄膜的制作方法，特别涉及一种工业连续化生产石墨烯的方法。
技术介绍
石墨烯是生产计算机平板显示器及半导体芯片的基础材料。目前国内生产石墨烯薄膜，传统采用化学气相沉积法，在真空条件下进行加热、完成石墨烯生长基底的退火及碳源气体的分解。这种生产工艺存在：耗能高、不能实现生产大面积的石墨烯薄膜，限制了石墨烯的大规模生产及应用。
技术实现思路
本专利技术克服了上述存在的缺陷，目的是解决了大面积石墨烯薄膜的生产，提供一种工业连续化生产石墨烯的方法。本专利技术工业连续化生产石墨烯的方法内容简述：本专利技术工业连续化生产石墨烯的方法，是采用化学气相沉积和快速降温的方法完成石墨烯晶体薄膜的连续生长的生产方法，采用下述步骤完成：（1）、将载体薄板设置在冷却管的上面，通过碳源充分燃烧对冷却管进行加温，加热温度为1000～1200℃，冷却管管道内的水温为0～100℃，最佳水温为33℃；载体薄板的厚度为20～30纳米；（2）、加入甲烷在常压条件下调整氧气使压强达到1～2MPa；（3）、降温减压同步进行，在常压下温度降至33℃，完成一次石墨烯生产过程；（4）、通过牵引机拉动载体薄板，使载体薄板的底面围绕旋转的冷却管管壁作同向运动，通过加热冷却管对载体薄板进行轰击，在载体薄板的底面产生透明石墨烯晶体薄膜，载体薄板随着旋转而不断延伸长度，产生的透明石墨烯晶体薄膜的长度不断连续生长，其一次生产过程产生的石墨烯厚度为0.305纳米级石墨烯，石墨烯产品的厚度根据设计...
【技术保护点】
一种工业连续化生产石墨烯的方法，其特征在于：是采用化学气相沉积和快速降温的方法完成石墨烯晶体薄膜的连续生长的生产方法，采用下述步骤完成：（1）、将载体薄板设置在冷却管的上面，通过碳源充分燃烧对冷却管进行加温，加热温度为1000～1200℃，冷却管管道内的水温为0～100℃，最佳水温为33℃；载体薄板的厚度为20～30纳米；（2）、加入甲烷在常压条件下调整氧气使压强达到1～2MPa；（3）、降温减压同步进行，在常压下温度降至33℃，完成一次石墨烯生产过程；（4）、通过牵引机拉动载体薄板，使载体薄板的底面围绕旋转的冷却管管壁作同向运动，通过加热冷却管对载体薄板进行轰击，在载体薄板的底面产生透明石墨烯晶体薄膜，载体薄板随着旋转而不断延伸长度，产生的透明石墨烯晶体薄膜的长度不断连续生长，其一次生产过程产生的石墨烯厚度为0.305纳米级石墨烯，石墨烯产品的厚度根据设计需要进行调整；（5）、制成的产品按所需要的长度及厚度进行激光分割。
【技术特征摘要】
1.一种工业连续化生产石墨烯的方法，其特征在于：是采用化学气相沉积和快速降温的方法完成石墨烯晶体薄膜的连续生长的生产方法，采用下述步骤完成：
（1）、将载体薄板设置在冷却管的上面，通过碳源充分燃烧对冷却管进行加温，加热温度为1000～1200℃，冷却管管道内的水温为0～100℃，最佳水温为33℃；载体薄板的厚度为20～30纳米；
（2）、加入甲烷在常压条件下调整氧气使压强达到1～2MPa；
（3）、降温减压同步进行，在常压下温度降至33℃，完成一次石墨烯生产过程；
（4）、通过牵引机拉动载体薄板，使载体薄板的底面围绕旋转的冷却管管壁作同向运动，通过加热冷却管对载体薄板进行轰击，在载体薄板的底面...
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