【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体
，更具体地说，涉及一种离子注入设备。
技术介绍
离子注入是一种将离子在电场里加速、并嵌入到另一固体里的材料科学，广泛应用于材料改性工程领域，该过程能够改变固体的物理、化学或电子性质。对材料进行离子注入的离子注入设备主要由离子源、质量分析器、加速器和靶室等组成。其中，离子源用于将需要注入的元素的气态粒子电离成离子，再通过质量分析器筛选出需要的离子，经加速器对离子进行加速并最终引至靶室注入到所需要改性的材料上。传统的离子注入设备在控制注入剂量时主要是利用束流积分仪的工作原理为将注入离子束转化为脉冲信号，通过对计数脉冲来显示来控制注入的剂量。由于整个离子注入过程需要多个器件进行配合动作，因此启停的惯性较大，导致注入时间的精确度不高，一般最高注入时间的精确度为秒量级，无法满足对注入时间进行更高精度的控制需求。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供一种离子注入设备，用于对材料进行离子注入，以解决现有的进行离子注入的设备无法满足对注入时间进行更高精度的控制需求的问题。为了实现上述目的，现提出的方案如下:一种离子注入设备，包括真空腔、离子发射装置...
【技术保护点】
一种离子注入设备，其特征在于，包括真空腔、离子发射装置、靶室、快门装置和快门控制器，其中：所述离子发射装置设置在所述真空腔内；所述靶室设置在所述真空腔内，且与所述离子发射装置的离子发射口相对应，用于容纳待离子注入的材料；所述快门装置设置在所述真空腔内，所述快门装置的光圈位于所述离子发射装置的离子发射路径上；所述快门控制器与所述快门装置相连接，用于控制所述光圈打开或关闭。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘钊希，王鹏飞，丁哲，杜江峰，石发展，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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