多光束干涉光刻辅助曝光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，包括底座、光阑吸附底座、辅助曝光光阑、基片旋转台，所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上，所述辅助曝光光阑设置在光阑吸附底座上，所述辅助曝光光阑上设置有开孔，所述基片旋转台上设置有第一读数指针，并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘，所述基片吸盘中心设置有抽气孔。本发明专利技术结构简单合理，便于基片安装调整，能够实现基片不同位置的单、多次曝光，提高多次曝光的重合度，调整无需碰触基片，减少基片污损概率，辅助曝光光阑更换方便，适用于不同的需求。

【技术实现步骤摘要】
多光束干涉光刻辅助曝光装置
本专利技术属于多光束干涉光刻曝光
，具体涉及一种多光束干涉光刻辅助曝光装置。
技术介绍
目前，多光束干涉光刻曝光实验过程中，一般采用干板架夹持基片，手动推动和旋转基片来改变曝光位置或进行同一位置多次曝光。虽然，这种控制方法可以满足最基本的实验需求，但是，用干板架夹持基片可能损伤到基片，多次曝光时无法确保曝光位置的重合度，而且多次碰触基片极易污染基片表面，影响实验结果。现有的步进光刻机的工件台利用精密测量和控制技术，能够对基片进行精确定位，但是其昂贵的价格限制了其在普通干涉光刻实验中的使用。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，该装置包括底座、光阑吸附底座、辅助曝光光阑、基片旋转台，所述光阑吸附底座、基片旋转台设置在底座上，所述辅助曝光光阑设置在光阑吸附底座上，所述辅助曝光光阑上设置有开孔，所述基片旋转台上设置有第一读数指针，并且所述基片旋转台靠近光阑吸附底座的侧面设置有基片吸盘，所述基片吸盘中心设置有抽气孔。上述方案中，所述基片旋转台上设置有第一锁紧螺钉。上述方案中，所述光阑吸附底座、基片旋转台下部的侧面分别设置有光阑吸附底座锁紧螺钉、旋转台锁紧螺钉。上述方案中，所述底座为一维平移导轨。上述方案中，所述底座包括升降台、二维平移导轨，所述升降台的下平台的侧边垂直设置有刻度立柱，所述升降台的上平台的侧边水平设置有第二读数指针，所述二维平移导轨设置在所述升降台的上平台上，所述二维平移导轨位于光阑吸附底座、基片旋转台的下方。上述方案中，所述开孔位于辅助曝光光阑的边缘，所述辅助曝光光阑上设置有刻度，所述光阑吸附底座上设置有第三读数指针、第二锁紧螺钉。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术利用吸盘吸附固定基片，由多维移动导轨配合360°旋转台，通过控制吸盘实现吸盘上所吸附基片的平移及旋转，配备辅助曝光光阑，最终实现基片曝光位置及区域的选择，其中的移动及旋转部件均具有刻度标尺，便于读取基片移动位移及旋转角度，使得对基片曝光位置的控制更为精确。附图说明图1为本专利技术实施例1提供的一种多光束干涉光刻辅助曝光装置的结构示意图；图2为本专利技术实施例2提供的一种多光束干涉光刻辅助曝光装置的结构示意图；图3为通过实施例2的一种多光束干涉光刻辅助曝光装置进行多次曝光时曝光区域及基片对应曝光区域位置变换示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行详细说明。实施例1：本专利技术实施例提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，如图1所示，该装置由底座1、光阑吸附底座2、辅助曝光光阑3及其上的开孔4、基片旋转台9及其上的第一读数指针5、第一锁紧螺钉6、基片吸盘7、抽气孔8、旋转台锁紧螺钉10、光阑吸附底座锁紧螺钉11组成；基片旋转台9上有基片吸盘7，吸盘中心有抽气孔8，用于基片的吸附固定，方便基片的取放，且能免于基片夹持损伤；所述底座1为一维平移导轨，所述基片旋转台9在一维平移导轨上移动，对吸附于基片吸盘7表面的基片位置进行调整操作；所述基片旋转台9外围一周有刻度，侧面固定第一读数指针5，方便读取基片转动角度；所述基片旋转台9上半部分的外壁上配备第一锁紧螺钉6，用于角度固定及锁紧；所述基片旋转台9底部有旋转台锁紧螺钉10，用于其在一维平移导轨上的锁紧定位；所述光阑吸附底座2也能够在一维平移导轨上面移动，方便基片的安装调整；所述光阑吸附底座2上安装有带开孔4的辅助曝光光阑3，所述光阑吸附底座2的上半部分放置辅助曝光光阑3的区域内置磁铁，利用磁铁吸附辅助曝光光阑3，便于更换不同形状、大小开孔的辅助曝光光阑3，以限制曝光区域范围；所述光阑吸附底座2底部有光阑吸附底座锁紧螺钉11，用于光阑吸附底座2在一维平移导轨上的锁紧定位。实施例1适用于基片单一位置处的单曝光或多曝光。实施例2：本专利技术实施例还提供一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，如图2所示，该装置包含底座1、开孔4位于边缘处的辅助曝光光阑3、具有旋转功能的光阑吸附底座2及其上的第三读数指针14和第二锁紧螺钉15，其余同实例1；所述底座1包括升降台12、二维平移导轨13，所述升降台12的下平台的侧边垂直设置有刻度立柱17，所述升降台12的上平台的侧边水平设置有第二读数指针16，所述二维平移导轨13设置在所述升降台12的上平台上，所述二维平移导轨13位于光阑吸附底座2、基片旋转台9的下方；所述二维平移导轨13及升降台12相结合实现光阑吸附底座2及基片旋转台9三维方向的移动，进而实现基片曝光位置的调整对准；所述辅助曝光光阑3可沿轴线360°旋转，辅助曝光光阑3外围一周有刻度，所述光阑吸附底座2上半部分侧面固定第三读数指针14，方便读取辅助曝光光阑3的转动角度，所述光阑吸附底座2具有旋转功能，所述光阑吸附底座2上半部分的外壁上配备第二锁紧螺钉15，用于辅助曝光光阑3的角度固定及锁紧，其余特征同实例1；若只转动基片，能够实现基片圆周一圈不同位置的单曝光，若将辅助曝光光阑3及基片同时转动所需要的角度，再利用二维平移导轨13及升降台12，将辅助曝光光阑3上的开孔4以及对应基片上的曝光区调整到转动前曝光的位置，能够实现基片圆周一圈该区域的多曝光。实施例2用于圆形基片当基片直径与辅助曝光光阑直径相近时，在圆形基片上实现圆周一圈的单曝光或多曝光。图3为在平行于基片的平面坐标系内，通过图2所示的装置进行多曝光时开孔4及基片对应曝光区域的位置变换示意（以第二象限为例，其余象限原理相同），图中圆形区域Φ为开孔4及基片对应曝光区域。假设基片在O点（光轴位置）处进行第一次曝光，然后将基片和辅助曝光光阑3同时转动相同的角度θ，用第二锁紧螺钉15和第一锁紧螺钉6固定对应旋转台，此时Φ位于A点，偏离光轴位置，水平方向偏移，竖直方向偏移，其中R为曝光区域的旋转半径。利用二维平移导轨13及升降台12调整Φ回到初始位置O处，再次曝光，从而实现该区域的多次曝光。当θ=90°时，Φ移动至B点处，将二维平移导轨沿x轴正方向平移R，升降台向上升高R，固定位置后再次进行曝光，实现同一位置两次正交曝光。本专利技术利用吸盘吸附基片，位移调整装置可分别实现基片和辅助曝光光阑的旋转、平移，及选择或更换不同曝光区域位置的功能。本专利技术的基片旋转台9和光阑吸附底座2上均标有刻度，能够通过对应读数指针读取基片及光阑的转动角度，进一步获得位移信息。本专利技术结构简单合理，便于基片安装调整，能够实现基片不同位置的单、多次曝光，提高多次曝光的重合度，调整无需碰触基片，减少基片污损概率，辅助曝光光阑更换方便，适用于不同的需求。以上所述，仅为本专利技术的较佳实施例而已，并非用于限定本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，其特征在于，该装置包括底座（1）、光阑吸附底座（2）、辅助曝光光阑（3）、基片旋转台（9）所述光阑吸附底座（2）、基片旋转台（9）设置在底座（1）上，所述辅助曝光光阑（3）设置在光阑吸附底座（2）上，所述辅助曝光光阑（3）上设置有开孔（4），所述基片旋转台（9）上设置有第一读数指针（5），并且所述基片旋转台（9）靠近光阑吸附底座（2）的侧面设置有基片吸盘（7），所述基片吸盘（7）中心设置有抽气孔（8）。

【技术特征摘要】
1.一种多光束干涉光刻辅助曝光装置，其特征在于，该装置包括底座（1）、光阑吸附底座（2）、辅助曝光光阑（3）、基片旋转台（9）；所述光阑吸附底座（2）、基片旋转台（9）设置在底座（1）上，所述辅助曝光光阑（3）设置在光阑吸附底座（2）上，所述辅助曝光光阑（3）上设置有开孔（4），所述基片旋转台（9）上设置有第一读数指针（5），并且所述基片旋转台（9）靠近光阑吸附底座（2）的侧面设置有基片吸盘（7），所述基片吸盘（7）中心设置有抽气孔（8）；所述基片旋转台（9）上设置有第一锁紧螺钉（6）；所述光阑吸附底座（2）、基片旋转台（9）下部的侧面分别设置有光阑吸附底座锁紧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锦，马丽娜，蒋世磊，孙国斌，杭凌侠，弥谦，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61